分立半导体产品(1081)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	噪声系数（dB Typ @ f）
RFM6P10	1.7000	询价	3	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			P沟道			100伏	6A（温度）	10V	600mOhm@6A，10V	4V@250μA		±20V	800pF@25V	-	60W（温度）
RF1S70N03	1.6000	询价	第789章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）		TO-262AA	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1			N沟道			30V	70A（温度）		10毫欧@70A，10V	4V@250μA	260nC@20V	±20V	3300pF@25V	-	150W（温度）
HGTH12N50CID	2.4900	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1
RFP70N03	1.4800	询价	5	哈里斯公司	-	管子	过时的		通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	50			N沟道			30V	70A（温度）		10毫欧@70A，10V	4V@250μA	260nC@20V		3300pF@25V	-
HGTD7N60C3S	-	询价	4129	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		标准		60W	TO-252AA	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	33				-																					-	600伏	14A	56A	2V@15V，7A	-	23nC	-
RFP6P08	0.8100	询价	8149	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	2156-RFP6P08	EAR99	8541.29.0095	1
CA3183EX	1.0000	询价	7671	哈里斯公司	*	大部分	的积极				CA3183					-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	1
RFP12N10L	1.0000	询价	9637	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	800			N沟道			100伏	12A（温度）	5V	200mOhm@12A，5V	2V@250μA		±10V	900pF@25V	-	60W（温度）
IRF442119U	1.4600	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极				IRF442119		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1														-
RFP6N50	1.8800	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道			500V	6A（温度）	10V	1.25欧姆@3A，10V	4V@1mA		±20V	1500pF@25V	-	75W（温度）
RFP2P10	0.5100	询价	11	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			P沟道			100伏	2A（温度）	10V	3.5欧姆@1A，10V	4V@1mA		±20V	150pF@25V	-	25W（温度）
IRFU221	0.4000	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道			150伏	4.6A（温度）	10V	800毫欧@2.4A，10V	4V@250μA	18nC@10V	±20V	330pF@25V	-	50W（温度）
2N6761	-	询价	9759	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道			450伏	4A（温度）	10V	2欧姆@2.5A，10V	4V@1mA		±20V	800pF@25V	-	75W（温度）
RJH6688	-	询价	6555	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC				200W	TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1																										200V	20A						50微安	NPN	1.5V@2A、20A	25@1A，2V
RHRP3080	1.4300	询价	第399章	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															800V		3V@30A	75纳秒	800V时为500μA	-65℃～175℃	30A	-
RUR1615CT	-	询价	3309	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-3			标准		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	111		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														1对共轴线	150伏	8A	975毫伏@8安	35纳秒	150V时为5μA	-65℃～175℃
茹茹50120	3.4700	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极		安装结构	TO-218-1			雪崩		TO-218	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															1200伏		2.1V@50A	200纳秒	1200V时为500μA	-65℃～175℃	50A	-
D44VH1116	-	询价	5824	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-						0000.00.0000	240																																		NPN
IRFD321	-	询价	2713	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸入	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	66			N沟道			350伏	500mA（温度）	10V	1.8欧姆@250mA，10V	4V@250μA	15nC@10V	±20V	455pF@25V	-	1W（温度）
IRF822R	-	询价	2655	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道			500V	2.2A（温度）	10V	4欧姆@1.4A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±20V	360pF@25V	-	50W（温度）
HP4936DYT	0.2700	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	HP4936		MOSFET（金属O化物）	2W（塔）	8-SOIC	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 N 沟道（双）					30V	5.8A（塔）		37毫欧@5.8A，10V	1V@250μA	25nC@10V		625pF@25V	逻辑电平门
IRFP153	1.7900	询价	6464	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	30			N沟道			60V	34A（温度）	10V	80毫欧@22A，10V	4V@250μA	110nC@10V	±20V	2000pF@25V	-	180W（温度）
RCA9116E	1.4600	询价	第581章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3				200W	TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1																										100伏	200A						1毫安	国民党	1.5V@500mA、750mA	10 @ 7.5A，2V	2兆赫兹
IRFD123	0.8700	询价	40	哈里斯公司	-	管子	过时的		通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-HVMDIP	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	第346章			N沟道			100伏	1.3A（塔）		270毫欧@780毫安，10伏	4V@250μA	16nC@10V		360pF@25V	-
HGT1S12N60C3S9AR4501	1.5800	询价	2	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	190
RCA1C13	-	询价	8341	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义				1
RHRP1580	2.0000	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															800V		3V@15A	70纳秒	800V时为100μA	-65℃～175℃	15A	-
HFA3096B96	2.1900	询价	19号	哈里斯公司	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）				150毫W	16-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	2,500人					-																					8V	65毫安							3个NPN + 2个PNP		40个@10mA、2V、20个@10mA、2V	8GHz、5.5GHz	3.5dB@1GHz
2N3416	0.3100	询价	5588	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)	2N341			625毫W	TO-92-3	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	2156-2N3416	EAR99	8541.21.0095	1																										50V	500毫安						100nA（ICBO）	NPN	300毫伏@3毫安、50毫安	75@2mA，4.5V	-
IRF730	1.1400	询价	24	哈里斯公司	PowerMESH™ II	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRF7		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1			N沟道			400V	5.5A（温度）	10V	1欧姆@3A，10V	4V@250μA	24nC@10V	±20V	530pF@25V	-	100W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(1081)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²