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离散半导体产品（（2909）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	电流 -最大	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电阻 @ if，f	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电容比	电容比条件	q @ vr，f
tpca8028-h（TE12LQM	-	RFQ	9696	东芝半导体和存储	U-MOSIV-H	（CT）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8028	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		30 V	50a（ta）	4.5V，10V	2.8mohm @ 25a，10v	2.3V @ 1mA	88 NC @ 10 V	±20V	7800 PF @ 10 V	-	1.6W（ta），45W（tc）
2SA1244-y Q）	-	RFQ	1152	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	2SA1244		1 w	PW-MOLD	-		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0075	200																						50 V	5 a			1µA（ICBO）		PNP	400mv @ 150mA，3a	120 @ 1A，1V	60MHz
2SA1930（Q，M）	-	RFQ	3597	东芝半导体和存储	-	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SA1930		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0075	500																						180 v	2 a			5µA（ICBO）		PNP	1V @ 100mA，1a	100 @ 100mA，5V	200MHz
2SC5439（f）	-	RFQ	9123	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SC5439		2 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50																						450 v	8 a			100µA（ICBO）		NPN	1V @ 640mA，3.2a	14 @ 1a，5v	-
2SD2406-y（f）	-	RFQ	9090	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	2SD2406		25 w	TO-220NIS	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50																						80 V	4 a			30µA（ICBO）		NPN	1.5V @ 300mA，3a	120 @ 500mA，5V	8MHz
2SK3309（TE24L，Q）	-	RFQ	7505	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK（2 LEADS + TAB），SC-63	2SK3309	MOSFET （金属 o化物）		TO-220SM	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		450 v	10a（10a）	10V	650MOHM @ 5A，10V	5V @ 1mA	23 NC @ 10 V	±30V	920 PF @ 10 V	-	65W（TC）
CMH04（TE12L，Q，M）	0.4500	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOD-128	CMH04	标准		M-Flat（2.4x3.8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													200 v	980 mv @ 1 a	35 ns	10 µA @ 200 V	-40°C〜150°C	1a	-
CMS16 （TE12L，Q，M）	0.6600	RFQ	1	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	SOD-128	CMS16	肖特基		M-Flat（2.4x3.8）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.10.0080	3,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													40 V	550 mv @ 3 a		200 µA @ 40 V	-40°C〜150°C	3a	-
CRG01（TE85L，Q，M）	-	RFQ	9551	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOD-123F	CRG01	标准		S-Flat（1.6x3.5）	-	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.10.0080	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													100 v	1.1 V @ 700 mA		10 µA @ 100 V	-40°C〜150°C	700mA	-
CRG02 （TE85L，Q，M）	-	RFQ	1132	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的		表面安装	SOD-123F	CRG02	标准		S-Flat（1.6x3.5）	-	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.10.0080	3,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													400 v	1.1 V @ 700 mA		10 µA @ 400 V	-40°C〜150°C	700mA	-
TK12A60U（Q，M）	-	RFQ	2935	东芝半导体和存储	dtmosii	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	TK12A60	MOSFET （金属 o化物）		TO-220Si	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50			n通道		600 v	12a（12a）	10V	400mohm @ 6a，10v	5V @ 1mA	14 NC @ 10 V	±30V	720 PF @ 10 V	-	35W（TC）
TK20J60U（f）	-	RFQ	2851	东芝半导体和存储	dtmosii	托盘	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	TK20J60	MOSFET （金属 o化物）		to-3p n（n）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50			n通道		600 v	20A（TA）	10V	190mohm @ 10a，10v	5V @ 1mA	27 NC @ 10 V	±30V	1470 pf @ 10 V	-	190w（TC）
TK70D06J1（Q）	-	RFQ	8209	东芝半导体和存储	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TK70	MOSFET （金属 o化物）		TO-220（W）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	50			n通道		60 V	70a（ta）	4.5V，10V	6.4MOHM @ 35A，10V	2.3V @ 1mA	87 NC @ 10 V	±20V	5450 pf @ 10 V	-	45W（TC）
TPC6107（TE85L，F，M）	-	RFQ	1647年	东芝半导体和存储	U-Mosiv	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	TPC6107	MOSFET （金属 o化物）		VS-6（2.9x2.8）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道		20 v	4.5A（ta）	2V，4.5V	55mohm @ 2.2a，4.5V	1.2V @ 200µA	9.8 NC @ 5 V	±12V	680 pf @ 10 V	-	700MW（TA）
TPC6901（TE85L，F，M）	-	RFQ	6955	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	SOT-23-6薄，TSOT-23-6	TPC6901		400MW	VS-6（2.9x2.8）	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000																						50V	1A，700mA			100NA（ICBO）		NPN，PNP	170mv @ 6mA，300mA / 230mv @ 10mA，300mA	400 @ 100mA，2v / 200 @ 100mA，2v	-
