分立半导体产品(1081)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	噪声系数（dB Typ @ f）
HC5513IPA02	3.6400	询价	192	哈里斯公司	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	供应商未定义	2156-HC5513IPA02-600026			1
IRF712	-	询价	第1466章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		400V	1.7A（温度）	10V	5欧姆@1.1A，10V	4V@250μA	12nC@10V	±20V	135pF@25V	-	36W（温度）
BYW51-200	-	询价	8969	哈里斯公司	-	管子	过时的		通孔	TO-220-3	BYW51	标准		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.10.0080	第352章		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													1对共轴线	200V	10A	850毫伏@8安	35纳秒	15μA@200V	150℃（最高）
RLD03N06CLSM9A	0.5000	询价	2	哈里斯公司	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	2,500人
IRFU9220	-	询价	6149	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		MOSFET（金属O化物）		TO-251AA	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	65			P沟道		200V	3.6A（温度）	10V	1.5欧姆@2.2A，10V	4V@250μA	20nC@10V	±20V	340pF@25V	-	2.5W（Ta）、42W（Tc）
IRFF211	1.1600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐		MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		150伏	2.2A（温度）	10V	1.5欧姆@1.25A，10V	4V@250μA	10V时为7.5nC	±20V	135pF@25V	-	15W（温度）
IRFP150	1.5200	询价	14	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3		MOSFET（金属O化物）		TO-247AC	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	500			N沟道		100伏	41A（温度）	10V	55毫欧@25A，10V	4V@250μA	140nC@10V	±20V	2800pF@25V	-	230W（温度）
2N6126	0.9800	询价	608	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			40W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1																								80V	4A			100微安	国民党	1.4V@1A、4A	20 @ 1.5A，2V	2.5兆赫
IRF542	1.4800	询价	7	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		100伏	25A（温度）	10V	100mOhm@17A，10V	4V@250μA	59nC@10V	±20V	1450pF@25V	-	150W（温度）
IRF731	1.3700	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		350伏	5.5A（温度）	10V	1欧姆@3A，10V	4V@250μA	35nC@10V	±20V	600pF@25V	-	75W（温度）
CA3045FX	-	询价	7149	哈里斯公司	*	大部分	的积极				CA3045				-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	1
BD751	1.3800	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极								下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
GER4007	0.3900	询价	989	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	DO-204，缝合		标准		DO-204	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1		标准恢复 >500ns，>200mA (Io)														1000伏		1.2V@1A	2微秒	1000V时为2μA	-65℃～175℃	1A	15pF@4V，1MHz
2N5871	64.1200	询价	第483章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-204AA、TO-3			115W	TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	5																								60V	7A			-	国民党	-	2.5@4A，20V	4兆赫兹
RFD16N02L	0.4600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1			N沟道		20V	16A（温度）	5V	22毫欧@16A，5V	2V@250μA	60nC@10V	±10V	1300pF@20V	-	90W（温度）
RHRP850	-	询价	1083	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2		雪崩		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														500V		2.1V@8A	35纳秒	500V时为100μA	-65℃～175℃	8A	-
鲁德1570	1.0000	询价	8626	哈里斯公司	*	大部分	的积极								-						0000.00.0000	1
RFG40N10	1.4000	询价	第752章	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3	RFG40	MOSFET（金属O化物）		TO-247-3	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	150			N沟道		100伏	40A（温度）	10V	40毫欧@40A，10V	4V@250μA	300nC@20V	±20V		-	160W（温度）
DB1P	-	询价	4117	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-EDIP (0.321", 8.15mm)		标准		BR-4	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	18																		1.1V@1A		10μA@1000V		1A				单相	1kV
CA3246M	-	询价	1524	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55℃～125℃	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			-	14-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1				-																				-	-				5 NPN		-	3GHz	-
HUF75639S3	1.3400	询价	5	哈里斯公司	超场效应晶体管™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA		MOSFET（金属O化物）		I2PAK (TO-262)	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	224			N沟道		100伏	56A（温度）	10V	25毫欧@56A，10V	4V@250μA	130nC@20V	±20V	2000pF@25V	-	200W（温度）
HUF7554S3S	1.3800	询价	第839章	哈里斯公司	*	大部分	的积极				湖南福林7554	-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1													-
鲁德82093	1.0000	询价	3642	哈里斯公司	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1
2N6491	2.0300	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	2N6491		1.8W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.49.7080	1																								80V	15A			1毫安	国民党	3.5V@5A、15A	20@5A，4V	5兆赫兹
1N5062	0.2400	询价	5	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	SOD-57，肥胖		标准		SOD-57	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1		标准恢复 >500ns，>200mA (Io)														800V		1.1V@2A	4微秒	800V时为5μA	-55℃～175℃	3A	40pF @ 0V、1MHz
IRFP246	1.4800	询价	5	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		275伏	15A（温度）	10V	280毫欧@10A，10V	4V@250μA	59nC@10V	±20V	1300pF@25V	-	150W（温度）
IRF9512	0.5500	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			P沟道		100伏	2.5A（温度）	10V	1.6欧姆@1.5A，10V	4V@250μA	11nC@10V	±20V	180pF@25V	-	20W（温度）
3N206	13.8700	询价	612	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-206AF、TO-72-4金属罐		场效应管		TO-72	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1	N 沟道双感应
IGT6E10	-	询价	3154	哈里斯公司	-	大部分	的积极								下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	78
BD244A	0.4100	询价	4422	哈里斯公司	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			65W	TO-220-3	下载	符合ROHS3标准				EAR99	8541.29.0095	500																								60V	6A			700微安	国民党	1.5V@1A、6A	15@3A，4V	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(1081)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²