分立半导体产品(1081)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	分布类型	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	噪声系数（dB Typ @ f）
RFD8P06ESM	-	询价	6983	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		P沟道			60V	8A	-	-	-		-		-	-
HGTP15N50E1	1.6600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准		75W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1			-																					-	500V	15A	35A	3.2V@20V，35A	-	33nC	-
穆尔810	0.5200	询价	3	哈里斯公司	切换模式™	管子	过时的		通孔	TO-220-2			标准		TO-220-2	下载	不符合RoHS标准			EAR99	8541.10.0080	50	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															100伏		975毫伏@8安	35纳秒	100V时为5μA	-65℃～175℃	8A	-
鲁德640S	0.5600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			标准		TO-252，（D-Pak）	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															400V		1V@6A	60纳秒	400V时为100μA	-65℃～175℃	6A	-
IRFP250S2497	-	询价	7461	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-					0000.00.0000	1
A115E	0.4100	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	过时的		通孔							下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															500V		1.3V@3A	150微秒	500V时为2μA	-65℃～175℃	3A	40pF @ 4V，1MHz
RFP8N18L	0.8700	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			180伏	8A（温度）	5V	500mOhm@4A、5V	2V@1mA		±10V	900pF@25V	-	60W（温度）
RHRP3050	1.4600	询价	9116	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.10.0080	150	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															500V		2.1V@30A	45纳秒	1毫安@500伏	-65℃～175℃	30A	-
RF1S540SM	2.0600	询价	7689	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	3		N沟道			100伏	28A（温度）	10V	77毫欧@17A，10V	4V@250μA	59nC@10V	±20V	1450pF@25V	-	150W（温度）
RHRU7570	3.9200	询价	4195	哈里斯公司	-	大部分	的积极		安装结构	TO-218-1			雪崩		TO-218	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.10.0080	60	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															700伏		3V@75A	100纳秒	700V时为500μA	-65℃～175℃	75A	-
IRF610S2497	0.1800	询价	2	哈里斯公司	*	大部分	的积极				IRF610		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义			1													-
鲁格30100	-	询价	3220	哈里斯公司	-	大部分	过时的		通孔	TO-247-2			标准		TO-247-2	下载				EAR99	8542.39.0001	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															1000伏		1.8V@30A	150纳秒	1000V时为250μA		30A	-
2N6760	-	询价	6901	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-204AA	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			400V	5.5A（温度）	10V	1.22欧姆@5.5A，10V	4V@250μA	39nC@10V	±20V		-	4W（Ta）、75W（Tc）
鲁格8040	6.7900	询价	7	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-247-2			雪崩		TO-247-2	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															400V		1.6V@80A	85纳秒	400V时为500μA	-65℃～175℃	80A	-
HFA3127MJ/883	26.7200	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 125°C（太焦）	通孔	16-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）				150毫W	16-CERDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	0000.00.0000	1				-																					12V	65毫安								5 NPN		40@10mA，2V	8GHz	3.5dB@1GHz
IGT6E21	3.4800	询价	第289章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-247-3		标准			TO-247	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1			-																					-	500V	32A		-	-		-
RFM10N15L	2.1800	询价	第1363章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	109		N沟道			150伏	10A（温度）	5V	300mOhm@5A、5V			±10V	1200pF@25V	-	75W（温度）
鲁普810CC	-	询价	7655	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-3			雪崩		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.10.0080	300	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														1对共轴线	100伏	8A	975毫伏@8安	30纳秒	100V时为500μA	-65℃～175℃
SK3546	-	询价	4942	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	-	-			标准		-	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.10.0080	42																																单相
2N6108	0.6000	询价	9328	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				40W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	38																									60V	7A							1毫安	国民党	3.5V@3A、7A	30 @ 2.5A，4V	10兆赫兹
IRF633	0.6800	询价	9270	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	124		N沟道			150伏	8A（温度）	10V	600mOhm@5A，10V	4V@250μA	30nC@10V	±20V	600pF@25V	-	75W（温度）
布克斯12	7.4800	询价	98	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1
IRF232	-	询价	2234	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	201		N沟道			200V	8A（温度）	10V	600mOhm@5A，10V	4V@250μA	30nC@10V	±20V	600pF@25V	-	75W（温度）
IRFP142R	-	询价	7056	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	6		N沟道			100伏	27A（温度）	10V	99毫欧@19A，10V	4V@250μA	59nC@10V	±20V	1275pF@25V	-	180W（温度）
IRFD1Z3	0.5200	询价	12	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸入	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			60V	400mA（温度）	10V	3.2欧姆@250mA，10V	4V@250μA	3nC@10V	±20V	50pF@25V	-	1W（温度）
IRFF9122	1.2300	询价	第422章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			100伏	3.5A（温度）	-	-	-		-		-	20W
IRFF221	1.0700	询价	650	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐			MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			150伏	3.5A（温度）	10V	800毫欧@2A，10V	4V@250μA	15nC@10V	±20V	450pF@25V	-	20W（温度）
HUF76137S3S	1.9300	询价	197	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK (TO-263)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			30V	75A（温度）	4.5V、10V	9毫欧@75A，10V	3V@250μA	72nC@10V	±16V	2100pF@25V	-	145W（温度）
RFP42N03L	1.1400	询价	63	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	0000.00.0000	1		N沟道			30V	42A（温度）		25毫欧@42A，5V	2V@250μA	60nC@10V	±10V	1650pF@25V	-	90W（温度）
RFP70N06S5001	0.3600	询价	2513	哈里斯公司	*	大部分	的积极				RFP70		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义			800													-

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2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(1081)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²