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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 场效应管类型 测试条件 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F IGBT类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) Vce(on)(顶部)@Vge, Ic 开关能量 重力悬浮 Td(开/关)@ 25°C 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化
RHRP3090 Harris Corporation RHRP3090 1.4200
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ECAD 4 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 TO-220-2 雪崩 TO-220AC 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 900伏 3V@30A 75纳秒 900V时为500μA -65℃~175℃ 30A -
HGTP10N40C1 Harris Corporation HGTP10N40C1 1.0800
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 标准 60W TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 - - 400V 10A 17.5安 3.2V@20V,17.5A - 19nC -
IRF740R Harris Corporation IRF740R -
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ECAD 8783 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 46 N沟道 400V 10A(温度) 10V 550mOhm@5.2A,10V 4V@250μA 63nC@10V ±20V 1250pF@25V - 125W(温度)
RURDG30100 Harris Corporation 鲁德G30100 1.3500
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ECAD 360 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 1
IRFD111 Harris Corporation IRFD111 -
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ECAD 5736 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-DIP(0.300英寸,7.62毫米) MOSFET(金属O化物) 4-DIP、六角浸入 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 108 N沟道 80V 1A(温度) 10V 600毫欧@800毫安,10伏 4V@250μA 7nC@10V ±20V 135pF@25V - 1W(温度)
IRFD213 Harris Corporation IRFD213 0.5900
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ECAD 5 0.00000000 哈里斯公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 4-DIP(0.300英寸,7.62毫米) MOSFET(金属O化物) 4-HVMDIP 下载 不符合RoHS标准 EAR99 8541.29.0095 2,500人 N沟道 250伏 450mA(塔) 2欧姆@270mA,10V 4V@250μA 10V时为8.2nC 140pF@25V - -
RHRU50120 Harris Corporation RHRU50120 3.4700
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ECAD 第425章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 安装结构 TO-218-1 雪崩 TO-218 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1200伏 3.2V@50A 100纳秒 1200V时为500μA -65℃~175℃ 50A -
IRFD110 Harris Corporation IRFD110 0.5700
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ECAD 44 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 4-DIP(0.300英寸,7.62毫米) IRFD110 MOSFET(金属O化物) 4-DIP、六角浸、HVMDIP 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 0000.00.0000 1 N沟道 100伏 1A(塔) 10V 540mOhm@600mA,10V 4V@250μA 10V时为8.3nC ±20V 180pF@25V - 1.3W(塔)
RURD3050 Harris Corporation 鲁德3050 -
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ECAD 5836 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 TO-218-3隔离片、TO-218AC 雪崩 TO-218隔离 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 500V 30A 1.5V@30A 60纳秒 500V时为30μA -55℃~175℃
IRFR421 Harris Corporation IRFR421 0.4100
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 MOSFET(金属O化物) TO-252,(D-Pak) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 450伏 2.5A(温度) 10V 3欧姆@1.3A,10V 4V@250μA 19nC@10V ±20V 350pF@25V - 50W(温度)
RURD1515 Harris Corporation 鲁德1515 2.3200
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ECAD 5604 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 TO-218-3隔离片、TO-218AC 雪崩 TO-218隔离 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 93 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 150伏 15A 1.05V@15A 35纳秒 150V时为10μA -55℃~175℃
IRF647 Harris Corporation IRF647 0.9600
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) D2PAK (TO-263) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 275伏 13A(温度) 10V 340毫欧@8A,10V 4V@250μA 59nC@10V ±20V 1300pF@25V - 125W(温度)
HGTD3N60B3 Harris Corporation HGTD3N60B3 0.5100
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ECAD 4 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA 标准 33.3W I-PAK 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 480V,3.5A,82欧姆,15V 16纳秒 - 600伏 7A 20A 2.1V@15V,3.5A 66μJ(开),88μJ(关) 21nC 18纳秒/105纳秒
RURG3010CC Harris Corporation 鲁格3010CC 2.8600
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ECAD 第768章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 TO-247-3 雪崩 TO-247 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 100伏 30A 1V@30A 50纳秒 100V时为500μA -65℃~175℃
2N6792 Harris Corporation 2N6792 1.5900
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ECAD 10 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-205AF 金属罐 MOSFET(金属O化物) TO-205AF (TO-39) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 189 N沟道 400V 2A(温度) 10V 1.8欧姆@1.25A,10V 4V@1mA ±20V 600pF@25V - 20W(温度)
