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离散半导体产品（（1081）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
CA3083M	0.9700	RFQ	859	哈里斯公司	*	大部分	积极的				CA3083					下载		供应商不确定	到达受影响	2156-CA3083M-600026			1
RF1S30P06SM9A	-	RFQ	9945	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	800		P通道		60 V	30A（TC）	10V	65mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 20 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	135W（TC）
RURD3040	3.1500	RFQ	250	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC			雪崩		TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	400 v	30a	1.5 V @ 30 A	60 ns	30 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C
RFL1P08	0.5200	RFQ	2428	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	4		P通道		80 V	1A（TC）	10V	3.65OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA		±20V	150 pf @ 25 V	-	8.33W（TC）
D64ES5	5.2500	RFQ	112	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				125 w	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																								400 v	20 a						1ma	npn-达灵顿	3.5V @ 3a，30a	100 @ 10a，5v	-
2N6129	0.9500	RFQ	593	哈里斯公司	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
D72F5T2	0.4100	RFQ	159	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				1 w	TO-252-3（DPAK）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																								50 V	5 a						1µA（ICBO）	NPN	400mv @ 150mA，3a	70 @ 1A，1V	-
2N612340	-	RFQ	2376	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-						0000.00.0000	1
RF1S9540	2.1300	RFQ	7	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	1		P通道		100 v	19a（tc）	10V	200mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	90 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	150W（TC）
2N6760	-	RFQ	6901	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		to-204aa	-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		400 v	5.5A（TC）	10V	1.22OHM @ 5.5A，10V	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V		-	（4W）（ta），75w（tc）
1N5060	0.1800	RFQ	12	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	SOD-57，轴向			标准		SOD-57	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														400 v		1.1 V @ 2 A	4 µs	5 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C	3a	40pf @ 0v，1MHz
BD241A	-	RFQ	5973	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				40 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	177																								60 V	3 a						300µA	NPN	1.2V @ 600mA，3a	25 @ 1A，4V	-
RURU10060RA	4.0100	RFQ	89	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
CA3096CM	0.8100	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）	CA3096			200MW	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1																								24V	50mA，10mA						1µA	NPN，PNP	700mv @ 1mA，10mA / 400mv，100µA，1mA	100 @ 1ma，5v / 30 @ 100µA，5V	335MHz，6.8MHz
RFD3055	-	RFQ	9283	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	75		n通道		60 V	12A（TC）		150MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	23 NC @ 20 V	±20V	300 pf @ 25 V	-	53W（TC）
MUR850119	0.6400	RFQ	750	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
RHRD460S96	0.9100	RFQ	610	哈里斯公司	-	大部分	积极的		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			雪崩		TO-252-3（DPAK）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														600 v		2.1 V @ 4 A	35 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	4a	-
RHRG3050CC	2.5500	RFQ	595	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-247-3			雪崩		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	500 v	30a	2.1 V @ 30 A	45 ns	500 µA @ 500 V	-65°C〜175°C
TIP42A	0.3900	RFQ	847	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220AB	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	847																								60 V	6 a						700µA	PNP	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	-
D40E5	-	RFQ	4125	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-202长标签				1.33 w	TO-202AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	337																								60 V	2 a						-	NPN	-	-
RURD820	1.8800	RFQ	189	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	189
RFP15P05	1.3600	RFQ	90	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	50		P通道		50 V	15A（TC）	10V	150mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 20 V	±20V	1150 pf @ 25 V	-	80W（TC）
HGTG20N60C3R	2.4500	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		164 w	TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			-																				-	600 v	40 a	80 a	2.2V @ 15V，20A	-	116 NC	-
RFL1N12	0.8800	RFQ	845	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		120 v	1A（TC）	10V	1.9OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA		±20V	200 pf @ 25 V	-	8.33W（TC）
RHRG5050	-	RFQ	3256	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-247-2			雪崩		TO-247-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	43	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														500 v		2.1 V @ 50 A	50 ns	500 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	50a	-
2N5671	55.9700	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	2N5671			6 W	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	6																								90 v	30 a						10mA	NPN	5V @ 6a，30a	20 @ 20a，5v	-
HC3-5504B1-5	6.7600	RFQ	411	哈里斯公司	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-HC3-5504B1-5-600026			1
D44T1	-	RFQ	5733	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	1
RUR880	0.4800	RFQ	743	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														800 v		1.8 V @ 8 A	110 ns	25 µA @ 800 V	-55°C 〜175°C	8a	-
BUX44	4.2700	RFQ	145	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3				120 w	TO-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																								400 v	8 a						-	npn-达灵顿	-	-	8MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（1081）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²