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离散半导体产品（（1081）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	电流 -反向泄漏 @ @ vr	电流 -io（io）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IRF624	-	RFQ	5103	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	34	n通道		250 v	4.4A（TC）	10V	1.1OHM @ 2.6a，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	50W（TC）
HGTP3N60A4	1.2900	RFQ	106	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	标准		70 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	800		390V，3A，50OHM，15V														-	600 v	17 a	40 a	2.7V @ 15V，3A	（37µJ）（在），25µJ（25µJ）中	21 NC	6NS/73NS
HUF753323	0.8900	RFQ	9	哈里斯公司	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	364	n通道		55 v	60a（TC）	10V	19mohm @ 60a，10v	4V @ 250µA	85 NC @ 20 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	145W（TC）
TIP32A	0.1700	RFQ	8971	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	50																	60 V	3 a											300µA	PNP	1.2V @ 375mA，3a	25 @ 1A，4V	3MHz
IRFU9220	-	RFQ	6149	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	65	P通道		200 v	3.6A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.2a，10v	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	340 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
RFP10P12	1.0600	RFQ	300	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	300	n通道		120 v	10A（TC）	10V	500mohm @ 5A，10V	4V @ 1mA		±20V	1700 PF @ 25 V	-	75W（TC）
GE10022	4.7600	RFQ	161	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AE			250 w	TO-204AE	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1																	240 v	40 a											250µA	npn-达灵顿	2.5V @ 1A，20A	1000 @ 10a，5v	-
IRFP151	-	RFQ	2591	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	102	n通道		60 V	40a（TC）	10V	55mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	180W（TC）
D64VS4	6.0100	RFQ	100	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			195 w	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0075	1																	350 v	15 a											100µA	NPN	1V @ 2.5a，15a	10 @ 10a，2v	50MHz
db1d	0.1800	RFQ	13	哈里斯公司	DB1	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方		标准		br	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1													1.1 V @ 1 A	10 µA @ 400 V	1 a									单相	400 v
DB1B	-	RFQ	2073	哈里斯公司	DB1	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	4平方		标准		br	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	714													1.1 V @ 1 A	10 µA @ 200 V	1 a									单相	200 v
BUW64A	0.6000	RFQ	600	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			50 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0075	600																	90 v	7 a											100µA	NPN	1.5V @ 700mA，7a	30 @ 200ma，2V	200MHz
HGTH20N50C1	6.2900	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC	标准		100 W	TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		-														-	500 v	20 a	35 a	3.2V @ 20V，35a	-	33 NC	-
RFG30P05	2.8100	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	107	P通道		50 V	30A（TC）	10V	65mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 20 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	120W（TC）
RFD20N03SM	0.4000	RFQ	8	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		30 V	20A（TC）	10V	25mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	75 NC @ 20 V	±20V	1150 pf @ 25 V	-	90W（TC）
RFD3N08L	0.3200	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		80 V	3A（TC）	5V	800MOHM @ 1.5A，5V	2.5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±10V		-	30W（TC）
RFG50N05	4.8200	RFQ	145	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		50 V	50A（TC）	10V	22mohm @ 50a，10v	4V @ 250NA	160 NC @ 20 V	±20V		-	132W（TC）
IRF645	-	RFQ	3101	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	265	n通道		250 v	13A（TC）	10V	340MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRF843	1.0000	RFQ	700	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		450 v	7A（TC）	10V	1.1OHM @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1225 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRF9522	0.7600	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	P通道		100 v	5A（TC）	10V	800MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	40W（TC）
RFP7N35	1.0700	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	n通道		350 v	7A（TC）	10V	750MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	1600 pf @ 25 V	-	75W（TC）
2N4125	-	RFQ	5127	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	到92	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	1																	30 V	200 ma											50NA（iCBO）	PNP	400mv @ 5mA，50mA	50 @ 2mA，1V	200MHz
IGT6D20	3.4800	RFQ	146	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3	标准			TO-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		-														-	400 v	32 a		-	-		-
IGT8E21	-	RFQ	2775	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-247-3	标准			TO-247	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		-														-	500 v	32 a		-	-		-
IGT6D21	3.4800	RFQ	209	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3	标准			TO-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		-														-	400 v	32 a		-	-		-
3N187	1.0000	RFQ	3433	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以			330兆	到72	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	1	n通道		20 v							8.5pf @ 15V																6.5 v	5 ma @ 15 V	500 mV @ 50 µA
HGT1S12N60B3D	1.2600	RFQ	400	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	标准		104 w	i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		480V，12a，25ohm，15V														-	600 v	27 a	110 a	2.1V @ 15V，12A	304µJ（在）上，250µJ（OFF）	78 NC	26NS/150NS
HGTG20N50C1D	7.6600	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	标准		75 w	TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		-														-	500 v	26 a	35 a	3.2V @ 20V，35a	-	33 NC	-
IRF9533	0.6400	RFQ	11	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	P通道		80 V	10A（TC）	10V	400mohm @ 6.5a，10v	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IRF9622	0.4400	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1	P通道		200 v	3A（TC）	10V	2.4OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	40W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（1081）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²