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离散半导体产品（（2909）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 其他名称 ECCN htsus 标准包 速度 fet 电流 -最大 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） （（dc）（vr）（vr）（最大） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr 工作温度 -交界处 电流 -io（io） 电容 @ vr，f IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 TD （开/关） @ 25°C 二极管类型 电压 -峰值反向（最大） 当前 -收集器截止（最大） 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） 电阻 @ if，f 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡 电阻 -底座（ -r1） 电阻 -发射极底座（ r2）
CMZ16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ16（TE12L，Q，M） 0.5400
RFQ
 ECAD 4384 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±10％ -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 SOD-128 CMZ16 2 w M-Flat（2.4x3.8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 V @ 200 ma 10 µA @ 11 V 16 V 30欧姆
1SS315[U/D] Toshiba Semiconductor and Storage 1SS315 [U/D] -
RFQ
 ECAD 3369 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 125°C（TJ） SC-76，SOD-323 南加州大学 下载 （1 （无限） 264-1SS315 [u/d] tr Ear99 8541.10.0070 3,000 30 ma 0.06pf @ 200mv，1MHz 肖特基 -单身 5V -
TW107N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW107N65C，S1F 9.6200
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 175°C 通过洞 TO-247-3 sicfet （碳化硅） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 20A（TC） 18V 145mohm @ 10a，18v 5V @ 1.2mA 21 NC @ 18 V +25V，-10V 600 pf @ 400 V - 76W（TC）
TPW2R508NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW2R508NH，L1Q 2.8100
RFQ
 ECAD 1661年 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 8-Powerwdfn MOSFET （金属 o化物） 8-dsop提前 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 75 v 150a（ta） 10V 2.5MOHM @ 50a，10v 4V @ 1mA 72 NC @ 10 V ±20V 6000 PF @ 37.5 V - 800MW（TA），142W （TC）
TK25A20D,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK25A20D，S5X 1.7900
RFQ
 ECAD 40 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 25A（TA） 10V 70MOHM @ 12.5a，10V 3.5V @ 1mA 60 NC @ 10 V ±20V 2550 pf @ 100 V - 45W（TC）
TK22V65X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK22V65X5，LQ 5.6600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 DTMOSIV-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 4-VSFN暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 4-DFN-EP（8x8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 22a（22a） 10V 170mohm @ 11a，10v 4.5V @ 1.1mA 50 NC @ 10 V ±30V 2400 PF @ 300 V - 180W（TC）
TK14V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK14V65W，LQ 3.4800
RFQ
 ECAD 2719 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 4-VSFN暴露垫 MOSFET （金属 o化物） 4-DFN-EP（8x8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 13.7A（TA） 10V 280MOHM @ 6.9a，10V 3.5V @ 690µA 35 NC @ 10 V ±30V 1300 PF @ 300 V - 139W（TC）
GT50JR21(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage GT50JR21（sta1，E，S） 4.7900
RFQ
 ECAD 6501 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 标准 230 w to-3p n（n） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 264-GT50JR21（STA1ES） Ear99 8541.29.0095 25 - - 600 v 50 a 100 a 2V @ 15V，50a - -
SSM3J15CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15CT，L3F 0.3100
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 SC-101，SOT-883 MOSFET （金属 o化物） CST3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 10,000 P通道 30 V （100mA）（TA） 2.5V，4V 12ohm @ 10mA，4V 1.7V @ 100µA ±20V 9.1 PF @ 3 V - 100mW（TA）
TK5P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P65W，RQ 1.3700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosiv 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） DPAK - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 650 v 5.2a（ta） 10V 1.22OHM @ 2.6a，10V 3.5V @ 170µA 10.5 NC @ 10 V ±30V 380 pf @ 300 V - 60W（TC）
TK099V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK099V65Z，LQ 5.5600
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 4-VSFN暴露垫 TK099V65 MOSFET （金属 o化物） 5-DFN（8x8） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 30a（TA） 10V 99mohm @ 15a，10v 4V @ 1.27mA 47 NC @ 10 V ±30V 2780 pf @ 300 V - 230W（TC）
TJ20S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L，LXHQ 0.9400
RFQ
 ECAD 34 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TJ20S04 MOSFET （金属 o化物） DPAK+ 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 40 V 20A（TA） 6V，10V 22.2MOHM @ 10A，10V 3V @ 1mA 37 NC @ 10 V +10V，-20V 1850 pf @ 10 V - 41W（TC）
TK40S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S06N1L，LXHQ 1.0700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosviii-H 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TK40S06 MOSFET （金属 o化物） DPAK+ 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 n通道 60 V 40a（ta） 4.5V，10V 18mohm @ 20a，10v 2.5V @ 200µA 26 NC @ 10 V ±20V 1650 pf @ 10 V - 88.2W（TC）
XPN7R104NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN7R104NC，L1XHQ 1.2500
RFQ
 ECAD 9396 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosiii 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 8-Powervdfn XPN7R104 MOSFET （金属 o化物） 8-tson Advance-WF （3.1x3.1） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 5,000 n通道 40 V 20A（TA） 4.5V，10V 7.1MOHM @ 10a，10v 2.5V @ 200µA 21 NC @ 10 V ±20V 1290 pf @ 10 V - （840MW）（TA），65W（tc）
TRS12A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12A65F，S1Q 5.4900
RFQ
 ECAD 28 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2完整包 TRS12A65 SIC （碳化硅） TO-220F-2L - Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.6 V @ 12 A 0 ns 60 µA @ 650 V 175°c （最大） 12a 44pf @ 650V，1MHz
