分立半导体产品(1081)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
HGT1S12N60C3R	1.3100	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA		标准		104W	I2PAK (TO-262)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			480V，12A，25欧姆，15V															37纳秒					-	600伏	24A	48A	2.2V@15V，12A	400μJ（开），340μJ（关）	71nC	37纳秒/120纳秒
IRFF111	3.0000	询价	176	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		80V	3.5A（温度）	10V	600毫欧@1.5A，10V	4V@250μA	10V时为7.5nC	±20V	135pF@25V	-	15W（温度）
RF1S23N06LESM	0.5900	询价	5	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		60V	23A	-	-	-		-		-	-
卢比1540	0.7300	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														400V		1.25V@15A	60纳秒	400V时为10μA	-55℃～175℃	15A	-
RFP2N15	0.6600	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		150伏	2A（温度）	10V	1.75欧姆@2A，10V	4V@250μA		±20V	200pF@25V	-	25W（温度）
2N6786	-	询价	9010	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	5		N沟道		400V	1.25A（温度）	10V	3.7欧姆@1.25A，10V	4V@250μA	12nC@10V	±20V	170pF@25V	-	15W（温度）
2N7224JANTXV	1.0000	询价	4610	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-254-3、TO-254AA			MOSFET（金属O化物）		TO-254AA	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		100伏	34A（温度）	10V	81毫欧@34A，10V	4V@250μA	125nC@10V	±20V		-	4W（Ta）、150W（Tc）
IRF620	0.2700	询价	4481	哈里斯公司	PowerMESH™ II	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRF6		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1,018		N沟道		200V	6A（温度）	10V	800毫欧@3A，10V	4V@250μA	27nC@10V	±20V	350pF@25V	-	70W（温度）
HFA1212IP	2.4600	询价	5	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH旅行	2156-HFA1212IP-600026			1
IGTM10N50	1.5500	询价	234	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-204AA、TO-3		标准			TO-3	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1			-																				-	500V	10A		-	-		-
HP4936DY	0.4600	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH旅行	2156-HP4936DY-600026			1
RFD14N05L	1.0000	询价	6552	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	1,800		N沟道		50V	14A（温度）	5V	100mOhm@14A，5V	2V@250μA	40nC@10V	±10V	670pF@25V	-	48W（温度）
D45C4	-	询价	7680	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				30W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0075	115																								45V	4A						10微安	国民党	500mV@100mA，1A	25@1A，1V	40兆赫
RFH30N12	3.4600	询价	268	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC			MOSFET（金属O化物）		TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		120V	30A（温度）	10V	75毫欧@15A，10V	4V@1mA		±20V	3000pF@25V	-	150W（温度）
IGT6E2121	-	询价	5095	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-						0000.00.0000	1
鲁德1540	-	询价	6602	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC			雪崩		TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													1对共轴线	400V	15A	1.25V@15A	60纳秒	400V时为10μA	-55℃～175℃
IRF621R	0.4300	询价	6	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		150伏	5A（温度）	10V	800毫欧@2.5A，10V	4V@250μA	15nC@10V	±20V	450pF@25V	-	40W（温度）
RF1S45N06LESM9A	0.9500	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极									下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	第317章
IRFD9110	0.3700	询价	15	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	IRFD9110		MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸、HVMDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	807		P沟道		100伏	700mA（塔）	10V	1.2欧姆@420mA，10V	4V@250μA	10V时为8.7nC	±20V	200pF@25V	-	1.3W（塔）
RFP10N15L	0.8100	询价	35	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		150伏	10A（温度）	5V	300mOhm@5A、5V			±10V	1200pF@25V	-	60W（温度）
RHRD440S	0.4700	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			雪崩		TO-252-3（DPAK）	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														400V		2.1V@4A	35纳秒	400V时为100μA	-65℃～175℃	4A	-
RFL1P08	0.5200	询价	2428	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	4		P沟道		80V	1A（温度）	10V	3.65欧姆@1A，10V	4V@250μA		±20V	150pF@25V	-	8.33W（温度）
RFP40N10LE	1.0000	询价	9740	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH旅行	2156-RFP40N10LE-600026			1
IRFD121	0.4500	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸入	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		80V	1.3A（温度）	10V	300mOhm@600mA，10V	4V@250μA	15nC@10V	±20V	450pF@25V	-	1W（温度）
IRFBC42	0.9600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		600伏	5.4A（温度）	10V	1.6欧姆@3.4A，10V	4V@250μA	60nC@10V	±20V	1300pF@25V	-	125W（温度）
RF1S30P06SM9A	-	询价	9945	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	800		P沟道		60V	30A（温度）	10V	65毫欧@30A，10V	4V@250μA	170nC@20V	±20V	3200pF@25V	-	135W（温度）
RF1K4909396	0.5700	询价	2	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH旅行	2156-RF1K4909396-600026			1
GE1302	-	询价	3392	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	DO-204，缝合			标准		AL-4	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														100伏		第975章毫伏@2安	35纳秒	100V时为5μA	-65℃～175℃	6A	100pF @ 4V、1MHz
RFP12N06RLE	0.6000	询价	13	哈里斯公司	超场效应晶体管™	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		60V	18A（温度）	4.5V、10V	63毫欧@18A，10V	3V@250μA	15nC@10V	±16V	485pF@25V	-	49W（温度）
IRFF420U	1.0000	询价	4918	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-						0000.00.0000	1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(1081)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²