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离散半导体产品（（1081）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IGTM20N40A	2.3100	RFQ	6264	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3		标准			TO-3	下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	100			-																				-	400 v	20 a		-	-		-
A114F	0.3000	RFQ	31	哈里斯公司	-	大部分	过时的		通过洞							下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														50 V		1.3 V @ 1 A	150 µs	2 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	10pf @ 4V，1MHz
MUR3040PT	-	RFQ	3245	哈里斯公司	SwitchMode™	大部分	积极的		通过洞	TO-218-3	MUR30		标准		SOT-93	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	400 v	15a	1.25 V @ 15 A	60 ns	10 µA @ 400 V	-65°C〜175°C
bux31b	3.0900	RFQ	400	哈里斯公司	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1
10n50f1d	-	RFQ	9713	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-					0000.00.0000	169
RF1S9530	1.8700	RFQ	5	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1		P通道		100 v	12A（TC）	10V	300mohm @ 6.5a，10v	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	75W（TC）
HIP2060ase	1.8300	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的				HIP2060		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1												-
2N6760TXV	7.7600	RFQ	437	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-204aa			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	800 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IRFD313	0.8500	RFQ	900	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）			MOSFET （金属 o化物）		4浸，六角	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		350 v	300mA（TC）	10V	5ohm @ 200mA，10v	4V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±20V	135 pf @ 25 V	-	1W（TC）
CA3083M96	0.5200	RFQ	6	哈里斯公司	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	CA3083			500MW	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	579																								15V	100mA						10µA	5 NPN	700mv @ 5mA，50mA	40 @ 50mA，3v	450MHz
GES5816	0.1000	RFQ	16	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜135°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				500兆	TO-92-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	1																								40 V	750 MA						100NA（ICBO）	NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 2mA，2V	120MHz
MUR1615CT	1.0000	RFQ	6127	哈里斯公司	SwitchMode™	管子	过时的		通过洞	TO-220-3			标准		TO-220-3	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	150 v	8a	975 mv @ 8 a	35 ns	5 µA @ 150 V	-65°C〜175°C
IRF823	0.4100	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		450 v	2.2A（TC）	10V	4ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	50W（TC）
rurdg15100	1.4900	RFQ	318	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1
IRFP245	1.5400	RFQ	400	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		250 v	14A（TC）	10V	340MOHM @ 10a，10v	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
RURD3020	2.7200	RFQ	253	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC			雪崩		TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	200 v	30a	1 V @ 30 A	50 ns	30 µA @ 200 V	-55°C 〜175°C
IRFP350	3.0400	RFQ	5008	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载				Ear99	8542.39.0001	25		n通道		400 v	16A（TC）	10V	300MOHM @ 9.6A，10V	4V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	190w（TC）
提示115	-	RFQ	3125	哈里斯公司	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					TO-220-3	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	50																								60 V							2mA	pnp-达灵顿	2.5V @ 8mA，2a	1000 @ 1A，4V	25MHz
RFP15N05L	0.8500	RFQ	404	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	400		n通道		50 V	15A（TC）	5V	140mohm @ 15a，5v	2V @ 250µA		±10V	900 pf @ 25 V	-	60W（TC）
RFM15N05L	-	RFQ	3089	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		50 V	15A（TC）	5V	140MOHM @ 7.5A，5V			±10V	900 pf @ 25 V	-	75W（TC）
HUF753333	0.7600	RFQ	2	哈里斯公司	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	400		n通道		55 v	66A（TC）		16mohm @ 66a，10v	4V @ 250µA	85 NC @ 20 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRFP251	1.8700	RFQ	265	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		150 v	33A（TC）	10V	85mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	120 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	180W（TC）
HGTP10N50E1	1.9400	RFQ	15	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		60 W	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			-																				-	500 v	10 a	17.5 a	3.2V @ 20V，17.5A	-	19 nc	-
RHRU50120	3.4700	RFQ	425	哈里斯公司	-	大部分	积极的		底盘安装	TO-218-1			雪崩		TO-218	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														1200 v		3.2 V @ 50 A	100 ns	500 µA @ 1200 V	-65°C〜175°C	50a	-
RURG5080	-	RFQ	1988	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-247-2			雪崩		TO-247-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														800 v		1.9 V @ 50 A	200 ns	500 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	50a	-
HGTG30N60B3	3.1600	RFQ	16	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		208 w	TO-247	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	450			480V，30a，3ohm，15V																				-	600 v	60 a	220 a	1.9V @ 15V，30a	（500µJ）（在680µJ上）	170 NC	36NS/137NS
HGTG20N60B3	3.3100	RFQ	2	哈里斯公司	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		165 w	TO-247	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	450			480V，20A，10欧姆，15V																				-	600 v	40 a	160 a	2V @ 15V，20A	（475µJ）（在1.05MJ上）	80 NC	-
HUF75309D3	-	RFQ	7897	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	975		n通道		55 v	17a（TC）	-	70mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 20 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	45W（TC）
HRF3205	1.4600	RFQ	6230	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	400		n通道		55 v	100A（TC）	10V	8mohm @ 59a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	175W（TC）
RHRP4120CC	-	RFQ	2053	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			400

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（1081）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²