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离散半导体产品（（1081）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
D42C4N	0.3400	RFQ	956	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				956
RUR1550	0.6800	RFQ	3179	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2		雪崩		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	406	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													500 v	1.5 V @ 15 A	60 ns	10 µA @ 500 V	-55°C 〜175°C	15a	-
RF1K49211	0.3900	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	761		n通道		12 v	7a	-	-	-		-		-	-
IRF520	0.3300	RFQ	7025	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		100 v	9.2A（TC）		270MOHM @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	60W（TC）
RURG3050	1.7800	RFQ	589	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-247-2		雪崩		TO-247-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													500 v	1.5 V @ 30 A	60 ns	500 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	30a	-
IRFD9120	0.8500	RFQ	41	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）		MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		100 v	1A（1A）	10V	600mohm @ 600mA，10v	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	390 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
HC4P5504ALC-9	10.4000	RFQ	924	哈里斯公司	*	大部分	积极的								下载			供应商不确定	2156-HC4P5504ALC-9-600026			1
RFD20N03	0.4100	RFQ	10	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	20A（TC）	10V	25mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	75 NC @ 20 V	±20V	1150 pf @ 25 V	-	90W（TC）
IRF822R	-	RFQ	2655	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	2.2A（TC）	10V	4ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	50W（TC）
RFD3N08LSM9A	0.3300	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		80 V	3A（TC）	5V	800MOHM @ 3A，5V	2.5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±10V	125 pf @ 25 V	-	30W（TC）
RHRP3050	1.4600	RFQ	9116	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2		雪崩		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	150	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													500 v	2.1 V @ 30 A	45 ns	1 ma @ 500 V	-65°C〜175°C	30a	-
RF1S15N08L	0.6500	RFQ	800	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1		n通道		80 V	45a	-	-	-		-		-	-
RURP3070	-	RFQ	3628	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2		雪崩		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													700 v	1.8 V @ 30 A	150 ns	500 µA @ 700 V	-65°C〜175°C	30a	-
IRF331	2.3700	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		350 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	700 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IRFBC42R	-	RFQ	3949	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	5.4A（TC）	10V	1.6OHM @ 3.4A，10V	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
RF1S42N03L	0.8700	RFQ	400	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	400		n通道		30 V	42A（TC）	5V	25mohm @ 42a，5v	2V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±10V	1650 pf @ 25 V	-	90W（TC）
IGT6E20	3.4800	RFQ	7218	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-247-3	标准			TO-247	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	78			-																		-	500 v	32 a		-	-		-
IRFP450R	1.8400	RFQ	5018	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	3		n通道		500 v	14A（TC）	10V	400MOHM @ 7.9A，10V	4V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	180W（TC）
RHRU150100	8.3600	RFQ	383	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-218-3		标准		SOT-93	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1000 v	3 V @ 150 A	100 ns	500 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	150a	-
buz41a	1.3600	RFQ	7	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	4.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	2000 pf @ 25 V	-	75W（TC）
RFM3N45	0.9700	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		450 v	3A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	750 pf @ 25 V	-	75W（TC）
2N6786	-	RFQ	9010	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐		MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	5		n通道		400 v	1.25A（TC）	10V	3.7OHM @ 1.25A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	15W（TC）
BD899	0.5300	RFQ	9584	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-220-3			70 W	TO-220C	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	18																						80 V	8 a						-	NPN	-	-	1MHz
RFP2N15	0.6600	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		150 v	2A（TC）	10V	1.75OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA		±20V	200 pf @ 25 V	-	25W（TC）
A114EX119	-	RFQ	2124	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞						-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1,507	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													500 v	1.3 V @ 1 A	150 µs	2 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	1a	10pf @ 4V，1MHz
RHRU75100	3.9200	RFQ	149	哈里斯公司	-	大部分	积极的		底盘安装	TO-218-1		雪崩		TO-218	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1000 v	3 V @ 75 A	100 ns	500 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	75a	-
IRF1S30P05SM	1.0000	RFQ	1883年	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定				1
HGTP15N50E1	1.6600	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	标准		75 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			-																		-	500 v	15 a	35 a	3.2V @ 20V，35a	-	33 NC	-
RFL4N15	1.1000	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐		MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		150 v	4A（TC）	10V	400MOHM @ 2A，10V	4V @ 1mA		±20V	850 pf @ 25 V	-	8.33W（TC）
RCA9116E	1.4600	RFQ	581	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			200 w	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																						100 v	200 a						1ma	PNP	1.5V @ 500mA，750mA	10 @ 7.5A，2V	2MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（1081）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²