TK110A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A65Z，S4X 4.2300
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosvi 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-220-3完整包 TK110A65 MOSFET （金属 o化物） TO-220Si 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 24A（24A） 10V 110mohm @ 12a，10v 4V @ 1.02mA 40 NC @ 10 V ±30V 2250 pf @ 300 V - 45W（TC）
2SA2154MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154MFVGR，L3F 0.1900
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 SOT-723 2SA2154 150兆 VESM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 8,000 50 V 150 ma 100NA（ICBO） PNP 300mv @ 10mA，100mA 200 @ 2mA，6v 80MHz
2SC6100,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6100，LF 0.5300
RFQ
 ECAD 42 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 3-SMD，平坦的铅 2SC6100 500兆 UFM 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 50 V 2.5 a 100NA（ICBO） NPN 140mv @ 20mA，1a 400 @ 300mA，2V -
TJ60S06M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ60S06M3L，LXHQ 1.6500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 175°C 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 TJ60S06 MOSFET （金属 o化物） DPAK+ 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 2,000 P通道 60 V 60a（ta） 6V，10V 11.2Mohm @ 30a，10v 3V @ 1mA 156 NC @ 10 V +10V，-20V 7760 pf @ 10 V - 100W（TC）
SSM6J808R,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J808R，LF 0.6400
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 6-SMD，平坦的铅 SSM6J808 MOSFET （金属 o化物） 6-TSOP-F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 40 V 7a（ta） 4V，10V 35mohm @ 2.5a，10v 2V @ 100µA 24.2 NC @ 10 V +10V，-20V 1020 pf @ 10 V - 1.5W（TA）
SSM3J325F,LF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J325F，LF 0.4100
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 东芝半导体和存储 U-Mosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SSM3J325 MOSFET （金属 o化物） S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 20 v 2A（TA） 1.5V，4.5V 150MOHM @ 1A，4.5V - 4.6 NC @ 4.5 V ±8V 270 pf @ 10 V - 600MW（TA）
TK16J60W5,S1VQ Toshiba Semiconductor and Storage TK16J60W5，S1VQ 5.2000
RFQ
 ECAD 32 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 150°C 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 TK16J60 MOSFET （金属 o化物） to-3p n（n） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 15.8A（TA） 10V 230MOHM @ 7.9A，10V 4.5V @ 790µA 43 NC @ 10 V ±30V 1350 pf @ 300 V - 130W（TC）
TRS8E65H,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS8E65H，S1Q 2.7600
RFQ
 ECAD 395 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 通过洞 TO-220-2 SIC （碳化硅） TO-220-2L - rohs3符合条件 （1 （无限） 264-TRS8E65H，S1Q Ear99 8541.10.0080 50 没有恢复t> 500mA（IO） 650 v 1.35 V @ 8 A 0 ns 90 µA @ 650 V 175°C 8a 520pf @ 1V，1MHz
SSM3J306T(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J306T（TE85L，F） -
RFQ
 ECAD 5083 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 过时的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 SSM3J306 MOSFET （金属 o化物） TSM 下载 （1 （无限） Ear99 8541.21.0095 3,000 P通道 30 V 2.4A（TA） 4V，10V 117MOHM @ 1A，10V - 2.5 NC @ 15 V ±20V 280 pf @ 15 V - 700MW（TA）
SSM3J375F,LXHF Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J375F，LXHF 0.4900
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 东芝半导体和存储 汽车，AEC-Q101，U-MOSVI 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET （金属 o化物） S-Mini 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 3,000 P通道 20 v 2A（TA） 1.5V，4.5V 150MOHM @ 1A，4.5V 1V @ 1mA 4.6 NC @ 4.5 V +6V，-8V 270 pf @ 10 V - 600MW（TA）
TW015Z65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW015Z65C，S1F 48.8100
RFQ
 ECAD 120 0.00000000 东芝半导体和存储 - 管子 积极的 175°C 通过洞 TO-247-4 SIC （硅碳化物交界晶体管） TO-247-4L x（X） - rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 100A（TC） 18V 22mohm @ 50a，18v 5V @ 11.7mA 128 NC @ 18 V +25V，-10V 4850 PF @ 400 V - 342W（TC）
TK210V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK210V65Z，LQ 3.2100
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 东芝半导体和存储 dtmosvi 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C 表面安装 4-VSFN暴露垫 TK210V65 MOSFET （金属 o化物） 4-DFN-EP（8x8） 下载 rohs3符合条件 3（168）） Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 650 v 15A（TA） 10V 210MOHM @ 7.5A，10V 4V @ 610µA 25 NC @ 10 V ±30V 1370 pf @ 300 V - 130W（TC）
2SC6000(TE16L1,NQ) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6000（TE16L1，NQ） -
RFQ
 ECAD 4731 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 2SC6000 20 w PW-MOLD - 264-2SC6000（TE16L1NQ）TR Ear99 8541.29.0095 2,000 50 V 7 a 100NA（ICBO） NPN 180MV @ 83mA，2.5a 250 @ 2.5a，2V -
CRZ27(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ27（TE85L，Q，M） 0.4900
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 ±10％ -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 SOD-123F CRZ27 700兆 S-Flat（1.6x3.5） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.10.0050 3,000 1 V @ 200 MA 10 µA @ 19 V 27 V 30欧姆
RN2709,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2709，LF 0.3100
RFQ
 ECAD 8528 0.00000000 东芝半导体和存储 - 胶带和卷轴（（tr） 积极的 表面安装 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 RN2709 200MW USV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） Ear99 8541.21.0075 3,000 50V 100mA 500NA 2 PNP-） 300mv @ 250µA，5mA 70 @ 10mA，5V 200MHz 47kohms 22KOHMS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

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