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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 场效应管类型 电流 - 保持 (Ih)(最大) 测试条件 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 电压 - 关闭状态 当前 - 开启状态 (It (AV))(最大) 可控硅类型 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F IGBT类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) Vce(on)(顶部)@Vge, Ic 开关能量 重力悬浮 Td(开/关)@ 25°C 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化
RFP6P10 Harris Corporation RFP6P10 0.5300
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ECAD 42 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 P沟道 100伏 6A(温度) 10V 600mOhm@6A,10V 4V@250μA ±20V 800pF@25V - 60W(温度)
IRFP341 Harris Corporation IRFP341 1.3500
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ECAD 233 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-247-3 MOSFET(金属O化物) TO-247 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 233 N沟道 350伏 11A(温度) 10V 550mOhm@5.5A,10V 4V@250μA 63nC@10V ±20V 1250pF@25V - 150W(温度)
CA3082F/3 Harris Corporation CA3082F/3 6.8500
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ECAD 3 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 CA3082 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 1
D44Q3 Harris Corporation D44Q3 1.0700
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ECAD 36 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 1.67W TO-220AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 175伏 4A 10μA(ICBO) NPN 1V@200mA,2A 30@200mA,10V 50兆赫
D64VS4 Harris Corporation D64VS4 6.0100
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ECAD 100 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -65°C ~ 200°C(太焦) 通孔 TO-204AA、TO-3 195 W TO-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0075 1 350伏 15A 100微安 NPN 1V@2.5A、15A 10@10A,2V 50兆赫
IRF645 Harris Corporation IRF645 -
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ECAD 3101 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) D2PAK (TO-263) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 265 N沟道 250伏 13A(温度) 10V 340毫欧@8A,10V 4V@250μA 59nC@10V ±20V 1300pF@25V - 125W(温度)
IRF233 Harris Corporation IRF233 -
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ECAD 8436 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-204AA、TO-3 MOSFET(金属O化物) TO-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 150伏 8A(温度) 10V 600mOhm@5A,10V 4V@250μA 30nC@10V ±20V 600pF@25V - 75W(温度)
RFP18N08 Harris Corporation RFP18N08 1.1000
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ECAD 4 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 80V 18A(温度) 10V 100mOhm@9A,10V 4V@1mA ±20V 1700pF@25V - 75W(温度)
MJ15002 Harris Corporation MJ15002 -
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ECAD 5196 0.00000000 哈里斯公司 - 托盘 过时的 -65°C ~ 200°C(太焦) 通孔 TO-204AA、TO-3 200W TO-204 (TO-3) - 不符合RoHS标准 EAR99 8541.29.0095 100 140伏 15A 250μA 国民党 1V@400mA,4A 25@4A,2V 2兆赫兹
IRFD322 Harris Corporation IRFD322 1.5600
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-DIP(0.300英寸,7.62毫米) MOSFET(金属O化物) 4-DIP、六角浸入 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 400V 400mA(温度) 10V 2.5欧姆@250mA,10V 4V@250μA 15nC@10V ±20V 455pF@25V - 1W(温度)
HUF75339P3 Harris Corporation HUF75339P3 0.8300
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ECAD 19号 0.00000000 哈里斯公司 超场效应晶体管™ 管子 过时的 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 EAR99 8541.29.0095 第364章 N沟道 55V 75A(温度) 10V 12毫欧@75A,10V 4V@250μA 130nC@20V ±20V 2000pF@25V - 200W(温度)
HGTP3N60A4 Harris Corporation HGTP3N60A4 1.2900
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ECAD 106 0.00000000 哈里斯公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 标准 70W TO-220-3 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8541.29.0095 800 390V,3A,50欧姆,15V - 600伏 17A 40A 2.7V@15V,3A 37μJ(开),25μJ(关) 21nC 6纳秒/73纳秒
RURD610S Harris Corporation 鲁德610S 0.4400
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ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 标准 TO-252,(D-Pak) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100伏 1V@6A 35纳秒 100μA@100V -65℃~175℃ 6A -
A15B Harris Corporation A15B 0.1800
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ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 结合 标准 结合 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 1 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 200V 1.1V@5A 5微秒 5μA@200V -65℃~175℃ 5A -
A315A Harris Corporation A315A 0.2900
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ECAD 4 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 DO-204,缝合 标准 AL-4 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100伏 950毫伏@3安 35纳秒 100V时为3μA -65℃~175℃ 3A 100pF @ 4V、1MHz
IRF730U Harris Corporation IRF730U 0.5700
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ECAD 3987 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 IRF73 - 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 第417章 -
2N4988 Harris Corporation 2N4988 0.6200
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ECAD 6 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -65°C ~ 125°C(太焦) 通孔 TO-98-3 TO-98 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.30.0080 1 500微安 30V 1A 标准回报率
2N6542 Harris Corporation 2N6542 49.8400
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ECAD 第545章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -65°C ~ 200°C(太焦) 通孔 TO-204AA、TO-3 100W TO-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 7 300伏 5A 500μA NPN 5V@1A、5A 12 @ 1.5A,2V 28兆赫
2N6078 Harris Corporation 2N6078 -
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ECAD 5580 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 200°C(太焦) 通孔 TO-213AA、TO-66-2 45W TO-66 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 250伏 7A 50微安 NPN 3V@1A、5A 12 @ 1.2A,10V
RURDG1590 Harris Corporation 鲁德G1590 1.4700
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ECAD 9546 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 190
TIP50 Harris Corporation 提示50 0.5100
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ECAD 49 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 2W TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 第632章 400V 1A 1毫安 NPN 1V@200mA,1A 30@300mA,10V 10兆赫兹
IRF540P2 Harris Corporation IRF540P2 -
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ECAD 1842年 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 - 0000.00.0000 1
RFP25N05L Harris Corporation RFP25N05L -
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ECAD 2796 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 50V 25A(温度) 4V、5V 47毫欧@25A,5V 2V@250μA 80nC@10V ±10V - 60W(温度)
2N6532 Harris Corporation 2N6532 2.9500
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ECAD 第832章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -65°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 65W TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.29.0095 1 100伏 8A 1毫安 NPN-达林顿 3V@80mA,8A 1000 @ 5A,3V -
HC3-5504B-5 Harris Corporation HC3-5504B-5 6.3000
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ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH旅行 2156-HC3-5504B-5-600026 1
BD750A Harris Corporation BD750A 1.8000
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ECAD 第864章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 200°C(太焦) 通孔 TO-204 200W TO-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 120V 20A 500μA 国民党 1V@500mA,5A 25@5A,2V
RURDG30120 Harris Corporation 鲁德G30120 -
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ECAD 4885 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 TO-247-3 雪崩 TO-247 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 1200伏 30A 2.1V@30A 150纳秒 100μA@1200V -65℃~175℃
HGTP3N60C3 Harris Corporation HGTP3N60C3 0.4800
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ECAD 5 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-220-3 标准 33W TO-220AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 - - 600伏 6A 24A 2V@15V,3A - 17.3nC -
A15F Harris Corporation A15F -
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ECAD 9008 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 DO-204,缝合 标准 AL-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 3 标准恢复 >500ns,>200mA (Io) 50V 1.2V@3A 3微秒 50V时为200μA -65℃~175℃ 3A 40pF @ 4V,1MHz
GE1004 Harris Corporation GE1004 0.5600
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 TO-204AE 标准 TO-204AE 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 950毫伏@1安 35纳秒 2μA@200V -65℃~175℃ 1A 45pF @ 4V,1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库