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离散半导体产品（（1081）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	电压 -输出	fet	测试条件	电压	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	电压 -偏移（ vt）	电流 -阳极泄漏的门（ -igao）	电流-iv（iv）	电流 -峰值
RFP45N03L	0.6700	RFQ	41	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			n通道			30 V	45A（TC）	5V	22mohm @ 45a，5v	2V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±10V	1650 pf @ 25 V	-	90W（TC）
HGTP12N60C3R	1.1600	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		104 w	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1				480V，12a，25ohm，15V														37 ns					-	600 v	24 a	48 a	2.2V @ 15V，12a	（400µJ）（在340µJ上）	71 NC	37NS/120NS
IRF647	0.9600	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			n通道			275 v	13A（TC）	10V	340MOHM @ 8A，10V	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	125W（TC）
HGTH12N50C1D	2.3000	RFQ	483	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准		75 w	TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1				-														100 ns					-	500 v	12 a	17.5 a	3.2V @ 20V，17.5A	-	19 nc	-
HGTH20N50E1D	3.4000	RFQ	325	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准		100 W	TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1				-																			-	500 v	20 a	35 a	3.2V @ 20V，35a	-	33 NC	-
BD550	-	RFQ	1131	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				150 w	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1																								110 v	7 a						5mA	NPN	2V @ 500mA，4a	15 @ 4A，4V
HGTG12N60C3DR	1.0000	RFQ	2155	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		104 w	TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1				480V，12a，25ohm，15V														37 ns					-	600 v	24 a	48 a	2.2V @ 15V，12a	（400µJ）（在340µJ上）	71 NC	37NS/120NS
IRF613	0.3300	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			n通道			150 v	2.6A（TC）	10V	2.4OHM @ 1.6A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±20V	135 pf @ 25 V	-	43W（TC）
HGTP10N40C1	1.0800	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		60 W	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1				-																			-	400 v	10 a	17.5 a	3.2V @ 20V，17.5A	-	19 nc	-
HGTH12N40C1D	-	RFQ	1099	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准		75 w	TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1				-														100 ns					-	400 v	12 a	17.5 a	3.2V @ 20V，17.5A	-	19 nc	-
IRF840RU	-	RFQ	5093	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-					0000.00.0000	150
IGTM20N50	1.0000	RFQ	4800	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3		标准			TO-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1				-																			-	500 v	20 a		-	-		-
Igth20n50a	2.6100	RFQ	5178	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准			TO-218隔离	下载				Ear99	8542.39.0001	38				-																			-	500 v	20 a		-	-		-
IGTM20N40	-	RFQ	9799	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3		标准			TO-3	下载				Ear99	8542.39.0001	25				-																			-	400 v	20 a		-	-		-
HGTD8P50GIS	-	RFQ	6829	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-					0000.00.0000	1
RFP30N6LER4541	0.4200	RFQ	4	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RFP30		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1														-
RFD10N05SM	0.6600	RFQ	11	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			n通道			50 V	-	-	-	-		-		-	-
IG77E20CS	1.0000	RFQ	9860	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定			1
RF1S540	1.1100	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1			n通道			100 v	28a（TC）	10V	77mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IGTM10N40	1.5800	RFQ	713	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3		标准			TO-3	下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1				-																			-	400 v	10 a		-	-		-
GES6028	0.2200	RFQ	8163	哈里斯公司	-	大部分	积极的			TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）						下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1,000		6V			1.5V										300兆																				1.6 v	10 na	25 µA	150 NA
IRFD220	0.5200	RFQ	913	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD220		MOSFET （金属 o化物）		4浸，hexdip，hvmdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1			n通道			200 v	800mA（ta）	10V	800MOHM @ 480mA，10V	4V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	260 pf @ 25 V	-	1W（ta）
mur8100e	-	RFQ	8173	哈里斯公司	SwitchMode™	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2			标准		TO-220-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1000 v	1.8 V @ 8 A	100 ns	25 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	8a	-
JANSR2N7292	407.6400	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-254-3，TO-254AA			MOSFET （金属 o化物）		TO-254AA	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1			n通道			100 v	25A（TC）	10V	70mohm @ 20a，10v	5V @ 1mA	552 NC @ 20 V	±20V		-	125W（TC）
IRF620R4587	0.2700	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRF620		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1200														-
IRF640S2497	-	RFQ	2298	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRF640		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1														-
IRF710	0.4100	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF710		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	1			n通道			400 v	2A（TC）	10V	3.6ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	135 pf @ 25 V	-	36W（TC）
rurds9a	0.5600	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	2,500
buz60bu	9.8400	RFQ	200	哈里斯公司	*	大部分	积极的				BUZ60		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		0000.00.0000	1														-
RHRP4120CC	-	RFQ	2053	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			400

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（1081）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²