RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（1081）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压-收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
HC4P5504ALC-9	10.4000	RFQ	924	哈里斯公司	*	大部分	积极的									下载			供应商不确定	2156-HC4P5504ALC-9-600026			1
IRF822R	-	RFQ	2655	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	2.2A（TC）	10V	4ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	50W（TC）
RFD3N08LSM9A	0.3300	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		80 V	3A（TC）	5V	800MOHM @ 3A，5V	2.5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±10V	125 pf @ 25 V	-	30W（TC）
2N6786	-	RFQ	9010	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	5		n通道		400 v	1.25A（TC）	10V	3.7OHM @ 1.25A，10V	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	15W（TC）
BD899	0.5300	RFQ	9584	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-220-3				70 W	TO-220C	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	18																								80 V	8 a				-	NPN	-	-	1MHz
RFP2N15	0.6600	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		150 v	2A（TC）	10V	1.75OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA		±20V	200 pf @ 25 V	-	25W（TC）
RF1S15N08L	0.6500	RFQ	800	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1		n通道		80 V	45a	-	-	-		-		-	-
IGT6E20	3.4800	RFQ	7218	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-247-3		标准			TO-247	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	78			-																				-	500 v	32 a	-	-	-
RFM3N45	0.9700	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		450 v	3A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	750 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IRFD9123	0.7200	RFQ	18	哈里斯公司	-	管子	过时的	-	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）			MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		100 v	1A（1A）		600mohm @ 600mA，10v	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V		390 pf @ 25 V	-	-
IGT6E21	3.4800	RFQ	289	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-247-3		标准			TO-247	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			-																				-	500 v	32 a	-	-	-
BUW41B	0.8000	RFQ	7	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				100 W	TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0075	1																								400 v	8 a				100µA	NPN	2V @ 4a，8a	10 @ 5A，3V	60MHz
2N6767	4.1400	RFQ	3274	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	9		n通道		350 v	12A（TC）	10V	400MOHM @ 7.75a，10V	4V @ 1mA		±20V	3000 pf @ 25 V	-	150W（TC）
RFP6N50	1.8800	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	6A（TC）	10V	1.25OHM @ 3A，10V	4V @ 1mA		±20V	1500 pf @ 25 V	-	75W（TC）
GER4004	-	RFQ	8013	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	do-204，轴向			标准		do-204	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														400 v		1.2 V @ 1 A	2 µs	2 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
RUR3090	-	RFQ	2898	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														900 v		1.8 V @ 30 A	150 ns	100 µA @ 900 V	-65°C〜175°C	30a	-
IRF540RP2	-	RFQ	6471	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRF540		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1												-
D44D4	-	RFQ	7267	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2.1 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	91																								60 V	6 a				10µA	npn-达灵顿	1.5V @ 5mA，5a	2000 @ 1A，2V	-
IRFD310	1.2400	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD310		MOSFET （金属 o化物）		4浸，hexdip，hvmdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		400 v	350mA（ta）	10V	3.6ohm @ 210mA，10v	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	170 pf @ 25 V	-	1W（ta）
CA3250F	0.9100	RFQ	656	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜125°C	通过洞	18-CDIP （0.300英寸，7.62mm）	CA3250			750MW	18-Cerdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	1																								16V	100mA				10µA	8 NPN	800mv @ 5mA，50mA	40 @ 50mA，3v	-
RFD16N03LSM	1.1300	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	16a	-	-	-		-		-	-
RURD1540	-	RFQ	6602	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC			雪崩		TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	400 v	15a	1.25 V @ 15 A	60 ns	10 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C
D42C4N	0.3400	RFQ	956	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				956
D44Q3121	0.6900	RFQ	586	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定				1
RFP3N45	1.0000	RFQ	5311	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		450 v	3A（TC）	10V	3ohm @ 1.5A，10V	4V @ 1mA		±20V	750 pf @ 25 V	-	60W（TC）
IRFF111	3.0000	RFQ	176	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		80 V	3.5A（TC）	10V	600MOHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±20V	135 pf @ 25 V	-	15W（TC）
RUR1560	0.7500	RFQ	775	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														600 v		1.5 V @ 15 A	60 ns	10 µA @ 600 V	-55°C 〜175°C	15a	-
IRF620	0.2700	RFQ	4481	哈里斯公司	PowerMesh™II	大部分	积极的	-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF6		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1,018		n通道		200 v	6A（TC）	10V	800MOHM @ 3A，10V	4V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	70W（TC）
RUR860	-	RFQ	2897	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2			标准		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	426	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														600 v		1.5 V @ 8 A	60 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	8a	-
RFP8N18L	0.8700	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		180 v	8A（TC）	5V	500MOHM @ 4A，5V	2V @ 1mA		±10V	900 pf @ 25 V	-	60W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（1081）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²