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离散半导体产品（（1081）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	电压 -偏离状态	（（av）（av））	scr	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IRF740S2515	0.7300	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRF740		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1														-
HC5513IPA02	3.6400	RFQ	192	哈里斯公司	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-HC5513IPA02-600026			1
SK3065	1.7900	RFQ	295	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以	SK306		MOSFET （金属 o化物）	330MW	到72	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1	2 n 通道（双）					20V	50mA		-	-	-		-	-
CA3127ER2323	2.0100	RFQ	6	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	1
CA3045F98	0.7300	RFQ	8789	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				77
IGTP10N40A	0.8000	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-220-3		标准			TO-220	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1					-																					-	400 v	10 a		-	-		-
HGTG12N60C3D	4.3900	RFQ	600	哈里斯公司	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		104 w	TO-247	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	69					-																42 ns					-	600 v	24 a	96 a	2.2V @ 15V，15a	（380µJ）（在900µJ上）	48 NC	-
2N4988	0.6200	RFQ	6	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C〜125°C（TJ）	通过洞	TO-98-3					到98	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.30.0080	1				500 µA												30 V	1 a	标准恢复
RLD03N06CLE	-	RFQ	6772	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
HGTG30N60C3	2.4200	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-274AA		标准		208 w	SUPER-247（TO-274AA）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1					480V，30a，3ohm，15V																					-	600 v	63 a	252 a	1.8V @ 15V，30a	1.05MJ（在）上，2.5MJ off）	250 NC	40NS/320NS
2N6126	0.9800	RFQ	608	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				40 W	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																											80 V	4 a								100µA	PNP	1.4V @ 1A，4A	20 @ 1.5A，2V	2.5MHz
D45D2	-	RFQ	1377年	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2.1 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	448																											40 V	6 a								10µA	pnp-达灵顿	2V @ 5mA，5a	2000 @ 1A，2V	-
RHRG75100	3.5700	RFQ	750	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-247-3			雪崩		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	85		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	1000 v	3 V @ 75 A	100 ns	500 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	75a	-
D44TD4	-	RFQ	2565	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				50 W	TO-220	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	400																											350 v	2 a								100µA	NPN	1V @ 400mA，2a	8 @ 1a，2v	50MHz
RFA100N05E	5.6600	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-218-5			MOSFET （金属 o化物）		TO-218-5	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			50 V	100A（TC）	10V	8mohm @ 100A，10V	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V		-	240W（TC）
RFD4N06L	0.3000	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			60 V	4A（TC）	5V	600MOHM @ 1A，5V	2.5V @ 250µA	8 nc @ 10 V	±10V		-	30W（TC）
IRF121	-	RFQ	4152	哈里斯公司	-	大部分	过时的		底盘安装	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		to-204aa	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	20			n通道			60 V	8a（8a）		-	-				-
IRFBC40R	0.8900	RFQ	2991	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	8			n通道			600 v	6.2A（TC）	10V	1.2OHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
2N6491	2.0300	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	2N6491			1.8 w	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.49.7080	1																											80 V	15 a								1ma	PNP	3.5V @ 5a，15a	20 @ 5A，4V	5MHz
BD750A	1.8000	RFQ	864	哈里斯公司	-	大部分	积极的	200°C（TJ）	通过洞	到204				200 w	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																											120 v	20 a								500µA	PNP	1V @ 500mA，5a	25 @ 5A，2V
DB1P	-	RFQ	4117	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-Edip（0.321英寸，8.15mm）			标准		BR-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	18																				1.1 V @ 1 A		10 µA @ 1000 V		1 a										单相	1 kV
RFP8P06LE	0.2900	RFQ	4789	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			P通道			60 V	8A（TC）	4.5V，5V	300mohm @ 8a，5v	2V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±10V	675 PF @ 25 V	-	48W（TC）
2N6772	-	RFQ	9761	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				40 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	536																											550 v	1 a								100µA	NPN	1V @ 200mA，1a	20 @ 300mA，3v	50MHz
RFD14N05S2515	0.3100	RFQ	1023	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RFD14		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				900														-
RFP15N12	1.0600	RFQ	12	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			120 v	15A（TC）	10V	150MOHM @ 7.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	1700 PF @ 25 V	-	75W（TC）
CA3140R1167	1.2400	RFQ	4	哈里斯公司	*	大部分	积极的				CA3140		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	1														-
3N206	13.8700	RFQ	612	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以			MOSFET		到72	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1	n通道双门
RFD20N03SM9AR4761	0.4100	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RFD20		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	2,500														-
D45D6	-	RFQ	7298	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2.1 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	384																											80 V	6 a								10µA	pnp-达灵顿	2V @ 5mA，5a	2000 @ 1A，2V	-
IRFR9120	0.9800	RFQ	1	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IRFR9120		MOSFET （金属 o化物）		D-pak	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	75			P通道			100 v	5.6A（TC）	10V	600MOHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（1081）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²