分立半导体产品(1081)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
HC4P5502B-5	2.9000	询价	第580章	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH旅行	2156-HC4P5502B-5-600026			1
尖头42B	0.4100	询价	5608	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	50																						40V	6A						700微安	国民党	1.5V@600mA，6A	30@300mA，4V	3兆赫兹
1N5060	0.1800	询价	12	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	SOD-57，肥胖			标准		SOD-57	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)													400V	1.1V@2A	4微秒	5μA@400V	-55℃～175℃	3A	40pF @ 0V、1MHz
RF1S540SM	2.0600	询价	7689	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	3		N沟道		100伏	28A（温度）	10V	77毫欧@17A，10V	4V@250μA	59nC@10V	±20V	1450pF@25V	-	150W（温度）
RHRU7570	3.9200	询价	4195	哈里斯公司	-	大部分	的积极		安装结构	TO-218-1			雪崩		TO-218	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	60	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													700伏	3V@75A	100纳秒	700V时为500μA	-65℃～175℃	75A	-
A115E	0.4100	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	过时的		通孔							下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													500V	1.3V@3A	150微秒	500V时为2μA	-65℃～175℃	3A	40pF @ 4V，1MHz
HGTP15N50E1	1.6600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准		75W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			-																		-	500V	15A	35A	3.2V@20V，35A	-	33nC	-
鲁德640S	0.5600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			标准		TO-252，（D-Pak）	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													400V	1V@6A	60纳秒	400V时为100μA	-65℃～175℃	6A	-
RFP8N18L	0.8700	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		180伏	8A（温度）	5V	500mOhm@4A、5V	2V@1mA		±10V	900pF@25V	-	60W（温度）
IRFP250S2497	-	询价	7461	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-						0000.00.0000	1
RHRP3050	1.4600	询价	9116	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	150	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													500V	2.1V@30A	45纳秒	1毫安@500伏	-65℃～175℃	30A	-
穆尔810	0.5200	询价	3	哈里斯公司	切换模式™	管子	过时的		通孔	TO-220-2			标准		TO-220-2	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													100伏	975毫伏@8安	35纳秒	100V时为5μA	-65℃～175℃	8A	-
RCA1A05	1.0000	询价	2996	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-						0000.00.0000	1
RF1S530SM9AS2457	0.8800	询价	800	哈里斯公司	*	大部分	的积极				射频1S		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	800												-
IRFD123	0.8700	询价	40	哈里斯公司	-	管子	过时的		通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-HVMDIP	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	第346章		N沟道		100伏	1.3A（塔）		270毫欧@780毫安，10伏	4V@250μA	16nC@10V		360pF@25V	-
RHRP1580	2.0000	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													800V	3V@15A	70纳秒	800V时为100μA	-65℃～175℃	15A	-
HGT1S12N60C3S9AR4501	1.5800	询价	2	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	190
RCA1C13	-	询价	8341	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义				1
IRFD112	0.3700	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸入	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		100伏	800mA（温度）	10V	800毫欧@800毫安，10伏	4V@250μA	7nC@10V	±20V	135pF@25V	-	1W（温度）
茹茹10060RA	4.0100	询价	89	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1
尖头125GE	1.0000	询价	4971	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
2N3416	0.3100	询价	5588	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	2N341			625毫W	TO-92-3	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	2156-2N3416	EAR99	8541.21.0095	1																						50V	500毫安						100nA（ICBO）	NPN	300毫伏@3毫安、50毫安	75@2mA，4.5V	-
2N612340	-	询价	2376	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-						0000.00.0000	1
鲁德G1520	1.5600	询价	360	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1
HGTH20N40C1	-	询价	6547	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC		标准		100W	TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	53			-																		-	400V	20A	35A	3.2V@20V，35A	-	33nC	-
IRF741	1.0100	询价	520	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		350伏	10A（温度）	10V	550mOhm@5.2A，10V	4V@250μA	63nC@10V	±20V	1250pF@25V	-	125W（温度）
IRFF9232	1.5000	询价	第582章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		200V	3.5A（温度）	-	-	-		-		-	25W
RF1S30N06LE	0.7300	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极				射频1S		-			-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1												-
RFD3N08LSM9A	0.3300	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	2,500人		N沟道		80V	3A（温度）	5V	800mOhm@3A、5V	2.5V@250μA	10V时为8.5nC	±10V	125pF@25V	-	30W（温度）
D44D4	-	询价	7267	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2.1W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	91																						60V	6A						10微安	NPN-达林顿	1.5V@5mA，5A	2000 @ 1A，2V	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(1081)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²