分立半导体产品(1081)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	电压 - 输出	场效应管类型	测试条件	电压	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	电压 - 偏移 (Vt)	电流 - 电流至阳极电流 (Igao)	电流 - 谷 (Iv)	当前 - 最高
GES6028	0.2200	询价	8163	哈里斯公司	-	大部分	的积极			TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)						下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1,000		6V			1.5V										300毫W																					1.6V	10纳安	25微安	150纳安
IRFF9132	0.9900	询价	1666	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	19号			P沟道			100伏	5.5A（温度）	10V	400mOhm@3A，10V	4V@250μA	45nC@10V	±20V	500pF@25V	-	25W（温度）
RFD14N06	0.5700	询价	3	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道			60V	14A（温度）	10V	100mOhm@14A，10V	4V@250μA	40nC@20V	±20V	570pF@25V	-	48W（温度）
鲁普3040	1.3600	询价	5	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															400V	1.5V@30A	60纳秒	400V时为500μA	-55℃～175℃	30A	-
HIP2060ASE	1.8300	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极				HIP2060		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1														-
IRFR91209AR3603	-	询价	6928	哈里斯公司	*	大部分	的积极				IRFR9120		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	第499章														-
IRF341	1.4400	询价	3	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道			350伏	10A（温度）	10V	550mOhm@5.2A，10V	4V@250μA	63nC@10V	±20V	1250pF@25V	-	125W（温度）
RUR3080	0.8500	询价	370	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	370	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															800V	1.8V@30A	150纳秒	800V时为100μA	-65℃～175℃	30A	-
HUF76122P3	1.0000	询价	1950年	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	3（168小时）	供应商未定义				1
BD244B	0.1900	询价	2813	哈里斯公司	-	管子	过时的	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				65W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	第271章																								80V	6A						700微安	国民党	1.5V@1A、6A	15@3A，4V	3兆赫兹
CA3045F3159	1.5900	询价	2843	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				100
D40D3	-	询价	8028	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-202 长翼片				1.67W	TO-202AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0075	1																									1A						100纳安	NPN	-	-
提示116	0.2000	询价	8072	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3全包				2W	TO-220F	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	1,200																								80V	2A						2毫安	PNP-达林顿	2.5V@8mA，2A	1000 @ 1A，4V	-
RF1S9630	1.1500	询价	2	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
RF1S530SM9A	0.8800	询价	800	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH旅行	2156-RF1S530SM9A-600026			1
RFP15N08L	0.5700	询价	49	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道			80V	15A（温度）	5V	140mOhm@7.5A，5V	2.5V@1mA	80nC@10V	±10V		-	72W（温度）
IRFU321	-	询价	8903	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道			350伏	3.1A（塔）	10V	1.8欧姆@1.7A，10V	4V@250μA	20nC@10V	±20V	350pF@25V	-	50W（温度）
RFM15N05L	-	询价	3089	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道			50V	15A（温度）	5V	140mOhm@7.5A，5V			±10V	900pF@25V	-	75W（温度）
IRFR9110	0.6500	询价	第554章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		D-PAK (TO-252AA)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1			P沟道			100伏	3.1A（温度）		1.2欧姆@1.9A，10V	4V@250μA	10V时为8.7nC	±20V	200pF@25V	-	2.5W（Ta）、25W（Tc）
IRFU421	0.4000	询价	900	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道			450伏	2.5A（温度）	10V	3欧姆@1.3A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±20V	350pF@25V	-	50W（温度）
RFP2N12	0.4600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道			120V	2A（温度）	10V	1.75欧姆@2A，10V	4V@250μA		±20V	200pF@25V	-	25W（温度）
IRFP352	1.8200	询价	第436章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道			400V	14A（温度）	10V	400毫欧@8.9A，10V	4V@250μA	130nC@10V	±20V	2000pF@25V	-	180W（温度）
2N6475	1.1300	询价	6073	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				40W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	200																								100伏	4A						1毫安	国民党	2.5V@2A、4A	15@1.5A，4V	4兆赫兹
RFD16N05SM9AS2480	0.5300	询价	第975章	哈里斯公司	*	大部分	的积极				RFD16		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1														-
提示48	-	询价	4707	哈里斯公司	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1																								300伏	1A						1毫安	NPN	1V@200mA，1A	30@300mA，10V	10兆赫兹
RFD16N05LSM	1.0000	询价	2354	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	RFD16		MOSFET（金属O化物）		TO-252AA	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	1			N沟道			50V	16A（温度）	4V、5V	47毫欧@16A，5V	2V@250mA	80nC@10V	±10V		-	60W（温度）
RFD16N05L	1.1700	询价	32	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		TO-251AA	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道			50V	16A（温度）	4V、5V	47毫欧@16A，5V	2V@250mA	80nC@10V	±10V		-	60W（温度）
HGTG12N60C3DR	1.0000	询价	2155	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准		104W	TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1				480V，12A，25欧姆，15V														37纳秒					-	600伏	24A	48A	2.2V@15V，12A	400μJ（开），340μJ（关）	71nC	37纳秒/120纳秒
IRFD9113	0.6200	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IRFD9113		MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸、HVMDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1			P沟道			60V	600mA（塔）		1.6欧姆@300mA，10V	-	15nC@15V		250pF@25V	-	-
IRF9620	-	询价	6432	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRF9620		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1			P沟道			200V	3.5A（温度）	10V	1.5欧姆@1.5A，10V	4V@250μA	22nC@10V	±20V	350pF@25V	-	40W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(1081)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²