分立半导体产品(1081)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
RF1S45N06LESM	0.9700	询价	第843章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		60V	45A	-	-	-		-		-	-
HGTG12N60C3D	4.3900	询价	600	哈里斯公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-247-3		标准		104W	TO-247	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	69				-													42纳秒					-	600伏	24A	96A	2.2V@15V，15A	380μJ（开），900μJ（关）	48nC	-
IGT6D21	3.4800	询价	209	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-204AA、TO-3		标准			TO-3	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1				-																		-	400V	32A		-	-		-
HUF75333S3ST	-	询价	3585	哈里斯公司	超场效应晶体管™	大部分	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK (TO-263)	-	不适用				EAR99	8541.29.0095	800			N沟道		55V	66A（温度）	10V	16毫欧@66A，10V	4V@250μA	85nC@20V	±20V	1300pF@25V	-	150W（温度）
2N6792TX	7.8200	询价	第335章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		400V	2A（温度）	10V	1.8欧姆@1.25A，10V	4V@1mA		±20V	600pF@25V	-	20W（温度）
尖头32B	0.1700	询价	3047	哈里斯公司	-	管子	过时的	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	1,267																							80V	3A						300微安	国民党	1.2V@375mA，3A	10 @ 3A，4V	3兆赫兹
尖头42C	0.3300	询价	907	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2W	TO-220-3	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	907																							100伏	6A						700微安	国民党	1.5V@600mA，6A	15@3A，4V	3兆赫兹
IRFD311	0.9300	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸入	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		350伏	400mA（温度）	10V	3.6欧姆@200mA，10V	4V@250μA	10V时为7.5nC	±20V	135pF@25V	-	1W（温度）
BD535	0.3300	询价	6442	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				50W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	13																							60V	8A						100微安	NPN	800mV@600mA，6A	25 @ 2A、2V	-
IRF9530	1.3500	询价	3	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1			P沟道		100伏	12A（温度）		300mOhm@6.5A，10V	4V@250μA	45nC@10V	±20V	500pF@25V	-	75W（温度）
鲁德415S	0.3600	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			标准		TO-252，（D-Pak）	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													150伏	1V@4A	35纳秒	100 µA @ 150 V	-65℃～175℃	4A	-
TIP32C119	-	询价	3566	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-						0000.00.0000	1
A315F	-	询价	9178	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	DO-204，缝合			标准		AL-4	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	第959章		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													50V	950毫伏@3安	35纳秒	50V时为3μA	-65℃～175℃	3A	100pF @ 4V、1MHz
SK3065	1.7900	询价	295	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-206AF、TO-72-4金属罐	SK306		MOSFET（金属O化物）	330毫W	TO-72	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1	2 个 N 沟道（双）				20V	50毫安		-	-	-		-	-
RF1S9640SM9A	-	询价	5891	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH旅行	2156-RF1S9640SM9A-600026			1
RFG40N10LE	1.2200	询价	第489章	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
2N6033	-	询价	2997	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AE				140W	TO-204AE	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	2																							120V	40A						10毫安	NPN	1V@4A、40A	10 @ 40A，2V
茹茹10040	4.3500	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极		安装结构	TO-218-1			雪崩		TO-218	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													400V	1.6V@100A	100纳秒	400V时为500μA	-65℃～175℃	100A	-
RFP7N35	1.0700	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		350伏	7A（温度）	10V	750毫欧@3.5A，10V	4V@1mA		±20V	1600pF@25V	-	75W（温度）
鲁格5040	4.4300	询价	5	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-247-2			雪崩		TO-247-2	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													400V	1.6V@50A	75纳秒	400V时为500μA	-65℃～175℃	50A	-
IRFR220119	-	询价	2647	哈里斯公司	*	大部分	的积极				红外FR220		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	第675章													-
RHRU501200	3.2000年	询价	120	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1
IRF121	-	询价	4152	哈里斯公司	-	大部分	过时的		安装结构	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-204AA	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	20			N沟道		60V	8A（塔）		-	-				-
2N6969	8.2100	询价	6	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
IRF843	1.0000	询价	700	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		450伏	7A（温度）	10V	1.1欧姆@4.4A，10V	4V@250μA	63nC@10V	±20V	1225pF@25V	-	125W（温度）
HGT1S7N60B3DS	-	询价	2475	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		标准		60W	TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1				480V，7A，50欧姆，15V													37纳秒					-	600伏	14A	56A	2.1V@15V，7A	160μJ（开），120μJ（关）	30纳克	26纳秒/130纳秒
HGT1S12N60B3S	1.4100	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		标准		104W	D2PAK (TO-263)	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1				480V，12A，25欧姆，15V																		-	600伏	27A	110A	2.1V@15V，12A	304μJ（开），250μJ（关）	68 纳克	26纳秒/150纳秒
A115MX24	0.4000	询价	76	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔							-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													600伏	1.3V@3A	150微秒	600V时为2μA	-65℃～175℃	3A	40pF @ 4V，1MHz
HGTP10N40E1	1.0800	询价	5773	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准		60W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	267				-																		-	400V	10A	17.5安	3.2V@20V，17.5A	-	19nC	-
RF1S45N02LSM9A	0.4800	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极									下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	800

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(1081)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²