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离散半导体产品（（1081）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
D44H11	-	RFQ	5651	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0075	50																							80 V	10 a						10µA	NPN	1V @ 400mA，8a	60 @ 2a，1V	50MHz
HFA3102B	-	RFQ	5357	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-40°C〜85°C	表面安装	14- 材料（ 0.154英寸，宽度为3.90mm）				250MW	14-Soic	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-HFA3102B-600026			1				17.5db																			8V	30mA							6 NPN		40 @ 10mA，3v	10GHz	1.8db〜2.1db @ 500MHz〜1GHz
D44T1	-	RFQ	5733	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	1
RHRD650	0.5600	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			雪崩		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														500 v	2.1 V @ 6 A	35 ns	100 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	6a	-
IRF9630	1.4200	RFQ	28	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	1,000		P通道			200 v	6.5A（TC）	10V	800MOHM @ 3.9A，10V	4V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	74W（TC）
RHRU10060	7.2300	RFQ	8785	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-218-3			标准		SOT-93	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	34	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														600 v	2.1 V @ 100 A	60 ns	500 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	100a	-
Igth20n50	2.7500	RFQ	269	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准			TO-218隔离	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1			-																			-	500 v	20 a		-	-		-
2N6530	1.0000	RFQ	6711	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				65 w	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1																							80 V	8 a						1ma	npn-达灵顿	3V @ 80mA，8a	1000 @ 5A，3V	-
IRFF420U	1.0000	RFQ	4918	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-						0000.00.0000	1
RFP10N15L	0.8100	RFQ	35	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			150 v	10A（TC）	5V	300MOHM @ 5A，5V			±10V	1200 pf @ 25 V	-	60W（TC）
MJE16002	1.0400	RFQ	9	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				80 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																							6 V	5 a						250µA	NPN	1V @ 200mA，1.5a	5 @ 5A，5V	-
HFA3127B96-HC	2.9600	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）				150MW	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	2,500				-																			12V	65mA							5 NPN		40 @ 10mA，2V	8GHz	3.5db @ 1GHz
RUR1540	0.7300	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														400 v	1.25 V @ 15 A	60 ns	10 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C	15a	-
IRFP246	1.4800	RFQ	5	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			275 v	15A（TC）	10V	280mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
RFG45N06LE	0.8100	RFQ	4339	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	300		n通道			60 V	45A（TC）	5V	28mohm @ 45a，5v	2V @ 250µA	135 NC @ 10 V	±10V	2150 pf @ 25 V	-	142W（TC）
BUZ21	1.3600	RFQ	43	哈里斯公司	Sipmos®	管子	过时的		通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	50		n通道			100 v	21a（TC）		85MOHM @ 13A，10V	4V @ 1mA			1300 pf @ 25 V	-
IGTM10N50A	1.6000	RFQ	484	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3		标准			TO-3	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1			-																			-	500 v	10 a		-	-		-
IRFPC40	1.4300	RFQ	968	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFPC40		MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	210		n通道			600 v	6.8A（TC）	10V	1.2OHM @ 4.1A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRF841	1.0100	RFQ	800	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道			450 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	63 NC @ 10 V	±20V	1225 pf @ 25 V	-	125W（TC）
HGT1S7N60B3DS	-	RFQ	2475	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		标准		60 W	TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1			480V，7A，50OHM，15V														37 ns					-	600 v	14 a	56 a	2.1V @ 15V，7a	160µJ（在）上，120µJ（120µJ）	30 NC	26NS/130NS
提示111	0.2500	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	提示111			2 w	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																							80 V	2 a						2mA	npn-达灵顿	2.5V @ 8mA，2a	1000 @ 1A，4V	-
HGTP20N60C3R	4.5300	RFQ	79	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		164 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			480V，20A，10欧姆，15V														24 ns					-	600 v	45 a	300 a	1.8V @ 15V，20A	（500µJ）（500µJ），500µJ（（）	122 NC	28NS/151NS
IRFR2209AS2463	0.5100	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRFR2209		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1													-
RUR3040	-	RFQ	6765	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														400 v	1.5 V @ 30 A	60 ns	30 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C	30a	-
D45D2	-	RFQ	1377年	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2.1 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	448																							40 V	6 a						10µA	pnp-达灵顿	2V @ 5mA，5a	2000 @ 1A，2V	-
HC3-5504B-5	6.3000	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达受影响	2156-HC3-5504B-5-600026			1
D64DV5	8.3400	RFQ	8879	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE				180 w	TO-204AE	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	31																							400 v	50 a						1ma	npn-达灵顿	3V @ 5a，75a	100 @ 20a，5v	-
HGTP15N40C1	2.9100	RFQ	368	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		75 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			-																			-	400 v	15 a	35 a	3.2V @ 20V，35a	-	33 NC	-
IRFP340	1.3700	RFQ	1	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247AC	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	500		n通道			400 v	11A（TC）	10V	550MOHM @ 6.6A，10V	4V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	150W（TC）
HUF753393	0.8300	RFQ	19	哈里斯公司	Ultrafet™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	364		n通道			55 v	75A（TC）	10V	12mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	130 nc @ 20 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	200W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（1081）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²