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离散半导体产品（（1081）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
IRFF9130	-	RFQ	3675	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载						0000.00.0000	1			n通道		100 v	6.5A（TC）	10V	300MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	25W（TC）
2N6802TXV	-	RFQ	2545	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-						0000.00.0000	8
RF1S25N06	-	RFQ	1196	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道		60 V	25A（TC）	10V	47mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 20 V	±20V	975 PF @ 25 V	-	72W（TC）
RURD1570	1.0000	RFQ	8626	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-						0000.00.0000	1
IRF740S2515	0.7300	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRF740		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1													-
SK3065	1.7900	RFQ	295	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以	SK306		MOSFET （金属 o化物）	330MW	到72	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1	2 n 通道（双）				20V	50mA		-	-	-		-	-
HC5513IPA02	3.6400	RFQ	192	哈里斯公司	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-HC5513IPA02-600026			1
CA3127ER2323	2.0100	RFQ	6	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			0000.00.0000	1
RURD420C	0.3600	RFQ	1006	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	594
IRF643	0.8700	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		150 v	16A（TC）	10V	220MOHM @ 10A，10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	1275 PF @ 25 V	-	125W（TC）
HUF76132S3	1.0000	RFQ	2738	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
IRF84093	-	RFQ	9731	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRF8409					-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				375
IRF542	1.4800	RFQ	7	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		100 v	25A（TC）	10V	100mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 25 V	-	150W（TC）
2N6969	8.2100	RFQ	6	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
RLD03N06CLESM9A	0.5000	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500
RFD14N05LSM9A	-	RFQ	3001	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		50 V	14A（TC）	5V	100mohm @ 14a，5v	2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±10V	670 pf @ 25 V	-	48W（TC）
IRFP362	4.2100	RFQ	173	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		400 v	20A（TC）	10V	250MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	250W（TC）
RF1S45N06LESM	0.9700	RFQ	843	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		60 V	45a	-	-	-		-		-	-
MUR890	1.0000	RFQ	7885	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1
2N6739	1.7300	RFQ	649	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				100 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	174																							350 v	8 a						100µA	NPN	2V @ 4a，8a	10 @ 5A，3V	60MHz
RFP25N06L	2.4100	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		60 V	25A（TC）	5V	85mohm @ 12.5a，5v	2V @ 1mA		±10V	2000 pf @ 25 V	-	75W（TC）
HGTP7N60C3D	-	RFQ	3488	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		60 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1				-													35 ns					-	600 v	14 a	56 a	2V @ 15V，7a	-	38 NC	-
IRF731	1.3700	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		350 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	75W（TC）
RFG75N05E	7.0400	RFQ	18	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		50 V	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	400 NC @ 20 V	±20V		-	240W（TC）
BD535	0.3300	RFQ	6442	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				50 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	13																							60 V	8 a						100µA	NPN	800mv @ 600mA，6a	25 @ 2a，2v	-
IRF611	-	RFQ	1930年	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	405			n通道		150 v	3.3A（TC）	10V	1.5OHM @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	135 pf @ 25 V	-	43W（TC）
RHRG5080	2.6900	RFQ	602	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-247-3			雪崩		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													800 v	3 V @ 50 A	95 ns	500 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	50a	-
2N6895	0.5500	RFQ	8598	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	21			P通道		100 v	1.16a（TC）	10V	3.65OHM @ 740mA，10V	4V @ 250µA		±20V	150 pf @ 25 V	-	8.33W（TC）
IRFR2209A	0.5100	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的				IRFR2209		-			下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1													-
HGTP10N40E1	1.0800	RFQ	5773	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		60 W	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	267				-																		-	400 v	10 a	17.5 a	3.2V @ 20V，17.5A	-	19 nc	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（1081）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²