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离散半导体产品（（1081）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
2N6752	-	RFQ	6629	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	to-204aa				150 w	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	26																								450 v	10 a						100µA	NPN	3V @ 3a，10a	8 @ 5a，3v	60MHz
IRF633	0.6800	RFQ	9270	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	124		n通道		150 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IRF730R4587	0.5700	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRF73		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1												-
RHRP3080	1.4300	RFQ	399	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														800 v		3 V @ 30 A	75 ns	500 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	30a	-
D44H11	-	RFQ	5651	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0075	50																								80 V	10 a						10µA	NPN	1V @ 400mA，8a	60 @ 2a，1V	50MHz
RF1S4N100SM9A	3.1300	RFQ	187	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	800		n通道		1000 v	4.3A（TC）		3.5OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA		±20V		-	150W（TC）
D45C4	-	RFQ	7680	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				30 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	115																								45 v	4 a						10µA	PNP	500mv @ 100mA，1a	25 @ 1A，1V	40MHz
2N6108	0.6000	RFQ	9328	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				40 W	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	38																								60 V	7 a						1ma	PNP	3.5V @ 3a，7a	30 @ 2.5A，4V	10MHz
BUX12	7.4800	RFQ	98	哈里斯公司	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
HGTG27N60C3DR	5.9600	RFQ	68	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		208 w	TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			-																				-	600 v	54 a	108 a	2.2V @ 15V，27a	-	212 NC	-
rurd460cc	1.3000	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
GE1103	0.8800	RFQ	890	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	do-204，轴向			标准		do-204	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														150 v		950 mv @ 2 a	35 ns	2 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	2.5a	45pf @ 4V，1MHz
Buz32	0.5600	RFQ	1690年	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	480		n通道		200 v	9.5A（TC）		400MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	2000 pf @ 25 V	-	75W（TC）
TIP42B	0.4100	RFQ	5608	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	50																								40 V	6 a						700µA	PNP	1.5V @ 600mA，6a	30 @ 300mA，4V	3MHz
HGTH20N50E1	3.1400	RFQ	287	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准		100 W	TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			-																				-	500 v	20 a	35 a	3.2V @ 20V，35a	-	33 NC	-
RHRG7570	3.5700	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-247-3			雪崩		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														700 v		3 V @ 75 A	100 ns	500 µA @ 700 V	-65°C〜175°C	75a	-
HC4P5502B-5	2.9000	RFQ	580	哈里斯公司	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达受影响	2156-HC4P5502B-5-600026			1
RF1S15N06	0.5700	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RF1		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1												-
IRFR321	0.3600	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		350 v	3.1a（ta）	10V	1.8OHM @ 1.7A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	50W（TC）
RURG8040	6.7900	RFQ	7	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-247-2			雪崩		TO-247-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														400 v		1.6 V @ 80 A	85 ns	500 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	80a	-
TIP29B	0.1700	RFQ	7240	哈里斯公司	-	管子	过时的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220-3	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	1,000																								80 V	1 a						300µA	NPN	700mv @ 125mA，1a	15 @ 1A，4V	3MHz
RF1S540SM	2.0600	RFQ	7689	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3		n通道		100 v	28a（TC）	10V	77mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 25 V	-	150W（TC）
2N6648	98.5800	RFQ	82	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				70 W	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	4																								40 V	10 a						1ma	pnp-达灵顿	3V @ 100mA，10a	1000 @ 5A，3V	-
CA3083M	0.9700	RFQ	859	哈里斯公司	*	大部分	积极的				CA3083					下载		供应商不确定	到达受影响	2156-CA3083M-600026			1
RF1S30P06SM9A	-	RFQ	9945	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	800		P通道		60 V	30A（TC）	10V	65mohm @ 30a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 20 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	135W（TC）
RURD3040	3.1500	RFQ	250	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC			雪崩		TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	400 v	30a	1.5 V @ 30 A	60 ns	30 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C
RFL1P08	0.5200	RFQ	2428	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	4		P通道		80 V	1A（TC）	10V	3.65OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA		±20V	150 pf @ 25 V	-	8.33W（TC）
D64ES5	5.2500	RFQ	112	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				125 w	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																								400 v	20 a						1ma	npn-达灵顿	3.5V @ 3a，30a	100 @ 10a，5v	-
2N6129	0.9500	RFQ	593	哈里斯公司	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
D72F5T2	0.4100	RFQ	159	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				1 w	TO-252-3（DPAK）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																								50 V	5 a						1µA（ICBO）	NPN	400mv @ 150mA，3a	70 @ 1A，1V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（1081）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²