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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 场效应管类型 测试条件 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F IGBT类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) Vce(on)(顶部)@Vge, Ic 开关能量 重力悬浮 Td(开/关)@ 25°C 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) 电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0) 电压 - 暂时(VGS 关闭)@ Id 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化
IRF9543 Harris Corporation IRF9543 0.8700
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ECAD 第430章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 P沟道 80V 15A(温度) 10V 300mOhm@10A,10V 4V@250μA 90nC@10V ±20V 1100pF@25V - 150W(温度)
HGTP7N60C3D Harris Corporation HGTP7N60C3D -
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ECAD 3488 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-220-3 标准 60W TO-220AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH 不出行 EAR99 0000.00.0000 1 - 35纳秒 - 600伏 14A 56A 2V@15V,7A - 38nC -
HUF76113T3ST Harris Corporation HUF76113T3ST 0.5500
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ECAD 3 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH旅行 2156-HUF76113T3ST-600026 1
RFG50N05 Harris Corporation RFG50N05 4.8200
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ECAD 145 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-247-3 MOSFET(金属O化物) TO-247 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 50V 50A(温度) 10V 22毫欧@50A,10V 4V@250nA 160nC@20V ±20V - 132W(温度)
D44TD3 Harris Corporation D44TD3 0.6000
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ECAD 4 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 50W TO-220 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.29.0075 503 300伏 2A 100微安 NPN 1V@400mA,2A 8 @ 1A,2V 50兆赫
GE10020 Harris Corporation GE10020 4.7600
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ECAD 107 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -65°C ~ 200°C(太焦) 通孔 TO-204AE 250W TO-204AE 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 300伏 60A 250μA NPN-达林顿 2.4V@1.2A,30A 600@15A,5V -
RFD20N03SM9AR4761 Harris Corporation RFD20N03SM9AR4761 0.4100
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ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 RFD20 - - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 2,500人 -
D44D1 Harris Corporation D44D1 -
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ECAD 5613 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 2.1W TO-220 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.29.0095 第441章 40V 6A 10微安 NPN-达林顿 1.5V@3mA,3A 2000 @ 1A,2V -
RURD1510 Harris Corporation 鲁德1510 2.1900
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ECAD 第474章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 TO-218-3隔离片、TO-218AC 雪崩 TO-218隔离 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 15A 1.05V@15A 35纳秒 10μA@100V -55℃~175℃
IGTP10N40 Harris Corporation IGTP10N40 0.7800
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ECAD 第934章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 - 通孔 TO-220-3 标准 TO-220AB 下载 不适用 3(168小时) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 1 - - 400V 10A - - -
IRF353 Harris Corporation IRF353 4.3000
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ECAD 第460章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-204AA、TO-3 MOSFET(金属O化物) TO-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 350伏 13A(温度) 10V 400mOhm@8A,10V 4V@250μA 120nC@10V ±20V 2000pF@25V - 150W(温度)
D44E2 Harris Corporation D44E2 1.0800
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ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 1.67W TO-220 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 278 60V 10A 10微安 NPN-达林顿 2V@20mA,10A 1000 @ 5A、5V -
RFD3055SM9AS2479 Harris Corporation RFD3055SM9AS2479 1.0000
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ECAD 4241 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 RFD3055 - - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 2,500人 -
3N187 Harris Corporation 3N187 1.0000
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ECAD 3433 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -65°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-206AF、TO-72-4金属罐 330毫W TO-72 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 1 N沟道 20V 8.5pF@15V 6.5V 5毫安@15伏 500 mV @ 50 µA
RCA3055 Harris Corporation RCA3055 -
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ECAD 3222 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -65°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 75W TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 60V 15A 700微安 NPN 1.1V@400mA,4A 20 @ 4A、4V
RFG45N06LE Harris Corporation RFG45N06LE 0.8100
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ECAD 4339 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-247-3 MOSFET(金属O化物) TO-247 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 0000.00.0000 300 N沟道 60V 45A(温度) 5V 28毫欧@45A,5V 2V@250μA 135nC@10V ±10V 2150pF@25V - 142W(温度)
RURP1620CC Harris Corporation 鲁普1620CC 0.4500
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 1
HGTG15N120C3 Harris Corporation HGTG15N120C3 3.9800
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ECAD 第577章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-247-3 标准 164W TO-247 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 - - 1200伏 35A 120A 3.5V@15V,15A - 100纳克 -
RURD860S9A Harris Corporation 鲁德860S9A -
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ECAD 5713 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 雪崩 TO-252-3(DPAK) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.5V@8A 70纳秒 100 µA @ 600 V -65℃~175℃ 8A -
CA3127ER2489 Harris Corporation CA3127ER2489 0.9400
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ECAD 500 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 1
HGT1S20N60B3S Harris Corporation HGT1S20N60B3S 3.0200
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ECAD 第635章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 - 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB 标准 TO-263AB 下载 不符合RoHS标准 3(168小时) REACH 不出行 EAR99 0000.00.0000 1 - - 600伏 40A - - -
HG24N60D1D Harris Corporation HG24N60D1D 5.2100
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ECAD 第479章 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 - 不适用 3(168小时) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 1
IRFR91109A Harris Corporation IRFR91109A 0.3600
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ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8542.39.0001 1
D45D4 Harris Corporation D45D4 0.5200
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ECAD 6098 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 2.1W TO-220 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.29.0095 18 60V 6A 10微安 PNP-达林顿 2V@5mA,5A 2000 @ 1A,2V -
RFD4N06L Harris Corporation RFD4N06L 0.3000
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA MOSFET(金属O化物) 爱帕克 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 60V 4A(温度) 5V 600mOhm@1A,5V 2.5V@250μA 8nC@10V ±10V - 30W(温度)
RUR3040 Harris Corporation RUR3040 -
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ECAD 6765 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 TO-220-2 雪崩 TO-220AC 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 400V 1.5V@30A 60纳秒 400V时为30μA -55℃~175℃ 30A -
RURG8050 Harris Corporation 鲁格8050 3.7800
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ECAD 931 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 TO-247-2 雪崩 TO-247-2 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 500V 1.6V@80A 85纳秒 500V@500μA -65℃~175℃ 80A -
HGTP3N60C3 Harris Corporation HGTP3N60C3 0.4800
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ECAD 5 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-220-3 标准 33W TO-220AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 - - 600伏 6A 24A 2V@15V,3A - 17.3nC -
RFP25N05L Harris Corporation RFP25N05L -
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ECAD 2796 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 50V 25A(温度) 4V、5V 47毫欧@25A,5V 2V@250μA 80nC@10V ±10V - 60W(温度)
IRFF321 Harris Corporation IRFF321 1.0000
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ECAD 6981 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-205AF 金属罐 MOSFET(金属O化物) TO-205AF (TO-39) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 350伏 2.5A(温度) 10V 1.8欧姆@1.25A,10V 4V@250μA 15nC@10V 20V 450pF@25V - 20W(温度)
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