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离散半导体产品（（1081）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
GER4004	-	RFQ	8013	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	do-204，轴向		标准		do-204	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													400 v		1.2 V @ 1 A	2 µs	2 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
RUR3090	-	RFQ	2898	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2		雪崩		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													900 v		1.8 V @ 30 A	150 ns	100 µA @ 900 V	-65°C〜175°C	30a	-
IRF540RP2	-	RFQ	6471	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRF540	-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1											-
D44D4	-	RFQ	7267	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			2.1 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	91																						60 V	6 a	10µA	npn-达灵顿	1.5V @ 5mA，5a	2000 @ 1A，2V	-
IRFD310	1.2400	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD310	MOSFET （金属 o化物）		4浸，hexdip，hvmdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道	400 v	350mA（ta）	10V	3.6ohm @ 210mA，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	1W（ta）
CA3250F	0.9100	RFQ	656	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C	通过洞	18-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	CA3250		750MW	18-Cerdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1																						16V	100mA	10µA	8 NPN	800mv @ 5mA，50mA	40 @ 50mA，3v	-
RURP810CC	-	RFQ	7655	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-3		雪崩		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	300	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	100 v	8a	975 mv @ 8 a	30 ns	500 µA @ 100 V	-65°C〜175°C
RFD16N03LSM	1.1300	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	30 V	16a	-	-	-		-		-	-
RURD1540	-	RFQ	6602	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		雪崩		TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	400 v	15a	1.25 V @ 15 A	60 ns	10 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C
D42C4N	0.3400	RFQ	956	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				956
D44Q3121	0.6900	RFQ	586	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
RFP3N45	1.0000	RFQ	5311	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	450 v	3A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	750 pf @ 25 V	-	60W（TC）
IRFF111	3.0000	RFQ	176	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐		MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	80 V	3.5A（TC）	10V	600MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±20V	135 pf @ 25 V	-	15W（TC）
RUR1560	0.7500	RFQ	775	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2		雪崩		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		1.5 V @ 15 A	60 ns	10 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	15a	-
IRF620	0.2700	RFQ	4481	哈里斯公司	PowerMesh™II	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF6	MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1,018		n通道	200 v	6A（TC）	10V	800MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	70W（TC）
RUR860	-	RFQ	2897	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2		标准		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	426	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v		1.5 V @ 8 A	60 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	8a	-
RFP8N18L	0.8700	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	180 v	8A（TC）	5V	500MOHM @ 4A，5V	2V @ 1mA		±10V	900 pf @ 25 V	-	60W（TC）
RHRU75100	3.9200	RFQ	149	哈里斯公司	-	大部分	积极的		底盘安装	TO-218-1		雪崩		TO-218	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1000 v		3 V @ 75 A	100 ns	500 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	75a	-
IRF1S30P05SM	1.0000	RFQ	1883年	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-	不适用	3（168））	供应商不确定				1
RFL4N15	1.1000	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐		MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	150 v	4A（TC）	10V	400MOHM @ 2A，10V	4V @ 1mA		±20V	850 pf @ 25 V	-	8.33W（TC）
HFA1212IP	2.4600	RFQ	5	哈里斯公司	*	大部分	积极的								下载		供应商不确定	到达受影响	2156-HFA1212IP-600026			1
RHRU150100	8.3600	RFQ	383	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-218-3		标准		SOT-93	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1000 v		3 V @ 150 A	100 ns	500 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	150a	-
buz41a	1.3600	RFQ	7	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	500 v	4.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	2000 pf @ 25 V	-	75W（TC）
RFD8P06E	0.2900	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
RURDG3090	-	RFQ	2641	哈里斯公司	*	大部分	积极的								-						0000.00.0000	1
A115E	0.4100	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	过时的		通过洞						下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													500 v		1.3 V @ 3 A	150 µs	2 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	3a	40pf @ 4V，1MHz
RFD7N10LE	0.5000	RFQ	5	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道	100 v	7A（TC）	5V	300MOHM @ 7A，5V	2V @ 250µA	150 NC @ 10 V	+10V，-8V	360 pf @ 25 V	-	47W（TC）
RFD14N05L	1.0000	RFQ	6552	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道	50 V	14A（TC）	5V	100mohm @ 14a，5v	2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±10V	670 pf @ 25 V	-	48W（TC）
A214B	0.5100	RFQ	901	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	do-204，轴向		标准		do-204	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													200 v		950 mv @ 2 a	35 ns	2 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	2a	45pf @ 4V，1MHz
MUR870E	0.6400	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2		标准		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													700 v		1.8 V @ 8 A	110 ns	500 µA @ 700 V	-55°C 〜175°C	8a	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（1081）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²