分立半导体产品(1081)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	晶体管类型	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	噪声系数（dB Typ @ f）
IRF612	1.0000	询价	1935年	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			200V	2.6A（温度）	10V	2.4欧姆@1.6A，10V	4V@250μA	10V时为8.2nC	±20V	135pF@25V	-	43W（温度）
A315G	-	询价	7754	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	DO-204，缝合			标准		AL-4	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															150伏		950毫伏@3安	35纳秒	150V时为3μA	-65℃～175℃	3A	100pF @ 4V、1MHz
DB1F	0.2500	询价	10	哈里斯公司	数据库1	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	安装结构	4广场，BR			标准		BR	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1																		1.1V@1A		50V时为10μA		1A										单相	50V
HGTP15N40E1	1.5400	询价	第488章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准		75W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			-																					-	400V	15A	35A	3.2V@20V，35A	-	33nC	-
IRF512S2532	0.2400	询价	7159	哈里斯公司	*	大部分	的积极				IRF512		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1,200													-
鲁尔3060	1.7200	询价	第716章	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															600伏		1.5V@30A	60纳秒	600V时为30μA	-55℃～175℃	30A	-
IRFP150R119	1.0000	询价	5147	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-						0000.00.0000	1
RHRU5060	2.8500	询价	第734章	哈里斯公司	-	大部分	的积极		安装结构	TO-218-1			雪崩		TO-218	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															600伏		2.1V@50A	50纳秒	500μA@600V	-65℃～175℃	50A	-
鲁格1570CC	-	询价	第1174章	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-247-3			雪崩		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														1对共轴线	700伏	15A	1.8V@15A	125纳秒	700V时为100μA	-65℃～175℃
IRF1S30P05SM	1.0000	询价	1883年	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	3（168小时）	供应商未定义				1
A114EX119	-	询价	2124	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔							-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1,507 人	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															500V		1.3V@1A	150微秒	500V时为2μA	-65℃～175℃	1A	10pF@4V，1MHz
RHRG3050CC	2.5500	询价	第595章	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-247-3			雪崩		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														1对共轴线	500V	30A	2.1V@30A	45纳秒	500V@500μA	-65℃～175℃
RFM12P10	-	询价	1009	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道			100伏	12A（温度）	10V	300mOhm@6A，10V	4V@1mA		±20V	1500pF@25V	-	100W（温度）
RF1S25N06SMR4643	0.6500	询价	3	哈里斯公司	*	大部分	的积极				射频1S		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	800													-
RFH75N05E	-	询价	5774	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC			MOSFET（金属O化物）		TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	20		N沟道			50V	75A（温度）	10V	8毫欧@75A，10V	4V@250μA	400nC@20V	±20V		-	240W（温度）
SP600	5.5100	询价	2	哈里斯公司	*	大部分	的积极				SP60		-			-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1													-
鲁德615S	0.4400	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			标准		TO-252，（D-Pak）	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															150伏		1V@6A	35纳秒	100 µA @ 150 V	-65℃～175℃	6A	-
IRF331	2.3700	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			350伏	5.5A（温度）	10V	1欧姆@3A，10V	4V@250μA	35nC@10V	±20V	700pF@25V	-	75W（温度）
BD750C	2.2700	询价	第689章	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
RF1S42N03L	0.8700	询价	400	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）		I2PAK (TO-262)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	400		N沟道			30V	42A（温度）	5V	25毫欧@42A，5V	2V@250μA	60nC@10V	±10V	1650pF@25V	-	90W（温度）
RF1K49211	0.3900	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			MOSFET（金属O化物）		8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	第761章		N沟道			12V	7A	-	-	-		-		-	-
RHRD640S	-	询价	6698	哈里斯公司	-	大部分	的积极		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			标准		TO-252，（D-Pak）	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	307	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															400V		2.1V@6A	35纳秒		-65℃～175℃	6A	-
HGTH12N50C1	1.9100	询价	8314	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC		标准		75W	TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			-																					-	500V	12A	17.5安	3.2V@20V，17.5A	-	19nC	-
BUZ76A	0.6100	询价	10	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			400V	2.6A（温度）	10V	2.5欧姆@1.5A，10V	4V@1mA		±20V	500pF@25V	-	40W（温度）
HFA3102B	-	询价	5357	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-40℃～85℃	表面贴装	14-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）				250毫W	14-SOIC	-	不符合RoHS标准		供应商未定义	2156-HFA3102B-600026			1				17.5分贝																					8V	30毫安								6 NPN	40@10mA，3V	10GHz	1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz
RFP40N10S5001	1.0000	询价	3724	哈里斯公司	*	大部分	的积极				RFP40		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1													-
鲁普3050	1.3600	询价	第773章	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															500V		1.5V@30A	60纳秒	500V@500μA	-55℃～175℃	30A	-
RFP15N05L119	-	询价	4124	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-						0000.00.0000	1
GE1003	0.3600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-204AE			标准		TO-204AE	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															150伏		950毫伏@1安	35纳秒	150V时为2μA	-65℃～175℃	1A	45pF @ 4V，1MHz
鲁德G3090	-	询价	2641	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-						0000.00.0000	1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(1081)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²