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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 场效应管类型 测试条件 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 电压 - 反向 (Vr)(最大) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F IGBT类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) Vce(on)(顶部)@Vge, Ic 开关能量 重力悬浮 Td(开/关)@ 25°C 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化
GSI510 Harris Corporation GSI510 -
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ECAD 5045 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 - 0000.00.0000 100
IRF640S2497 Harris Corporation IRF640S2497 -
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ECAD 2298 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 IRF640 - - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 1 -
RFD20N03SM9A Harris Corporation RFD20N03SM9A 0.7800
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ECAD 4 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) TO-252-3(DPAK) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 30V 20A(温度) 10V 25毫欧@20A,10V 4V@250μA 75nC@20V ±20V 1150pF@25V - 90W(温度)
RFH30N15 Harris Corporation RFH30N15 3.9100
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-218-3隔离片、TO-218AC MOSFET(金属O化物) TO-218隔离 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 150伏 30A(温度) 10V 75毫欧@15A,10V 4V@1mA ±20V 3000pF@25V - 150W(温度)
IRFP351 Harris Corporation IRFP351 2.0300
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ECAD 323 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-247-3 MOSFET(金属O化物) TO-247 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 350伏 16A(温度) 10V 300毫欧@8.9A,10V 4V@250μA 130nC@10V ±20V 2000pF@25V - 180W(温度)
CA3083M96 Harris Corporation CA3083M96 0.5200
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ECAD 6 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 表面贴装 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) CA3083 500毫W 16-SOIC 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 0000.00.0000 第579章 15V 100毫安 10微安 5 NPN 700mV@5mA、50mA 40@50mA,3V 450兆赫
HUF75307D3 Harris Corporation HUF75307D3 0.4700
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ECAD 8 0.00000000 哈里斯公司 超场效应晶体管™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA MOSFET(金属O化物) I-PAK 下载 不符合RoHS标准 EAR99 8541.29.0095 1,800 N沟道 55V 15A(温度) 10V 90毫欧@15A,10V 4V@250μA 20nC@20V ±20V 250pF@25V - 45W(温度)
RFP15N05L Harris Corporation RFP15N05L 0.8500
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ECAD 404 0.00000000 哈里斯公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 EAR99 8541.29.0095 400 N沟道 50V 15A(温度) 5V 140mOhm@15A,5V 2V@250μA ±10V 900pF@25V - 60W(温度)
RURDG1560 Harris Corporation 鲁德G1560 2.0000
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ECAD 第959章 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 1
RURDG3010 Harris Corporation 鲁德G3010 1.0000
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ECAD 7042 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 - 0000.00.0000 1
RHRU10040 Harris Corporation RHRU10040 4.0100
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ECAD 7284 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 安装结构 TO-218-1 标准 TO-218 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 12 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 400V 2.1V@100A 60纳秒 400V时为500μA -65℃~175℃ 100A -
IGTH20N40D Harris Corporation IGTH20N40D 3.2600
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ECAD 248 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 - 通孔 TO-218-3隔离片、TO-218AC 标准 TO-218隔离 下载 不适用 3(168小时) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 1 - - 400V 20A - - -
IGT6D10 Harris Corporation IGT6D10 2.0700
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ECAD 8868 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-204AA 逻辑 75W TO-3 下载 不适用 3(168小时) 供应商未定义 EAR99 0000.00.0000 106 - - 400V 10A 40A 2.7V@15V,10A - -
HGTG20N100D2 Harris Corporation HGTG20N100D2 9.2800
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ECAD 第539章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-247-3 标准 150W TO-247 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 - - 1000伏 34A 100A 4.1V@10V,20A - 163 nC -
HGTH20N50E1D Harris Corporation HGTH20N50E1D 3.4000
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ECAD 325 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-218-3隔离片、TO-218AC 标准 100W TO-218隔离 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 - - 500V 20A 35A 3.2V@20V,35A - 33nC -
HGTG2ON60C3DR Harris Corporation HGTG2ON60C3DR 3.2100
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ECAD 第302章 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 - 不适用 3(168小时) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 1
RFP2P08 Harris Corporation RFP2P08 0.2500
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ECAD 3 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 P沟道 80V 2A(温度) 10V 3.5欧姆@1A,10V 4V@1mA ±20V 150pF@25V - 25W(温度)
IRFR221 Harris Corporation 红外FR221 0.4400
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) TO-252,(D-Pak) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 150伏 4.6A(温度) 10V 800毫欧@2.4A,10V 4V@250μA 18nC@10V ±20V 330pF@25V - 50W(温度)
RUR30120 Harris Corporation RUR30120 -
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ECAD 3263 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 TO-220-2 雪崩 TO-220-2 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 35 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1200伏 2.1V@30A 150纳秒 100μA@1200V -65℃~175℃ 30A -
RURG8080 Harris Corporation 鲁格8080 3.1000
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ECAD 703 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 TO-247-2 雪崩 TO-247-2 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 800V 1.9V@80A 200纳秒 800V时为500μA -65℃~175℃ 80A -
RURP3090 Harris Corporation 鲁普3090 1.5300
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ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 TO-220-2 雪崩 TO-220AC 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 900伏 1.8V@30A 150纳秒 900V时为500μA -65℃~175℃ 30A -
HGT1S15N120C3 Harris Corporation HGT1S15N120C3 3.7100
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ECAD 4 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA 标准 164W I2PAK (TO-262) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 - - 1200伏 35A 120A 3.5V@15V,15A - 100纳克 -
RFP50N05 Harris Corporation RFP50N05 0.9200
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ECAD 30 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 50V 50A(温度) 10V 22毫欧@50A,10V 4V@250nA 160nC@20V ±20V - 132W(温度)
2N5492 Harris Corporation 2N5492 1.0200
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ECAD 7456 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -65°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 50W TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0075 第292章 55V 7A 1毫安 NPN 1V@250mA,2.5A 20 @ 2.5A,4V 800kHz
RURD410 Harris Corporation 鲁德410 0.3900
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ECAD 10 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA 雪崩 I-PAK 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100伏 1V@4A 35纳秒 100V时为500μA -65℃~175℃ 4A -
RFF70N06/3 Harris Corporation RFF70N06/3 51.7600
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ECAD 40 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 RFF70 - - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 -
2N3053 Harris Corporation 2N3053 45.4500
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ECAD 6 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 - 通孔 TO-205AA、TO-5-3金属罐 5W TO-5 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 8 40V 700毫安 - NPN - - -
IRF9622156 Harris Corporation IRF9622156 0.4400
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ECAD 800 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 IRF9622 - - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 800 -
IRF512 Harris Corporation IRF512 0.4600
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 100伏 4.9A(温度) 10V 740毫欧@3.4A,10V 4V@250μA 10V时为7.7nC ±20V 135pF@25V - 43W(温度)
IRFF223 Harris Corporation IRFF223 1.1600
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-205AF 金属罐 MOSFET(金属O化物) TO-205AF (TO-39) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 150伏 3A(温度) 10V 1.2欧姆@2A,10V 4V@250μA 15nC@10V ±20V 450pF@25V - 20W(温度)
  • Daily average RFQ Volume

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  • Standard Product Unit

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    标准产品单位

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