分立半导体产品(1081)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
1580卢比	0.5500	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													800V	1.8V@15A	125纳秒	800V时为100μA	-65℃～175℃	15A	-
HGTH20N50C1	6.2900	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC		标准		100W	TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			-																		-	500V	20A	35A	3.2V@20V，35A	-	33nC	-
RFD20N03SM	0.4000	询价	8	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		30V	20A（温度）	10V	25毫欧@20A，10V	4V@250μA	75nC@20V	±20V	1150pF@25V	-	90W（温度）
IGT8E21	-	询价	2775	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-247-3		标准			TO-247	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			-																		-	500V	32A		-	-		-
HGT1S12N60B3D	1.2600	询价	400	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA		标准		104W	I2PAK (TO-262)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			480V，12A，25欧姆，15V																		-	600伏	27A	110A	2.1V@15V，12A	304μJ（开），250μJ（关）	78 纳克	26纳秒/150纳秒
HGTP6N40EID	0.7100	询价	800	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	3（168小时）	供应商未定义			0000.00.0000	1
RF1S25N06	-	询价	1196	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）		I2PAK (TO-262)	下载					EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		60V	25A（温度）	10V	47毫欧@25A，10V	4V@250μA	80nC@20V	±20V	975pF@25V	-	72W（温度）
IRFF222	1.0000	询价	3948	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		200V	3A（温度）	10V	1.2欧姆@2A，10V	4V@250μA	15nC@10V	±20V	450pF@25V	-	20W（温度）
D40V3121	0.4700	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1
IRF9520	0.9600	询价	8	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	314		P沟道		100伏	6A（温度）		600毫欧@3.5A，10V	4V@250μA	22nC@10V	±20V	300pF@25V	-	40W（温度）
BD538	0.4100	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH旅行	2156-BD538-600026			1
IRF611	-	询价	1930年	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	405		N沟道		150伏	3.3A（温度）	10V	1.5欧姆@1.6A，10V	4V@250μA	10V时为8.2nC	±20V	135pF@25V	-	43W（温度）
RCA9166A	2.4100	询价	3	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3				250W	TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1																						250伏	16A								1毫安	NPN	1V@300mA，3A	30@3A，4V	20兆赫兹
BFT19	0.4600	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-205AD、TO-39-3金属罐				1W	TO-205AD	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1																						200V	1A								100μA（ICBO）	国民党	2.5V@3mA、30mA	25@5mA，10V	-
穆尔815	0.5600	询价	4	哈里斯公司	切换模式™	管子	过时的		通孔	TO-220-2			标准		TO-220-2	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													150伏	975毫伏@8安	35纳秒	150V时为5μA	-65℃～175℃	8A	-
HGTG20N50C1D	7.6600	询价	3	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准		75W	TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			-																		-	500V	26A	35A	3.2V@20V，35A	-	33nC	-
2N6772	-	询价	9761	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				40W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0075	第536章																						550伏	1A								100微安	NPN	1V@200mA，1A	20@300mA，3V	50兆赫
RLD03N06CLE	-	询价	6772	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
茹茹5080	-	询价	第1556章	哈里斯公司	-	大部分	的积极		安装结构	TO-218-1			雪崩		TO-218	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	2	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													800V	1.9V@50A	200纳秒	800V时为500μA	-65℃～175℃	50A	-
毛里求斯840	0.5900	询价	1	哈里斯公司	切换模式™	管子	过时的		通孔	TO-220-2	穆尔84		标准		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													400V	1.3V@8A	60纳秒	400V时为10μA	-65℃～175℃	8A	-
RFD3055RLSM9A	0.4400	询价	7327	哈里斯公司	*	大部分	的积极				RFD3055		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				590												-
DB1D	0.1800	询价	13	哈里斯公司	数据库1	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	安装结构	4广场，BR			标准		BR	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1															1.1V@1A		400V时为10μA		1A										单相	400V
RFP45N06LE	0.7000	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		60V	45A（温度）	5V	28毫欧@45A，5V	2V@250μA	135nC@10V	±10V	2150pF@25V	-	142W（温度）
D64DV7	1900年19月	询价	第247章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AE				180W	TO-204AE	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1																						500V	50A								1毫安	NPN-达林顿	3V@5A、75A	100 @ 20A，5V	-
GE10022	4.7600	询价	161	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AE				250W	TO-204AE	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1																						240伏	40A								250μA	NPN-达林顿	2.5V@1A、20A	1000 @ 10A，5V	-
HGT1S15N120C3S	4.0200	询价	695	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		标准		164W	TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			-																		-	1200伏	35A	120A	3.5V@15V，15A	-	100纳克	-
RF1S50N06	1.0400	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）		I2PAK (TO-262)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道		60V	50A（温度）	10V	22毫欧@50A，10V	4V@250μA	150nC@20V	±20V	2020pF@25V	-	131W（温度）
HUF76121S3	0.4400	询价	3	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
RFL1N15L	1.8100	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		150伏	1A（温度）	5V	1.9欧姆@1A，5V	2V@250μA		±10V	200pF@25V	-	8.33W（温度）
HC5513IPA02	3.6400	询价	192	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	供应商未定义	2156-HC5513IPA02-600026			1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(1081)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²