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离散半导体产品（（1081）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -故障（ v br（br）GSS）	电流 -idss） @ vds（vgs = 0）	电压 -截止（ -vgs Off） @ ID	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2N4125	-	RFQ	5127	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	到92	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1																						30 V	200 MA									50NA（iCBO）	PNP	400mv @ 5mA，50mA	50 @ 2mA，1V	200MHz
IGT6D20	3.4800	RFQ	146	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3		标准			TO-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			-																		-	400 v	32 a		-	-		-
HGT1S12N60B3D	1.2600	RFQ	400	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		标准		104 w	i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			480V，12a，25ohm，15V																		-	600 v	27 a	110 a	2.1V @ 15V，12A	304µJ（在）上，250µJ（OFF）	78 NC	26NS/150NS
3N187	1.0000	RFQ	3433	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-206AF，TO-72-4金属可以				330兆	到72	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1		n通道		20 v							8.5pf @ 15V																		6.5 v	5 ma @ 15 V	500 mV @ 50 µA
A315F	-	RFQ	9178	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	do-204，轴向			标准		Al-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	959	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													50 V	950 mv @ 3 a	35 ns	3 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	3a	100pf @ 4V，1MHz
IRF9533	0.6400	RFQ	11	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		P通道		80 V	10A（TC）	10V	400mohm @ 6.5a，10v	4V @ 250µA	45 NC @ 10 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IRF9543	0.8700	RFQ	430	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		P通道		80 V	15A（TC）	10V	300mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	150W（TC）
IRF843	1.0000	RFQ	700	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		450 v	7A（TC）	10V	1.1OHM @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1225 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IRF9522	0.7600	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		P通道		100 v	5A（TC）	10V	800MOHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRF9622	0.4400	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		P通道		200 v	3A（TC）	10V	2.4OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	40W（TC）
HGT1S7N60B3DS	-	RFQ	2475	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		60 W	TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，7A，50OHM，15V													37 ns					-	600 v	14 a	56 a	2.1V @ 15V，7a	160µJ（在）上，120µJ（120µJ）	30 NC	26NS/130NS
BUZ21	1.3600	RFQ	43	哈里斯公司	Sipmos®	管子	过时的		通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	21a（TC）		85MOHM @ 13A，10V	4V @ 1mA			1300 pf @ 25 V	-
IGTM10N50A	1.6000	RFQ	484	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3		标准			TO-3	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1			-																		-	500 v	10 a		-	-		-
2N6739	1.7300	RFQ	649	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				100 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	174																						350 v	8 a									100µA	NPN	2V @ 4a，8a	10 @ 5A，3V	60MHz
HC3-5504B-5	6.3000	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达受影响	2156-HC3-5504B-5-600026			1
HGTP20N60C3R	4.5300	RFQ	79	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		164 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			480V，20A，10欧姆，15V													24 ns					-	600 v	45 a	300 a	1.8V @ 15V，20A	（500µJ）（500µJ），500µJ（（）	122 NC	28NS/151NS
提示111	0.2500	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示111			2 w	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																						80 V	2 a									2mA	npn-达灵顿	2.5V @ 8mA，2a	1000 @ 1A，4V	-
IRFR2209AS2463	0.5100	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRFR2209		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1												-
RURD420C	0.3600	RFQ	1006	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	594
2N6969	8.2100	RFQ	6	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
RFD14N05LSM9A	-	RFQ	3001	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		50 V	14A（TC）	5V	100mohm @ 14a，5v	2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±10V	670 pf @ 25 V	-	48W（TC）
RLD03N06CLESM9A	0.5000	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500
IRFP362	4.2100	RFQ	173	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		400 v	20A（TC）	10V	250MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	250W（TC）
RF1S45N06LESM	0.9700	RFQ	843	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		60 V	45a	-	-	-		-		-	-
HGTP15N40C1	2.9100	RFQ	368	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		75 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			-																		-	400 v	15 a	35 a	3.2V @ 20V，35a	-	33 NC	-
D64DV5	8.3400	RFQ	8879	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE				180 w	TO-204AE	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	31																						400 v	50 a									1ma	npn-达灵顿	3V @ 5a，75a	100 @ 20a，5v	-
RHRG5080	2.6900	RFQ	602	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-247-3			雪崩		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													800 v	3 V @ 50 A	95 ns	500 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	50a	-
2N6895	0.5500	RFQ	8598	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	21		P通道		100 v	1.16a（TC）	10V	3.65OHM @ 740mA，10V	4V @ 250µA		±20V	150 pf @ 25 V	-	8.33W（TC）
RF1S40N10LE	1.4200	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RF1		-			-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1												-
HGTP10N40E1	1.0800	RFQ	5773	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		60 W	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	267			-																		-	400 v	10 a	17.5 a	3.2V @ 20V，17.5A	-	19 nc	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（1081）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²