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离散半导体产品（（1081）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
HGTP3N60C3	0.4800	RFQ	5	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		33 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			-																				-	600 v	6 a	24 a	2V @ 15V，3A	-	17.3 NC	-
RFH45N05	-	RFQ	5708	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC			MOSFET （金属 o化物）		TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	57		n通道		50 V	45A（TC）	10V	40mohm @ 22.5a，10v	4V @ 1mA		±20V	3000 pf @ 25 V	-	150W（TC）
2N6757	-	RFQ	8728	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		150 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 5A，10V	4V @ 1mA		±20V	800 pf @ 25 V	-	75W（TC）
HFA1115IP	3.0200	RFQ	465	哈里斯公司	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达受影响	2156-HFA1115IP-600026			1
RCA9166A	2.4100	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				250 w	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																								250 v	16 a						1ma	NPN	1V @ 300mA，3a	30 @ 3a，4v	20MHz
提示50	0.5100	RFQ	49	哈里斯公司	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	632																								400 v	1 a						1ma	NPN	1V @ 200mA，1a	30 @ 300mA，10v	10MHz
RCA1A18	0.6400	RFQ	627	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
2N6751	-	RFQ	9949	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204aa				150 w	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	226																								400 v	10 a						100µA	NPN	3V @ 3a，10a	8 @ 5a，3v	60MHz
IRF611	-	RFQ	1930年	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	405		n通道		150 v	3.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	135 pf @ 25 V	-	43W（TC）
IRFR2209A	0.5100	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的				IRFR2209		-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1												-
HGT1S20N35F3VLR4505	1.7600	RFQ	800	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
IRF730U	0.5700	RFQ	3987	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRF73		-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	417												-
BD535	0.3300	RFQ	6442	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				50 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	13																								60 V	8 a						100µA	NPN	800mv @ 600mA，6a	25 @ 2a，2v	-
RHRP660CC	0.8400	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-3			雪崩		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	600 v	6a	2.1 V @ 6 A	35 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜175°C
A14PX276	0.1500	RFQ	3	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1
IRFU320	-	RFQ	4933	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-251AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		400 v	3.1A（TC）		1.8OHM @ 1.9a，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），42W（TC）
2N6033	-	RFQ	2997	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AE				140 w	TO-204AE	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2																								120 v	40 a						10mA	NPN	1V @ 4A，40a	10 @ 40a，2v
2N5871	64.1200	RFQ	483	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3				115 w	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	5																								60 V	7 a						-	PNP	-	2.5 @ 4A，20V	4MHz
RURD860S9A	-	RFQ	5713	哈里斯公司	-	大部分	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			雪崩		TO-252-3（DPAK）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														600 v		1.5 V @ 8 A	70 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	8a	-
IRF9512	0.5500	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		P通道		100 v	2.5A（TC）	10V	1.6OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±20V	180 pf @ 25 V	-	20W（TC）
MJE13070	0.4900	RFQ	2202	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				80 W	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2																								6 V	5 a						500µA	NPN	3V @ 1a，5a	8 @ 3a，5v
BUW41	-	RFQ	8024	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				100 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	1																								300 v	8 a						100µA	NPN	2V @ 4a，8a	10 @ 5A，3V	60MHz
CA3127EX	1.6700	RFQ	597	哈里斯公司	*	大部分	积极的				CA3127					-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1
RURG8050	3.7800	RFQ	931	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-247-2			雪崩		TO-247-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														500 v		1.6 V @ 80 A	85 ns	500 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	80a	-
RURD640	0.5600	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			雪崩		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														400 v		1.5 V @ 6 A	60 ns	100 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	6a	-
D64DV7	19.1900	RFQ	247	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE				180 w	TO-204AE	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																								500 v	50 a						1ma	npn-达灵顿	3V @ 5a，75a	100 @ 20a，5v	-
RURH3010CC	3.3200	RFQ	622	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC			雪崩		TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	100 v	30a	1 V @ 30 A	50 ns	500 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C
D42C1N	0.3300	RFQ	6065	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-						0000.00.0000	411
HGT1S12N60B3DS	1.4100	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		104 w	TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，12a，25ohm，15V																				-	600 v	27 a	110 a	2.1V @ 15V，12A	304µJ（在）上，250µJ（OFF）	78 NC	26NS/150NS
RURG5040	4.4300	RFQ	5	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-247-2			雪崩		TO-247-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														400 v		1.6 V @ 50 A	75 ns	500 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	50a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（1081）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²