分立半导体产品(1081)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
CA3082F/3	6.8500	询价	3	哈里斯公司	*	大部分	的积极				CA3082				-	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.21.0095	1
D64VS4	6.0100	询价	100	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			195 W	TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0075	1																				350伏	15A	100微安	NPN	1V@2.5A、15A	10@10A，2V	50兆赫
D44Q3	1.0700	询价	36	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			1.67W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1																				175伏	4A	10μA（ICBO）	NPN	1V@200mA，2A	30@200mA，10V	50兆赫
2N6759	1.2000年	询价	第1435章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA		MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	120		N沟道	350伏	4.5A（温度）	10V	1.5欧姆@3A，10V	4V@1mA		±20V	800pF@25V	-	75W（温度）
鲁普1510	0.9600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2		标准		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												100伏	850毫伏@15安	35纳秒	100V时为500μA	-55℃～175℃	15A	-
RFD16N03LSM9A	0.6000	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极								下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1
BUW41	-	询价	8024	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			100W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	8541.29.0075	1																				300伏	8A	100微安	NPN	2V@4A、8A	10 @ 5A，3V	60兆赫
RFP15N12	1.0600	询价	12	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	120V	15A（温度）	10V	150毫欧@7.5A，10V	4V@1mA		±20V	1700pF@25V	-	75W（温度）
2N6293	0.5400	询价	2239	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			40W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	105																				80V	7A	1毫安	NPN	3.5V@3A、7A	30@2A，4V	10兆赫兹
RHRP1590	0.9300	询价	630	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2		雪崩		TO-220AC	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												900伏	3V@15A	70纳秒	900V时为100μA	-65℃～175℃	15A	-
RFP8P06LE	0.2900	询价	4789	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		P沟道	60V	8A（温度）	4.5V、5V	300mOhm@8A，5V	2V@250μA	30nC@10V	±10V	675pF@25V	-	48W（温度）
红外FR222	0.4300	询价	第944章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252，（D-Pak）	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	200V	3.8A（温度）	10V	1.2欧姆@2.4A，10V	4V@250μA	18nC@10V	±20V	330pF@25V	-	50W（温度）
IRFP340	1.3700	询价	1	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		MOSFET（金属O化物）		TO-247AC	下载	不符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0095	500		N沟道	400V	11A（温度）	10V	550mOhm@6.6A，10V	4V@250μA	62nC@10V	±20V	1400pF@25V	-	150W（温度）
IRF841	1.0100	询价	800	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	450伏	8A（温度）	10V	850毫欧@4.4A，10V	4V@250μA	63nC@10V	±20V	1225pF@25V	-	125W（温度）
鲁普815	0.5600	询价	3	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2		雪崩		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												150伏	975毫伏@8安	30纳秒	100 µA @ 150 V	-65℃～175℃	8A	-
鲁德640	0.5600	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		雪崩		I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												400V	1.5V@6A	60纳秒	400V时为100μA	-65℃～175℃	6A	-
MJE13070	0.4900	询价	2202	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			80W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	2																				6V	5A	500μA	NPN	3V@1A、5A	8 @ 3A，5V
RURG3020CCS5001	-	询价	4463	哈里斯公司	*	大部分	的积极								-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.10.0080	1
D64DV5	8.3400	询价	8879	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AE			180W	TO-204AE	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	31																				400V	50A	1毫安	NPN-达林顿	3V@5A、75A	100 @ 20A，5V	-
BUZ21	1.3600	询价	43	哈里斯公司	SIPMOS®	管子	过时的		通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0095	50		N沟道	100伏	21A（温度）		85毫欧@13A，10V	4V@1mA			1300pF@25V	-
毛里求斯890	1.0000	询价	7885	哈里斯公司	*	大部分	的积极								-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.10.0080	1
A14PX276	0.1500	询价	3	哈里斯公司	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.10.0080	1
鲁普810	0.5600	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2		雪崩		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												100伏	975毫伏@8安	30纳秒	100μA@100V	-65℃～175℃	8A	-
GE1104	1.2300	询价	第959章	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	DO-204，缝合		标准		DO-204	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.10.0080	245	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												200V	950毫伏@2安	35纳秒	2μA@200V	-65℃～175℃	2.5A	45pF @ 4V，1MHz
CA3140R1167	1.2400	询价	4	哈里斯公司	*	大部分	的积极				CA3140	-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		0000.00.0000	1											-
鲁德15100	1.0000	询价	3800	哈里斯公司	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义			1
IRFR2209A	0.5100	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极				IRFR2209	-			下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	0000.00.0000	1											-
鲁格3020	2.9100	询价	第575章	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-247-3		雪崩		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												200V	1V@30A	50纳秒	250μA@200V	-65℃～175℃	30A	-
IRF610	-	询价	第1431章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRF610	MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	0000.00.0000	1		N沟道	200V	3.3A（温度）	10V	1.5欧姆@2A，10V	4V@250μA	10V时为8.2nC	±20V	140pF@25V	-	36W（温度）
HUF75309D3S	0.2700	询价	14	哈里斯公司	超场效应晶体管™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TO-252，（D-Pak）	下载	不符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0095	1,800		N沟道	55V	19A（TC）	10V	70毫欧@19A，10V	4V@250μA	24nC@20V	±20V	350pF@25V	-	55W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(1081)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²