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离散半导体产品（（1081）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
RFL1N15L	1.8100	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐		MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	150 v	1A（TC）	5V	1.9OHM @ 1A，5V	2V @ 250µA		±10V	200 pf @ 25 V	-	8.33W（TC）
BD534	0.3300	RFQ	1909年	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			50 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	44																						45 v	8 a	100µA	PNP	800mv @ 600mA，6a	25 @ 2a，2v	-
D44Q3	1.0700	RFQ	36	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			1.67 w	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																						175 v	4 a	10µA（ICBO）	NPN	1V @ 200mA，2a	30 @ 200ma，10v	50MHz
IRFD113	0.6300	RFQ	53	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）		MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	60 V	800mA（TC）	10V	800mohm @ 800mA，10v	4V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	1W（TC）
HA4P5033-5	8.3000	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达受影响	2156-HA4P5033-5-600026			1
2N6542	49.8400	RFQ	545	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			100 W	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	7																						300 v	5 a	500µA	NPN	5V @ 1a，5a	12 @ 1.5A，2V	28MHz
IRFR91109A	0.3600	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的								下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
RFP6P10	0.5300	RFQ	42	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		P通道	100 v	6A（TC）	10V	600mohm @ 6a，10v	4V @ 250µA		±20V	800 pf @ 25 V	-	60W（TC）
RFP6N45	1.6700	RFQ	210	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	210		n通道	450 v	6A（TC）	10V	1.25OHM @ 3A，10V	4V @ 1mA		±20V	1500 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IRFR422	0.4300	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	2.2A（TC）	10V	4ohm @ 1.3A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IRF644	1.8400	RFQ	24	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF644	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道	250 v	14A（TC）	10V	280MOHM @ 8.4a，10V	4V @ 250µA	68 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
GE6062	4.4500	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			125 w	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	68																						450 v	20 a	250µA（ICBO）	npn-达灵顿	2V @ 2a，20a	40 @ 10a，5v	-
IRFD311	0.9300	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）		MOSFET （金属 o化物）		4浸，六角	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	350 v	400mA（TC）	10V	3.6OHM @ 200mA，10v	4V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±20V	135 pf @ 25 V	-	1W（TC）
BD751	1.3800	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的								下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
RURD3070	2.5500	RFQ	225	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
2N6078	-	RFQ	5580	哈里斯公司	-	大部分	积极的	200°C（TJ）	通过洞	TO-213AA，TO-66-2			45 W	到66	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																						250 v	7 a	50µA	NPN	3V @ 1a，5a	12 @ 1.2A，10V
RFP14N06L	0.3600	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IRF610	-	RFQ	1431	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF610	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道	200 v	3.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	140 pf @ 25 V	-	36W（TC）
IRFR222	0.4300	RFQ	944	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	200 v	3.8A（TC）	10V	1.2OHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	50W（TC）
BD750A	1.8000	RFQ	864	哈里斯公司	-	大部分	积极的	200°C（TJ）	通过洞	到204			200 w	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																						120 v	20 a	500µA	PNP	1V @ 500mA，5a	25 @ 5A，2V
2N6491	2.0300	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2N6491		1.8 w	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.49.7080	1																						80 V	15 a	1ma	PNP	3.5V @ 5a，15a	20 @ 5A，4V	5MHz
D72F5T1	-	RFQ	3887	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			1 w	我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	546																						50 V	5 a	1µA（ICBO）	NPN	400mv @ 150mA，3a	70 @ 1A，1V	-
RF1S45N02LSM	0.5100	RFQ	800	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	20 v	45a	-	-	-		-		-	-
RURD3010	2.6100	RFQ	4810	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		雪崩		TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	112	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	100 v	30a	1 V @ 30 A	50 ns	30 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C
RFM12N10	1.0000	RFQ	5559	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	21		n通道	100 v	12A（TC）	10V	200mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA		±20V	850 pf @ 25 V	-	75W（TC）
D45D4	0.5200	RFQ	6098	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			2.1 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	18																						60 V	6 a	10µA	pnp-达灵顿	2V @ 5mA，5a	2000 @ 1A，2V	-
BD239	-	RFQ	4383	哈里斯公司	*	大部分	积极的								下载					Ear99	8541.29.0095	800
RJH6676	2.3200	RFQ	7833	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC			175 w	TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	14																						300 v	15 a	100µA	NPN	1.5V @ 3a，15a	8 @ 15a，3v	50MHz
RUR1510	0.5400	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2		雪崩		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													100 v		1.05 V @ 15 A	35 ns	10 µA @ 150 V	-55°C 〜175°C	15a	-
RURP810	0.5600	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2		雪崩		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													100 v		975 mv @ 8 a	30 ns	100 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	8a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（1081）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²