分立半导体产品(1081)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
IRF810	0.4600	询价	93	哈里斯公司	*	大部分	的积极				IRF81		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1												-
穆尔3040PT	-	询价	3245	哈里斯公司	切换模式™	大部分	的积极		通孔	TO-218-3	穆尔30		标准		SOT-93	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													1对共轴线	400V	15A	1.25V@15A	60纳秒	400V时为10μA	-65℃～175℃
RFP12N18	1.0600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		180伏	12A（温度）	10V	250mOhm@12A，10V	4V@250μA		±20V	1700pF@25V	-	75W（温度）
IRFD213	0.5900	询价	5	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-HVMDIP	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		250伏	450mA（塔）		2欧姆@270mA，10V	4V@250μA	10V时为8.2nC		140pF@25V	-	-
IRFD110	0.5700	询价	44	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IRFD110		MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸、HVMDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道		100伏	1A（塔）	10V	540mOhm@600mA，10V	4V@250μA	10V时为8.3nC	±20V	180pF@25V	-	1.3W（塔）
IRFR421	0.4100	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252，（D-Pak）	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		450伏	2.5A（温度）	10V	3欧姆@1.3A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±20V	350pF@25V	-	50W（温度）
鲁德G30100	1.3500	询价	360	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1
RHRU50120	3.4700	询价	第425章	哈里斯公司	-	大部分	的积极		安装结构	TO-218-1			雪崩		TO-218	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														1200伏		3.2V@50A	100纳秒	1200V时为500μA	-65℃～175℃	50A	-
IRFD111	-	询价	5736	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸入	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	108		N沟道		80V	1A（温度）	10V	600毫欧@800毫安，10伏	4V@250μA	7nC@10V	±20V	135pF@25V	-	1W（温度）
RFD8P06LE	0.3000	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH旅行	2156-RFD8P06LE-600026			1
IRF830	1.4600	询价	第329章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道		500V	4.5A（温度）		1.5欧姆@2.5A，10V	4V@250μA	32nC@10V	±20V	600pF@25V	-	75W（温度）
鲁德3050	-	询价	5836	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC			雪崩		TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													1对共轴线	500V	30A	1.5V@30A	60纳秒	500V时为30μA	-55℃～175℃
IRF740R	-	询价	8783	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	46		N沟道		400V	10A（温度）	10V	550mOhm@5.2A，10V	4V@250μA	63nC@10V	±20V	1250pF@25V	-	125W（温度）
RHRP8120CC	0.9400	询价	6877	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-3			雪崩		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	57	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													1对共轴线	1200伏	8A	3.2V@8A	65纳秒	100μA@1200V	-65℃～175℃
BD240A	-	询价	3864	哈里斯公司	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				30W	TO-220	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	第253章																								60V	2A						300微安	国民党	700mV@200mA，1A	40@200mA，4V	-
IRFF232	1.0100	询价	第341章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		200V	4.5A（温度）	-	-	-		-		-	25W
鲁德1515	2.3200	询价	5604	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC			雪崩		TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	93	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													1对共轴线	150伏	15A	1.05V@15A	35纳秒	150V时为10μA	-55℃～175℃
HGTD3N60B3	0.5100	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		标准		33.3W	I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			480V，3.5A，82欧姆，15V															16纳秒					-	600伏	7A	20A	2.1V@15V，3.5A	66μJ（开），88μJ（关）	21nC	18纳秒/105纳秒
RF1S17N06L	0.6700	询价	4	哈里斯公司	*	大部分	的积极				射频1S		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1												-
HGT1S12N60B3	1.2600	询价	917	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA		标准		104W	I2PAK (TO-262)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			480V，12A，25欧姆，15V																				-	600伏	27A	110A	2.1V@15V，12A	304μJ（开），250μJ（关）	68 纳克	26纳秒/150纳秒
1N5059	0.1700	询价	7918	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	SOD-57，肥胖			标准		SOD-57	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1,360 人	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)														200V		1.1V@2A	4微秒	5μA@200V	-55℃～175℃	3A	40pF @ 0V、1MHz
HUF75309D3	-	询价	7897	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	第975章		N沟道		55V	17A（温度）	-	70毫欧@17A，10V	4V@250μA	24nC@20V	±20V	350pF@25V	-	45W（温度）
IRF9621	-	询价	4095	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		150伏	3.5A（温度）	10V	1.5欧姆@1.5A，10V	4V@250μA	22nC@10V	±20V	350pF@25V	-	40W（温度）
IRF626	0.5300	询价	997	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		275伏	3.8A（温度）	10V	1.1欧姆@1.4A，10V	4V@250μA	22nC@10V	±20V	340pF@25V	-	40W（温度）
GE1304	-	询价	7724	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	DO-204，缝合			标准		AL-4	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														200V		第975章毫伏@2安	35纳秒	5μA@200V	-65℃～175℃	6A	100pF @ 4V、1MHz
RF1S30P06	-	询价	1602	哈里斯公司	*	大部分	的积极				射频1S		-			-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1												-
IRF9532	0.6700	询价	19号	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		100伏	10A（温度）	10V	400毫欧@6.5A，10V	4V@250μA	45nC@10V	±20V	500pF@25V	-	75W（温度）
RFP45N03L	0.6700	询价	41	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		30V	45A（温度）	5V	22mOhm@45A，5V	2V@250μA	60nC@10V	±10V	1650pF@25V	-	90W（温度）
茹茹5050	3.1900	询价	第580章	哈里斯公司	-	大部分	的积极		安装结构	TO-218-1			雪崩		TO-218	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														500V		1.6V@50A	75纳秒	500V@500μA	-65℃～175℃	50A	-
RHRG5040	2.2700	询价	9833	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-247-2			雪崩		TO-247-2	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	30	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														400V		2.1V@50A	50纳秒	400V时为500μA	-65℃～175℃	50A	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(1081)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²