分立半导体产品(1081)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
D45D5	-	询价	3022	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2.1W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	37																									80V	6A						10微安	PNP-达林顿	1.5V@3mA，3A	2000 @ 1A，2V	-
穆尔1615CT	1.0000	询价	6127	哈里斯公司	切换模式™	管子	过时的		通孔	TO-220-3			标准		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													1对共轴线	150伏	8A	975毫伏@8安	35纳秒	150V时为5μA	-65℃～175℃
IRFD320	1.9400	询价	812	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-HVMDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1			N沟道		400V	490mA（塔）		1.8欧姆@210mA，10V	4V@250μA	20nC@10V	±20V	410pF@25V	-	1W（塔）
GES5815	-	询价	4455	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 135°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)				500毫W	TO-92-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	1,000																									40V	750毫安						100nA（ICBO）	国民党	750mV@50mA、500mA	60@2mA，2V	100兆赫兹
RFP15N06	0.4400	询价	27号	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		60V	15A（温度）	10V	140毫欧@7.5A，10V	4V@1mA		±20V	850pF@25V	-	90W（温度）
IRFU222	0.4000	询价	900	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		200V	3.8A（温度）	10V	1.2欧姆@2.4A，10V	4V@250μA	18nC@10V	±20V	330pF@25V	-	50W（温度）
RF1S9630SM	0.9700	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			P沟道		200V	6.5A	-	-	-		-		-	-
HGTD7N60C3	-	询价	5957	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		标准		60W	I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	225				-																				-	600伏	14A	56A	2V@15V，7A	-	30纳克	-
IRF244	3.2000年	询价	37	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		250伏	8.8A（温度）	10V	280毫欧@8A，10V	4V@250μA	59nC@10V	±20V	1300pF@25V	-	125W（温度）
IRF9541	1.7700	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			P沟道		80V	19A（TC）	10V	200毫欧@10A、10V	4V@250μA	90nC@10V	±20V	1100pF@25V	-	150W（温度）
HGTP10N50E1	1.9400	询价	15	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准		60W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1				-																				-	500V	10A	17.5安	3.2V@20V，17.5A	-	19nC	-
HRF3205	1.4600	询价	6230	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	-	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	400			N沟道		55V	100A（温度）	10V	8毫欧@59A，10V	4V@250μA	170nC@10V	±20V	4000pF@25V	-	175W（温度）
ICL7149CM44	5.4000	询价	235	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH旅行	2156-ICL7149CM44-600026			1
IRF710	0.4100	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRF710		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1			N沟道		400V	2A（温度）	10V	3.6欧姆@1.1A，10V	4V@250μA	12nC@10V	±20V	135pF@25V	-	36W（温度）
提示115	-	询价	3125	哈里斯公司	-	管子	过时的	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3					TO-220-3	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	50																									60V							2毫安	PNP-达林顿	2.5V@8mA，2A	1000 @ 1A，4V	25兆赫
JANSR2N7292	407.6400	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-254-3、TO-254AA			MOSFET（金属O化物）		TO-254AA	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1			N沟道		100伏	25A（温度）	10V	70毫欧@20A，10V	5V@1mA	552nC@20V	±20V		-	125W（温度）
IRFP462	3.9300	询价	152	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		500V	17A（温度）	10V	350mOhm@11A，10V	4V@250μA	190nC@10V	±20V	4100pF@25V	-	250W（温度）
RFP50N06	1.0000	询价	7	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	301			N沟道		60V	50A（温度）	10V	22毫欧@50A，10V	4V@250μA	150nC@20V	±20V	2020pF@25V	-	131W（温度）
RFP45N02L	0.4600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		20V	45A（温度）	5V	22mOhm@45A，5V	2V@250μA	60nC@10V	±10V	1300pF@15V	-	90W（温度）
HUF75339S3	0.2200	询价	7399	哈里斯公司	超场效应晶体管™	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）		TO-262AA	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1,200			N沟道		55V	70A（温度）		12毫欧@70A，10V	4V@250μA	130nC@20V	±20V	2000pF@25V	-	124W（温度）
RLP03N06CLE	0.4500	询价	3	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
茹茹15080	12.6600	询价	301	哈里斯公司	-	大部分	的积极		安装结构	TO-218-1			雪崩		TO-218	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														800V		1.9V@150A	200纳秒	800V时为500μA	-65℃～175℃	150A	-
SK3991	6.1400	询价	986	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-206AF、TO-72-4金属罐	SK399		MOSFET（金属O化物）	360毫W	TO-72	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1	2 个 N 沟道（双）				25V	30毫安		-	-	-		-	-
BDX33DS	1.2800	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2W	TO-220	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	234																									120V	10A						500μA	NPN-达林顿	2.5V@6mA，3A	750 @ 3A、3V	-
HUF75307T3ST136	0.2400	询价	3	哈里斯公司	*	大部分	的积极				HUF75307					-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1
鲁德G1515	1.6600	询价	第674章	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1
IRF151	1.5600	询价	第342章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AE			MOSFET（金属O化物）		TO-204AE	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		60V	40A（温度）	10V	55毫欧@20A，10V	4V@250μA	120nC@10V	±20V	2000pF@25V	-	150W（温度）
IRFP350	3.0400	询价	5008	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247AC	下载					EAR99	8542.39.0001	25			N沟道		400V	16A（温度）	10V	300mOhm@9.6A，10V	4V@250μA	150nC@10V	±20V	2600pF@25V	-	190W（温度）
IGTM20N40	-	询价	9799	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-204AA、TO-3		标准			TO-3	下载					EAR99	8542.39.0001	25				-																				-	400V	20A		-	-		-
鲁尔8100	1.0000	询价	1029	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														1000伏		1.8V@8A	110纳秒	1000V时为25μA	-55℃～175℃	8A	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(1081)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²