TPC8031-H （TE12LQM）	-	RFQ	5858	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	TPC8031	MOSFET （金属 o化物）		8-SOP（5.5x6.0）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		30 V	11a（11a）		13.3MOHM @ 5.5A，10V	2.5V @ 1mA	21 NC @ 10 V		2150 pf @ 10 V	-	-
TPC8110（TE12L，Q，M）	-	RFQ	6368	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	TPC8110	MOSFET （金属 o化物）		8-SOP（5.5x6.0）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道		40 V	8a（8a）	4V，10V	25mohm @ 4A，10V	2V @ 1mA	48 NC @ 10 V	±20V	2180 pf @ 10 V	-	1W（ta）
TPC8208（TE12L，Q，M）	-	RFQ	2448	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SOIC （0.173“，4.40mm宽度）	TPC8208	MOSFET （金属 o化物）	450MW	8-SOP（5.5x6.0）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）				20V	5a		50mohm @ 2.5a，4V	1.2V @ 200µA	9.5nc @ 5V		780pf @ 10V	逻辑级别门
tpca8003-h te12lqm	-	RFQ	4120	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8003	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		30 V	35A（TA）	4.5V，10V	6.6mohm @ 18a，10v	2.3V @ 1mA	25 NC @ 10 V	±20V	1465 pf @ 10 V	-	1.6W（ta），45W（tc）
tpca8010-h（TE12LQM	-	RFQ	6650	东芝半导体和存储	π-MOSV	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8010	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		200 v	5.5A（ta）	10V	450MOHM @ 2.7A，10V	4V @ 1mA	10 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 10 V	-	1.6W（ta），45W（tc）
tpca8023-h（TE12LQM	-	RFQ	3367	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8023	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		30 V	21a（21a）	4.5V，10V	12.9mohm @ 11a，10v	2.5V @ 1mA	21 NC @ 10 V	±20V	2150 pf @ 10 V	-	1.6W（TA），30W（TC）
TPCA8105（te12l，Q，m	-	RFQ	5105	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn	TPCA8105	MOSFET （金属 o化物）		8（5x5）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道		12 v	6a（6a）	1.8V，4.5V	33mohm @ 3A，4.5V	1.2V @ 200µA	18 nc @ 5 V	±8V	1600 PF @ 10 V	-	1.6W（TA），20W（tc）
TPCF8304 （TE85L，F，m	-	RFQ	5747	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	TPCF8304	MOSFET （金属 o化物）	330MW	VS-8 （2.9x1.5）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	4,000	2（p 通道（双）				30V	3.2a		72MOHM @ 1.6A，10V	1.2V @ 1mA	14NC @ 10V		600pf @ 10V	逻辑级别门
tpcp8001-h（TE85LFM	-	RFQ	4459	东芝半导体和存储	U-Mosiii	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	TPCP8001	MOSFET （金属 o化物）		PS-8（2.9x2.4）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道		30 V	7.2A（ta）	4.5V，10V	16mohm @ 3.6a，10v	2.3V @ 1mA	11 NC @ 10 V	±20V	640 pf @ 10 V	-	1W（TA），30W（TC）
TPCP8203（TE85L，F）	-	RFQ	5326	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	8-SMD，平坦的铅	TPCP8203	MOSFET （金属 o化物）	360MW	PS-8（2.9x2.4）	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000	2 n 通道（双）				40V	4.7a		-	2.5V @ 1mA	-		-	-
1SS381，L3F	0.0540	RFQ	6469	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	不适合新设计	125°C（TJ）		SC-79，SOD-523	1SS381			ESC键	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.10.0070	8,000				100 ma																	1.2pf @ 6V，1MHz			PIN-单	30V		900MOHM @ 2mA，100MHz
1SV277TPH3F	0.3800	RFQ	2	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323	1SV277			南加州大学	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.10.0070	3,000																					2.35pf @ 4V，1MHz			单身的	10 v							2.3	C1/C4	-
1SV324TPH3F	0.4200	RFQ	972	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	125°C（TJ）	表面安装	SC-76，SOD-323	1SV324			南加州大学	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.10.0070	3,000																					12pf @ 4V，1MHz			单身的	10 v							4.3	C1/C4	-
SSM3J114TU （T5L，T）	-	RFQ	2761	东芝半导体和存储	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	SSM3J114	MOSFET （金属 o化物）		UFM	下载		（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道		20 v	1.8A（ta）	1.5V，4V	149mohm @ 600mA，4V	1V @ 1mA	7.7 NC @ 4 V	±8V	331 PF @ 10 V	-	500MW（TA）
SSM3J120TU，LF	-	RFQ	2941	东芝半导体和存储	U-Mosiv	胶带和卷轴（（tr）	积极的	150°C（TJ）	表面安装	3-SMD，平坦的铅	SSM3J120	MOSFET （金属 o化物）		UFM	下载	Rohs符合条件	（1 （无限）	Ear99	8541.21.0095	3,000			P通道		20 v	4A（ta）	1.5V，4V	38mohm @ 3A，4V	1V @ 1mA	22.3 NC @ 4 V	±8V	1484 pf @ 10 V	-	500MW（TA）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（2909）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²