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参考图片 | 产品编号 | 价格(美元) | 数量 | 电子计算机辅助设计 | 可用数量 | 重量(公斤) | 制造商 | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 基本产品编号 | 输入类型 | 技术 | 功率-最大 | 供应商设备包 | 数据表 | RoHS 状态 | 敏感湿度等级(MSL) | REACH状态 | 其他名称 | 电子通讯网络 | 高温SUS | 标准套餐 | 速度 | 场效应管类型 | 测试条件 | 漏源电压 (Vdss) | 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C | 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) | Rds On(最大)@Id、Vgs | Vgs(th)(顶部)@Id | 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs | Vgs(最大) | 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds | 场效应管特性 | 消耗(最大) | 分散配置 | 电压 - 反向 (Vr)(最大) | 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) | 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If | 反向恢复T (trr) | 电流 - 反向电流@Vr | 工作温度 - 结 | 当前 - 平均调整 (Io) | 电容@Vr, F | IGBT类型 | 电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 集电极电流(Ic)(最大) | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | Vce(on)(顶部)@Vge, Ic | 开关能量 | 重力悬浮 | Td(开/关)@ 25°C | 电压 - 击穿 (V(BR)GSS) | 电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 电压 - 暂时(VGS 关闭)@ Id | 电流 - 电极电极电流(最大) | 晶体管类型 | Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic | 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce | 频率变化 |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | IRF9543 | 0.8700 | ![]() | 第430章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | P沟道 | 80V | 15A(温度) | 10V | 300mOhm@10A,10V | 4V@250μA | 90nC@10V | ±20V | 1100pF@25V | - | 150W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTP7N60C3D | - | ![]() | 3488 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | 标准 | 60W | TO-220AB | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH 不出行 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | - | 35纳秒 | - | 600伏 | 14A | 56A | 2V@15V,7A | - | 38nC | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HUF76113T3ST | 0.5500 | ![]() | 3 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | 下载 | 供应商未定义 | REACH旅行 | 2156-HUF76113T3ST-600026 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFG50N05 | 4.8200 | ![]() | 145 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-247 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 50V | 50A(温度) | 10V | 22毫欧@50A,10V | 4V@250nA | 160nC@20V | ±20V | - | 132W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D44TD3 | 0.6000 | ![]() | 4 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | 50W | TO-220 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.29.0075 | 503 | 300伏 | 2A | 100微安 | NPN | 1V@400mA,2A | 8 @ 1A,2V | 50兆赫 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | GE10020 | 4.7600 | ![]() | 107 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 200°C(太焦) | 通孔 | TO-204AE | 250W | TO-204AE | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 300伏 | 60A | 250μA | NPN-达林顿 | 2.4V@1.2A,30A | 600@15A,5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD20N03SM9AR4761 | 0.4100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | RFD20 | - | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D44D1 | - | ![]() | 5613 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | 2.1W | TO-220 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 第441章 | 40V | 6A | 10微安 | NPN-达林顿 | 1.5V@3mA,3A | 2000 @ 1A,2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 鲁德1510 | 2.1900 | ![]() | 第474章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | TO-218-3隔离片、TO-218AC | 雪崩 | TO-218隔离 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 1对共轴线 | 100伏 | 15A | 1.05V@15A | 35纳秒 | 10μA@100V | -55℃~175℃ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IGTP10N40 | 0.7800 | ![]() | 第934章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | - | 通孔 | TO-220-3 | 标准 | TO-220AB | 下载 | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | 400V | 10A | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRF353 | 4.3000 | ![]() | 第460章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-204AA、TO-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 350伏 | 13A(温度) | 10V | 400mOhm@8A,10V | 4V@250μA | 120nC@10V | ±20V | 2000pF@25V | - | 150W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D44E2 | 1.0800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | 1.67W | TO-220 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 278 | 60V | 10A | 10微安 | NPN-达林顿 | 2V@20mA,10A | 1000 @ 5A、5V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD3055SM9AS2479 | 1.0000 | ![]() | 4241 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | RFD3055 | - | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 2,500人 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 3N187 | 1.0000 | ![]() | 3433 