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离散半导体产品（（1081）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
IRFR91209AR3603	-	RFQ	6928	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRFR9120	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	499												-
MUR1615CT	1.0000	RFQ	6127	哈里斯公司	SwitchMode™	管子	过时的		通过洞	TO-220-3		标准		TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	150 v	8a	975 mv @ 8 a	35 ns	5 µA @ 150 V	-65°C〜175°C
IRFD9113	0.6200	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD9113	MOSFET （金属 o化物）		4浸，hexdip，hvmdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		P通道		60 V	600mA（TA）		1.6ohm @ 300mA，10v	-	15 NC @ 15 V		250 pf @ 25 V	-	-
RF1S630SM9A	1.0000	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		200 v	6A（TC）	10V	400MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	75W（TC）
HUF75307D3	0.4700	RFQ	8	哈里斯公司	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道		55 v	15A（TC）	10V	90mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 20 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	45W（TC）
IRF433	-	RFQ	8910	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	to-204aa		MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	154		n通道		450 v	4a	-	-	-		-		-	75W
2N5492	1.0200	RFQ	7456	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			50 W	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	292																							55 v	7 a	1ma	NPN	1V @ 250mA，2.5a	20 @ 2.5a，4V	800kHz
ICL7149CM44	5.4000	RFQ	235	哈里斯公司	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达受影响	2156-ICL7149CM44-600026			1
RURP1580	-	RFQ	7399	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2		雪崩		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	231	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														800 v		1.8 V @ 15 A	125 ns	100 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	15a	-
IRFR420U	0.5000	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRFR420	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1												-
2N1482	-	RFQ	5206	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-205AA，TO-5-3金属可以			1 w	TO-5AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																							55 v	1.5 a	5µA（ICBO）	NPN	750mv @ 10mA，200mA	35 @ 200ma，4V
RFD14N06LSM9A	0.3400	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500
RUR3080	0.8500	RFQ	370	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2		雪崩		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	370	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														800 v		1.8 V @ 30 A	150 ns	100 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	30a	-
RUR840	1.0000	RFQ	1462	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2		标准		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														400 v		1.3 V @ 8 A	60 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	8a	-
BUZ21P2	0.7600	RFQ	2686	哈里斯公司	*	大部分	积极的				BUZ21	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	289												-
HUF75339S3	0.2200	RFQ	7399	哈里斯公司	Ultrafet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-262AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1200		n通道		55 v	70A（TC）		12mohm @ 70a，10v	4V @ 250µA	130 nc @ 20 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	124W（TC）
IRF823	0.4100	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		450 v	2.2A（TC）	10V	4ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRF631	0.7900	RFQ	5	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	381		n通道		150 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	75W（TC）
HC5523IM	3.3300	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达受影响	2156-HC5523IM-600026			1
IRFF322	0.6500	RFQ	500	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐		MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	500		n通道		400 v	2A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.25A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	20V	450 pf @ 25 V	-	20W（TC）
RHRU50100	3.2300	RFQ	280	哈里斯公司	-	大部分	积极的		底盘安装	TO-218-1		雪崩		TO-218	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														1000 v		3 V @ 50 A	95 ns	500 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	50a	-
IRFU420	-	RFQ	8809	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	395		n通道		500 v	2.4A（TC）		3ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
RURD1580	2.2400	RFQ	260	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
RURU10060	8.6800	RFQ	305	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-218-1	ruru10	标准		TO-218	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														600 v		1.6 V @ 100 A	100 ns	250 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	100a	-
HFA3127B96	-	RFQ	7981	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）			150MW	16-Soic	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-HFA3127B96-600026			1			-																				12V	65mA		5 NPN		40 @ 10mA，2V	8GHz	3.5db @ 1GHz
rurg3050cc	2.8800	RFQ	266	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-247-3		雪崩		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	500 v	30a	1.5 V @ 30 A	60 ns	500 µA @ 50 V	-65°C〜175°C
2N6500	29.4000	RFQ	60	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			20 w	到66	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.30.0080	12																							110 v	4 a	-	NPN	-	15 @ 3a，2v	60MHz
2N6773	0.3700	RFQ	860	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			40 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	860																							650 v	1 a	100µA	NPN	1V @ 200mA，1a	20 @ 300mA，3v	50MHz
RFP12N18	1.0600	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		180 v	12A（TC）	10V	250mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA		±20V	1700 PF @ 25 V	-	75W（TC）
IRF442	1.4600	RFQ	8591	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	4		n通道		500 v	7A（TC）	10V	1.1OHM @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1225 pf @ 25 V	-	125W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（1081）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²