分立半导体产品(1081)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
IRFF9232	1.5000	询价	第582章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		200V	3.5A（温度）	-	-	-		-		-	25W
RFD3N08LSM9A	0.3300	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		80V	3A（温度）	5V	800mOhm@3A、5V	2.5V@250μA	10V时为8.5nC	±10V	125pF@25V	-	30W（温度）
D44D4	-	询价	7267	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2.1W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	8541.29.0095	91																						60V	6A						10微安	NPN-达林顿	1.5V@5mA，5A	2000 @ 1A，2V	-
MJE16002	1.0400	询价	9	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				80W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1																						6V	5A						250μA	NPN	1V@200mA，1.5A	5@5A、5V	-
RF1S30P06SM	-	询价	8263	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		60V	30A	-	-	-		-		-	-
A14F	0.1800	询价	17号	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	DO-204，缝合			标准		DO-204	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.10.0080	1	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)													50V	1.2V@1A	2微秒	50V时为200μA	-65℃～175℃	1A	15pF@4V，1MHz
RF1S30N06LE	0.7300	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极				射频1S		-			-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	0000.00.0000	1												-
HGTH20N50E1	3.1400	询价	第287章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC		标准		100W	TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1			-																		-	500V	20A	35A	3.2V@20V，35A	-	33nC	-
尖头42A	0.3900	询价	第847章	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0095	第847章																						60V	6A						700微安	国民党	1.5V@600mA，6A	15@3A，4V	-
CA3250F	0.9100	询价	第656章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55℃～125℃	通孔	18-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）	CA3250			750毫W	18-CERDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.21.0095	1																						16V	100毫安						10微安	8 NPN	800mV@5mA、50mA	40@50mA，3V	-
IRFF9131	-	询价	5615	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	32		P沟道		80V	6.5A（温度）	10V	300mOhm@3A，10V	4V@250μA	45nC@10V	±20V	500pF@25V	-	25W（温度）
HGT1S3N60C3DS	0.8500	询价	第585章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		标准			TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1			-																		-	600伏	6A		-	-		-
2N6767	4.1400	询价	3274	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	9		N沟道		350伏	12A（温度）	10V	400毫欧@7.75A，10V	4V@1mA		±20V	3000pF@25V	-	150W（温度）
HGTP15N40C1	2.9100	询价	第368章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准		75W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1			-																		-	400V	15A	35A	3.2V@20V，35A	-	33nC	-
2N6895	0.5500	询价	8598	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	21		P沟道		100伏	1.16A（温度）	10V	3.65欧姆@740mA，10V	4V@250μA		±20V	150pF@25V	-	8.33W（温度）
RF1S40N10LE	1.4200	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极				射频1S		-			-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	0000.00.0000	1												-
IRFU322	0.3600	询价	898	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	898		N沟道		400V	2.6A（塔）	10V	2.5欧姆@1.7A，10V	4V@250μA	20nC@10V	±20V	350pF@25V	-	50W（温度）
红外FR420	0.8800	询价	第779章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	红外FR420		MOSFET（金属O化物）		D-帕克	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	0000.00.0000	第342章		N沟道		500V	2.4A（温度）	10V	3欧姆@1.4A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±20V	360pF@25V	-	2.5W（Ta）、42W（Tc）
IRFF433	2.6000	询价	250	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	116		N沟道		450伏	2.25A（温度）	10V	2欧姆@1.5A，10V	4V@250μA	30nC@10V	±20V	600pF@25V	-	25W（温度）
RJH6678	5.5400	询价	188	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC				175W	TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0075	1																						400V	15A						100微安	NPN	1.5V@3A、15A	8@15A，3V	50兆赫
IRF9633	0.7600	询价	6759	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	275		P沟道		150伏	5.5A（温度）	10V	1.2欧姆@3.5A，10V	4V@250μA	45nC@10V	±20V	550pF@25V	-	75W（温度）
RFP25N06L	2.4100	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		60V	25A（温度）	5V	85毫欧@12.5A，5V	2V@1mA		±10V	2000pF@25V	-	75W（温度）
IRF611	-	询价	1930年	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	405		N沟道		150伏	3.3A（温度）	10V	1.5欧姆@1.6A，10V	4V@250μA	10V时为8.2nC	±20V	135pF@25V	-	43W（温度）
1580卢比	0.5500	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													800V	1.8V@15A	125纳秒	800V时为100μA	-65℃～175℃	15A	-
HGTG15N120C3	3.9800	询价	第577章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准		164W	TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1			-																		-	1200伏	35A	120A	3.5V@15V，15A	-	100纳克	-
D45D4	0.5200	询价	6098	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2.1W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	8541.29.0095	18																						60V	6A						10微安	PNP-达林顿	2V@5mA，5A	2000 @ 1A，2V	-
IRFPC40	1.4300	询价	968	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3	IRFPC40		MOSFET（金属O化物）		TO-247-3	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8542.39.0001	210		N沟道		600伏	6.8A（温度）	10V	1.2欧姆@4.1A，10V	4V@250μA	60nC@10V	±20V	1300pF@25V	-	150W（温度）
RF1S30P05SM	-	询价	9212	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	92		P沟道		50V	30A	-	-	-		-		-	-
BUW64A	0.6000	询价	600	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				50W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	8541.29.0075	600																						90V	7A						100微安	NPN	1.5V@700mA，7A	30@200mA，2V	200兆赫
鲁德860S9A	-	询价	5713	哈里斯公司	-	大部分	的积极		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			雪崩		TO-252-3（DPAK）	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													600伏	1.5V@8A	70纳秒	100 µA @ 600 V	-65℃～175℃	8A	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(1081)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²