2N6760TXV Harris Corporation 2N6760TXV 7.7600
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ECAD 第437章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-204AA MOSFET(金属O化物) TO-3 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 0000.00.0000 1 N沟道 400V 5.5A(温度) 10V 1欧姆@3.5A,10V 4V@1mA ±20V 800pF@25V - 75W(温度)
RF1S17N06L Harris Corporation RF1S17N06L 0.6700
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ECAD 4 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 射频1S - - 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 -
BD240A Harris Corporation BD240A -
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ECAD 3864 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 过时的 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 30W TO-220 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8541.29.0095 第253章 60V 2A 300微安 国民党 700mV@200mA,1A 40@200mA,4V -
RHRP8120CC Harris Corporation RHRP8120CC 0.9400
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ECAD 6877 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 TO-220-3 雪崩 TO-220 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 57 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 1200伏 8A 3.2V@8A 65纳秒 100μA@1200V -65℃~175℃
IRFF232 Harris Corporation IRFF232 1.0100
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ECAD 第341章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 - 通孔 TO-205AF 金属罐 MOSFET(金属O化物) TO-205AF (TO-39) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 200V 4.5A(温度) - - - - - 25W
RUR3015 Harris Corporation 鲁尔3015 0.8100
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ECAD 第460章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 TO-220-2 标准 TO-220AC 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 150伏 1V@30A 50纳秒 150V时为30μA -55℃~175℃ 30A -
HUF76139S3 Harris Corporation HUF76139S3 1.2200
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ECAD 800 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA MOSFET(金属O化物) I2PAK (TO-262) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 30V 75A(温度) 4.5V、10V 7.5毫欧@75A,10V 3V@250μA 78nC@10V ±16V 2700pF@25V - 200W(温度)
IRF830 Harris Corporation IRF830 1.4600
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ECAD 第329章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 0000.00.0000 1 N沟道 500V 4.5A(温度) 1.5欧姆@2.5A,10V 4V@250μA 32nC@10V ±20V 600pF@25V - 75W(温度)
RFD8P06LE Harris Corporation RFD8P06LE 0.3000
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH旅行 2156-RFD8P06LE-600026 1
MUR1510 Harris Corporation 毛里求斯1510 1.7300
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ECAD 5 0.00000000 哈里斯公司 切换模式™ 管子 过时的 通孔 TO-220-2 标准 TO-220-2 下载 不符合RoHS标准 EAR99 8541.10.0080 50 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 100伏 1.05V@15A 35纳秒 10μA@100V -65℃~175℃ 15A -
IRF626 Harris Corporation IRF626 0.5300
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ECAD 997 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 275伏 3.8A(温度) 10V 1.1欧姆@1.4A,10V 4V@250μA 22nC@10V ±20V 340pF@25V - 40W(温度)
RF1S30P06 Harris Corporation RF1S30P06 -
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ECAD 1602 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 射频1S - - 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 0000.00.0000 1 -
2N6771 Harris Corporation 2N6771 0.3300
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ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -65°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 40W TO-220 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.29.0075 1 450伏 1A 100微安 NPN 1V@200mA,1A 20@300mA,3V 50兆赫
2N3393 Harris Corporation 2N3393 0.3200
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ECAD 1 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 2N339 625毫W TO-92-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.21.0095 1 25V 500毫安 100nA(ICBO) NPN - 90@2mA,4.5V -
IRFU321 Harris Corporation IRFU321 -
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ECAD 8903 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA MOSFET(金属O化物) I-PAK 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 350伏 3.1A(塔) 10V 1.8欧姆@1.7A,10V 4V@250μA 20nC@10V ±20V 350pF@25V - 50W(温度)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    日平均询价量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000米2

    智能仓库