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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 场效应管类型 | 测试条件 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | IGBT类型 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | Vce(on)(顶部)@Vge, Ic | 开关能量 | 重力悬浮 | Td(开/关)@ 25°C | 电流 - 电极电极电流(最大) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率变化 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | GSI510 | - | ![]() | 5045 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 0000.00.0000 | 100 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF640S2497 | - | ![]() | 2298 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | IRF640 | - | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD20N03SM9A | 0.7800 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | MOSFET(金属O化物) | TO-252-3(DPAK) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 30V | 20A(温度) | 10V | 25毫欧@20A,10V | 4V@250μA | 75nC@20V | ±20V | 1150pF@25V | - | 90W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFH30N15 | 3.9100 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-218-3隔离片、TO-218AC | MOSFET(金属O化物) | TO-218隔离 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 150伏 | 30A(温度) | 10V | 75毫欧@15A,10V | 4V@1mA | ±20V | 3000pF@25V | - | 150W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFP351 | 2.0300 | ![]() | 323 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-247-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-247 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 350伏 | 16A(温度) | 10V | 300毫欧@8.9A,10V | 4V@250μA | 130nC@10V | ±20V | 2000pF@25V | - | 180W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | CA3083M96 | 0.5200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | 150°C(太焦) | 表面贴装 | 16-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) | CA3083 | 500毫W | 16-SOIC | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 0000.00.0000 | 第579章 | 15V | 100毫安 | 10微安 | 5 NPN | 700mV@5mA、50mA | 40@50mA,3V | 450兆赫 | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF75307D3 | 0.4700 | ![]() | 8 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | 超场效应晶体管™ | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA | MOSFET(金属O化物) | I-PAK | 下载 | 不符合RoHS标准 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,800 | N沟道 | 55V | 15A(温度) | 10V | 90毫欧@15A,10V | 4V@250μA | 20nC@20V | ±20V | 250pF@25V | - | 45W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP15N05L | 0.8500 | ![]() | 404 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 管子 | 过时的 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N沟道 | 50V | 15A(温度) | 5V | 140mOhm@15A,5V | 2V@250μA | ±10V | 900pF@25V | - | 60W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 鲁德G1560 | 2.0000 | ![]() | 第959章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 鲁德G3010 | 1.0000 | ![]() | 7042 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RHRU10040 | 4.0100 | ![]() | 7284 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | 安装结构 | TO-218-1 | 标准 | TO-218 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.10.0080 | 12 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 2.1V@100A | 60纳秒 | 400V时为500μA | -65℃~175℃ | 100A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGTH20N40D | 3.2600 | ![]() | 248 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | - | 通孔 | TO-218-3隔离片、TO-218AC | 标准 | TO-218隔离 | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | 400V | 20A | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGT6D10 | 2.0700 | ![]() | 8868 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-204AA | 逻辑 | 75W | TO-3 | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 0000.00.0000 | 106 | - | - | 400V | 10A | 40A | 2.7V@15V,10A | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG20N100D2 | 9.2800 | ![]() | 第539章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-247-3 | 标准 | 150W | TO-247 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 1000伏 | 34A | 100A | 4.1V@10V,20A | - | 163 nC | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTH20N50E1D | 3.4000 | ![]() | 325 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-218-3隔离片、TO-218AC | 标准 | 100W | TO-218隔离 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 500V | 20A | 35A | 3.2V@20V,35A | - | 33nC | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG2ON60C3DR | 3.2100 | ![]() | 第302章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP2P08 | 0.2500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P沟道 | 80V | 2A(温度) | 10V | 3.5欧姆@1A,10V | 4V@1mA | ±20V | 150pF@25V | - | 25W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 红外FR221 | 0.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | MOSFET(金属O化物) | TO-252,(D-Pak) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 150伏 | 4.6A(温度) | 10V | 800毫欧@2.4A,10V | 4V@250μA | 18nC@10V | ±20V | 330pF@25V | - | 50W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | RUR30120 | - | ![]() | 3263 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | 雪崩 | TO-220-2 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 35 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1200伏 | 2.1V@30A | 150纳秒 | 100μA@1200V | -65℃~175℃ | 30A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 鲁格8080 | 3.1000 | ![]() | 703 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | 雪崩 | TO-247-2 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 800V | 1.9V@80A | 200纳秒 | 800V时为500μA | -65℃~175℃ | 80A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 鲁普3090 | 1.5300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | 雪崩 | TO-220AC | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 900伏 | 1.8V@30A | 150纳秒 | 900V时为500μA | -65℃~175℃ | 30A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGT1S15N120C3 | 3.7100 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA | 标准 | 164W | I2PAK (TO-262) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 1200伏 | 35A | 120A | 3.5V@15V,15A | - | 100纳克 | - | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP50N05 | 0.9200 | ![]() | 30 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220AB | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 50V | 50A(温度) | 10V | 22毫欧@50A,10V | 4V@250nA | 160nC@20V | ±20V | - | 132W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5492 | 1.0200 | ![]() | 7456 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | 50W | TO-220-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0075 | 第292章 | 55V | 7A | 1毫安 | NPN | 1V@250mA,2.5A | 20 @ 2.5A,4V | 800kHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 鲁德410 | 0.3900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA | 雪崩 | I-PAK | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 100伏 | 1V@4A | 35纳秒 | 100V时为500μA | -65℃~175℃ | 4A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFF70N06/3 | 51.7600 | ![]() | 40 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | RFF70 | - | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3053 | 45.4500 | ![]() | 6 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | - | 通孔 | TO-205AA、TO-5-3金属罐 | 5W | TO-5 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 8 | 40V | 700毫安 | - | NPN | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF9622156 | 0.4400 | ![]() | 800 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | IRF9622 | - | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 800 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF512 | 0.4600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 100伏 | 4.9A(温度) | 10V | 740毫欧@3.4A,10V | 4V@250μA | 10V时为7.7nC | ±20V | 135pF@25V | - | 43W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFF223 | 1.1600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-205AF 金属罐 | MOSFET(金属O化物) | TO-205AF (TO-39) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 150伏 | 3A(温度) | 10V | 1.2欧姆@2A,10V | 4V@250μA | 15nC@10V | ±20V | 450pF@25V | - | 20W(温度) |
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