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离散半导体产品（（1081）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
HGTP3N60B3	0.5200	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		33.3 w	TO-220	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1			480V，3.5a，82ohm，15V															16 ns					-	600 v	7 a	20 a	2.1V @ 15V，3.5a	66µJ（在）上，88µJ（88µJ）	21 NC	18NS/105NS
BDX33CP2	0.5900	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1
RFP2NO8L	0.2300	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1
HGTP14N0FVLR4600	-	RFQ	9929	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定			1
Igth20N40AD	3.3600	RFQ	444	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准			TO-218隔离	下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1			-																				-	400 v	20 a		-	-		-
IRFPC42	1.4100	RFQ	5	哈里斯公司	Hexfet®	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC（TO-3P）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1		n通道		600 v	5.9a（TC）	10V	1.6OHM @ 3.7A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
HGTH20N50EID	3.4000	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1
Igth20N40D	3.2600	RFQ	248	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准			TO-218隔离	下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1			-																				-	400 v	20 a		-	-		-
HUF761223	1.0000	RFQ	1950年	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定			1
IRF830	1.4600	RFQ	329	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		500 v	4.5A（TC）		1.5OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	32 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	75W（TC）
HGTP20N35F3ULR3935	1.9200	RFQ	800	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1
提示47	-	RFQ	4518	哈里斯公司	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1																								250 v	1 a						1ma	NPN	1V @ 200mA，1a	30 @ 300mA，10v	10MHz
HGTP20N35F3VL	1.9200	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1
RFP2N12	0.4600	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		120 v	2A（TC）	10V	1.75OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA		±20V	200 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IRF121-0001	0.7900	RFQ	500	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1
RFP2N10	0.2900	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		100 v	2A（TC）	10V	1.05OHM @ 2A，5V	4V @ 250µA		±20V	200 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IRFD210	0.9100	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD210		MOSFET （金属 o化物）		4浸，hexdip，hvmdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道		200 v	600mA（TA）	10V	1.5OHM @ 360mA，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	1W（ta）
RF1S9630SM	0.9700	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		P通道		200 v	6.5a	-	-	-		-		-	-
IRFP451	3.6000	RFQ	538	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		450 v	14A（TC）	10V	400MOHM @ 7.9A，10V	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	180W（TC）
IRF723	0.7800	RFQ	79	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		350 v	2.8A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	50W（TC）
RURP3015	-	RFQ	4516	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														150 v		1 V @ 30 A	50 ns	500 µA @ 150 V	-55°C 〜175°C	30a	-
GE1002	-	RFQ	5452	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-204AE			标准		TO-204AE	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1,000	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														100 v		950 MV @ 1 A	35 ns	2 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	1a	45pf @ 4V，1MHz
IRF9542	1.7800	RFQ	497	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	169		P通道		100 v	15A（TC）	10V	300mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	150W（TC）
RURD3090	2.6200	RFQ	119	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			119
HGTG7N60A4D	1.7700	RFQ	269	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		125 w	TO-247	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	450			390V，7a，25ohm，15V															34 ns					-	600 v	34 a	56 a	2.7V @ 15V，7a	55µJ（在）上，60µJ（60µJ）	37 NC	11NS/100NS
D44VM10	0.8200	RFQ	750	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				50 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	1																								80 V	8 a						10µA	NPN	600mv @ 300mA，6a	40 @ 4A，1V	50MHz
D45VM4	-	RFQ	5963	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				50 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0075	21																								45 v	8 a						10µA	PNP	600mv @ 300mA，6a	40 @ 4A，1V	50MHz
BYW51100	0.7600	RFQ	6514	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-3	byw51		标准		TO-220AB	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	100	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	100 v	8a	950 MV @ 8 A	35 ns	5 µA @ 100 V	-40°C〜150°C
rurh3060cc	-	RFQ	9185	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC			雪崩		TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	600 v	30a	1.5 V @ 30 A	60 ns	500 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C
RF1S17N06L	0.6700	RFQ	4	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RF1		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1												-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（1081）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²