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-206AF、TO-72-4金属罐 | 330毫W | TO-72 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | N沟道 | 20V | 8.5pF@15V | 6.5V | 5毫安@15伏 | 500 mV @ 50 µA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RCA3055 | - | ![]() | 3222 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -65°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | 75W | TO-220-3 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 60V | 15A | 700微安 | NPN | 1.1V@400mA,4A | 20 @ 4A、4V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFG45N06LE | 0.8100 | ![]() | 4339 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-247-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-247 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 0000.00.0000 | 300 | N沟道 | 60V | 45A(温度) | 5V | 28毫欧@45A,5V | 2V@250μA | 135nC@10V | ±10V | 2150pF@25V | - | 142W(温度) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 鲁普1620CC | 0.4500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTG15N120C3 | 3.9800 | ![]() | 第577章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-247-3 | 标准 | 164W | TO-247 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 1200伏 | 35A | 120A | 3.5V@15V,15A | - | 100纳克 | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 鲁德860S9A | - | ![]() | 5713 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | 表面贴装 | TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 | 雪崩 | TO-252-3(DPAK) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 600伏 | 1.5V@8A | 70纳秒 | 100 µA @ 600 V | -65℃~175℃ | 8A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CA3127ER2489 | 0.9400 | ![]() | 500 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGT1S20N60B3S | 3.0200 | ![]() | 第635章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | - | 表面贴装 | TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB | 标准 | TO-263AB | 下载 | 不符合RoHS标准 | 3(168小时) | REACH 不出行 | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | - | - | 600伏 | 40A | - | - | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HG24N60D1D | 5.2100 | ![]() | 第479章 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | * | 大部分 | 的积极 | - | 不适用 | 3(168小时) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFR91109A | 0.3600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | 下载 | 不适用 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8542.39.0001 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | D45D4 | 0.5200 | ![]() | 6098 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | 2.1W | TO-220 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.29.0095 | 18 | 60V | 6A | 10微安 | PNP-达林顿 | 2V@5mA,5A | 2000 @ 1A,2V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFD4N06L | 0.3000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 175°C (TJ) | 通孔 | TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA | MOSFET(金属O化物) | 爱帕克 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 60V | 4A(温度) | 5V | 600mOhm@1A,5V | 2.5V@250μA | 8nC@10V | ±10V | - | 30W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RUR3040 | - | ![]() | 6765 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | TO-220-2 | 雪崩 | TO-220AC | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | REACH旅行 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 400V | 1.5V@30A | 60纳秒 | 400V时为30μA | -55℃~175℃ | 30A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 鲁格8050 | 3.7800 | ![]() | 931 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | 通孔 | TO-247-2 | 雪崩 | TO-247-2 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) | 500V | 1.6V@80A | 85纳秒 | 500V@500μA | -65℃~175℃ | 80A | - | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | HGTP3N60C3 | 0.4800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -40°C ~ 150°C (TJ) | 通孔 | TO-220-3 | 标准 | 33W | TO-220AB | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | 600伏 | 6A | 24A | 2V@15V,3A | - | 17.3nC | - | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | RFP25N05L | - | ![]() | 2796 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-220-3 | MOSFET(金属O化物) | TO-220 | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 50V | 25A(温度) | 4V、5V | 47毫欧@25A,5V | 2V@250μA | 80nC@10V | ±10V | - | 60W(温度) | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | IRFF321 | 1.0000 | ![]() | 6981 | 0.00000000 | 哈里斯公司 | - | 大部分 | 的积极 | -55°C ~ 150°C(太焦) | 通孔 | TO-205AF 金属罐 | MOSFET(金属O化物) | TO-205AF (TO-39) | 下载 | 不符合RoHS标准 | 1(无限制) | 供应商未定义 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N沟道 | 350伏 | 2.5A(温度) | 10V | 1.8欧姆@1.25A,10V | 4V@250μA | 15nC@10V | 20V | 450pF@25V | - | 20W(温度) |
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