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离散半导体产品（（1081）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2N6759	1.2000	RFQ	1435	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-204aa		MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	120		n通道	350 v	4.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 3A，10V	4V @ 1mA		±20V	800 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IRFP250S2453	1.6000	RFQ	450	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRFP250	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1											-
RFG40N10LE	1.2200	RFQ	489	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
RURU8040	3.8400	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的		底盘安装	TO-218-1		雪崩		TO-218	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													400 v		1.6 V @ 80 A	85 ns	500 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	80a	-
D45C1	-	RFQ	1238	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			30 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	53																						30 V	4 a	10µA	PNP	500mv @ 100mA，1a	25 @ 1A，1V	40MHz
BUX31	0.2200	RFQ	1197	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3			150 w	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	105																						400 v	8 a	-	NPN	-	8 @ 4a，3v	15MHz
BUX16	3.4500	RFQ	171	哈里斯公司	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
BD751A	1.8000	RFQ	5493	哈里斯公司	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	53
2N5786	20.8900	RFQ	2649	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3			1 w	到39	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																						40 V	3.5 a	100µA	NPN	2V @ 800mA，3.2a	4 @ 3.2a，2V	4MHz
MJH13091	-	RFQ	6164	哈里斯公司	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			125 w	to-3pn	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																						750 v	15 a	500µA	NPN	3V @ 3a，15a	8 @ 10a，3v	-
HUF76113T3ST	0.5500	RFQ	3	哈里斯公司	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达受影响	2156-HUF76113T3ST-600026			1
A115MX24	0.4000	RFQ	76	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞						-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		1.3 V @ 3 A	150 µs	2 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	3a	40pf @ 4V，1MHz
IRFP150	1.5200	RFQ	14	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	500		n通道	100 v	41A（TC）	10V	55mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IRFR1219A	0.3900	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
HUF753443	1.4400	RFQ	4	哈里斯公司	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	210		n通道	55 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	210 NC @ 20 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	285W（TC）
BD242C	1.0000	RFQ	8609	哈里斯公司	BD242C	大部分	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			40 W	TO-220	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	200																						100 v	3 a	300µA	PNP	1.2V @ 600mA，3a	25 @ 1A，4V	-
RURDG30120	-	RFQ	4885	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-247-3		雪崩		TO-247	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	1200 v	30a	2.1 V @ 30 A	150 ns	100 µA @ 1200 V	-65°C〜175°C
2N5879	69.4600	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	175°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			160 w	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	5																						60 V	15 a	500µA（ICBO）	PNP	-	-	4MHz
HC5513BIP	3.9300	RFQ	640	哈里斯公司	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达受影响	2156-HC5513BIP-600026			1
IRFD322	1.5600	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）		MOSFET （金属 o化物）		4浸，六角	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	400 v	400mA（TC）	10V	2.5Ohm @ 250mA，10v	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	455 pf @ 25 V	-	1W（TC）
RFP25N05L	-	RFQ	2796	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	50 V	25A（TC）	4V，5V	47mohm @ 25a，5v	2V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±10V		-	60W（TC）
D40V3121	0.4700	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
RF1S9640SM9A	-	RFQ	5891	哈里斯公司	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达受影响	2156-RF1S9640SM9A-600026			1
IRF9520	0.9600	RFQ	8	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	314		P通道	100 v	6A（TC）		600MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	40W（TC）
RURD820156	0.7800	RFQ	800	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
RURD82093	1.0000	RFQ	3642	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
2N6542	49.8400	RFQ	545	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			100 W	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	7																						300 v	5 a	500µA	NPN	5V @ 1a，5a	12 @ 1.5A，2V	28MHz
RHRP8120S2536	1.2100	RFQ	700	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
A15F	-	RFQ	9008	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	do-204，轴向		标准		Al-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	3	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													50 V		1.2 V @ 3 A	3 µs	200 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	3a	40pf @ 4V，1MHz
MUR3010PT	3.9600	RFQ	109	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-218-3		标准		TO-218	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													100 v					-	30a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（1081）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²