分立半导体产品(1081)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
尖头125GE	1.0000	询价	4971	哈里斯公司	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
RFP10P15	2.1400	询价	75	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		150伏	10A（温度）	10V	500mOhm@5A，10V	4V@1mA		±20V	1700pF@25V	-	75W（温度）
D72F5T2	0.4100	询价	159	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			1W	TO-252-3（DPAK）	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1																								50V	5A						1μA（ICBO）	NPN	400mV@150mA，3A	70@1A、1V	-
尖头30B	0.3200	询价	9	哈里斯公司	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			2W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1																								80V	1A						300微安	国民党	700mV@125mA，1A	40@200mA，4V	3兆赫兹
鲁德460CC	1.3000	询价	2	哈里斯公司	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1
HGTG15N1203D	1.0000	询价	6192	哈里斯公司	*	大部分	的积极								-						0000.00.0000	1
RF1S17N06LSM	0.6500	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1		N沟道		60V	17A	-	-	-		-		-	-
HC3-5504B1-5	6.7600	询价	第411章	哈里斯公司	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	供应商未定义	2156-HC3-5504B1-5-600026			1
2N4123	0.6400	询价	第782章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)			350毫W	TO-92	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0075	1																								30V	200毫安						50nA（ICBO）	NPN	300毫伏@5毫安，50毫安	50@2mA，1V	250兆赫
D44Q3121	0.6900	询价	第586章	哈里斯公司	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1
2N6129	0.9500	询价	第593章	哈里斯公司	*	大部分	的积极								下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
RFP17N06L	1.1300	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		60V	17A（温度）	4V、5V	130mOhm@17A，5V	2V@1mA	45nC@30V	±10V		-	60W（温度）
尖头32C	0.2900	询价	1	哈里斯公司	-	管子	过时的	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			2W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	1,039 人																								100伏	3A						300微安	国民党	1.2V@375mA，3A	10 @ 3A，4V	3兆赫兹
IRF532	1.2100	询价	4371	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	195		N沟道		100伏	12A（温度）	10V	230毫欧@8.3A，10V	4V@250μA	26nC@10V	±20V	600pF@25V	-	79W（温度）
IRFD9123	0.7200	询价	18	哈里斯公司	-	管子	过时的	-	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）		MOSFET（金属O化物）		4-HVMDIP	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	2,500人		P沟道		100伏	1A（塔）		600毫欧@600毫安，10伏	4V@250μA	18nC@10V		390pF@25V	-	-
RF1S25N06SM	0.6000	询价	3	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		60V	25A	-	-	-		-		-	-
A315B	0.6500	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	DO-204，缝合		标准		AL-4	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														200V		950毫伏@3安	35纳秒	200V时为3μA	-65℃～175℃	3A	100pF @ 4V、1MHz
GE1103	0.8800	询价	890	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	DO-204，缝合		标准		DO-204	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														150伏		950毫伏@2安	35纳秒	150V时为2μA	-65℃～175℃	2.5A	45pF @ 4V，1MHz
RF1S15N08L	0.6500	询价	800	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1		N沟道		80V	45A	-	-	-		-		-	-
BUX44	4.2700	询价	145	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-204AA、TO-3			120W	TO-3	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1																								400V	8A						-	NPN-达林顿	-	-	8兆赫
穆尔870E	0.6400	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2		标准		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														700伏		1.8V@8A	110纳秒	700V时为500μA	-55℃～175℃	8A	-
HGTD10N40F1S	0.8400	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	标准		75W	TO-252，（D-Pak）	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			-																				-	400V	12A		2.5V@10V，5A	-	13.4nC	-
鲁德3040	3.1500	询价	250	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC		雪崩		TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													1对共轴线	400V	30A	1.5V@30A	60纳秒	400V时为30μA	-55℃～175℃
IRFP152	-	询价	3101	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	27号		N沟道		100伏	34A（温度）	10V	80毫欧@22A，10V	4V@250μA	110nC@10V	±20V	2000pF@25V	-	180W（温度）
IRF231	0.8700	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3		MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		150伏	9A（温度）	10V	400mOhm@5A，10V	4V@250μA	30nC@10V	±20V	600pF@25V	-	75W（温度）
RF1S9540	2.1300	询价	7	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA		MOSFET（金属O化物）		I2PAK (TO-262)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1		P沟道		100伏	19A（TC）	10V	200毫欧@10A、10V	4V@250μA	90nC@10V	±20V	1100pF@25V	-	150W（温度）
穆尔1610CT	0.7900	询价	1	哈里斯公司	-	管子	过时的		通孔	TO-220-3		标准		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													1对共轴线	100伏	8A	975毫伏@8安	30纳秒	100V时为500μA	-65℃～175℃
鲁普3070	-	询价	3628	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2		雪崩		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														700伏		1.8V@30A	150纳秒	700V时为500μA	-65℃～175℃	30A	-
HGTD8P50G1S	0.7900	询价	6	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63	标准		66W	TO-252AA	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1			-																				-	500V	12A	18A	2.9V@15V，3A	-	30纳克	-
IGT6D11	2.0700	询价	8751	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-204AA、TO-3	标准			TO-3	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	13			-																				-	400V			-	-		-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(1081)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²