分立半导体产品(1081)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	噪声系数（dB Typ @ f）
穆尔870E	0.6400	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2		标准		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														700伏		1.8V@8A	110纳秒	700V时为500μA	-55℃～175℃	8A	-
IRF621	0.4300	询价	14	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		150伏	5A（温度）	10V	800毫欧@2.5A，10V	4V@250μA	15nC@10V	±20V	450pF@25V	-	40W（温度）
RHRD460S96	0.9100	询价	610	哈里斯公司	-	大部分	的积极		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		雪崩		TO-252-3（DPAK）	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														600伏		2.1V@4A	35纳秒	100 µA @ 600 V	-65℃～175℃	4A	-
GE1103	0.8800	询价	890	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	DO-204，缝合		标准		DO-204	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														150伏		950毫伏@2安	35纳秒	150V时为2μA	-65℃～175℃	2.5A	45pF @ 4V，1MHz
鲁普3050	1.3600	询价	第773章	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2		雪崩		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														500V		1.5V@30A	60纳秒	500V@500μA	-55℃～175℃	30A	-
鲁德810	0.8500	询价	400	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-3		标准		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													1对共轴线	100伏	8A	975毫伏@8安	35纳秒	100V时为5μA	-55℃～175℃
2N6387	1.2200	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	2N6387		2W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8542.39.0001	第247章																								60V	10A				1毫安	NPN-达林顿	3V@100mA，10A	1000 @ 5A，3V	-
2N6043	2.2500	询价	7887	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	2N6043		75W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	8541.29.0095	96																								60V	8A				20微安	NPN-达林顿	2V@16mA，4A	1000 @ 4A、4V	-
D40E5	-	询价	4125	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-202 长翼片			1.33W	TO-202AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	8541.29.0075	第337章																								60V	2A				-	NPN	-	-
鲁德G3090	-	询价	2641	哈里斯公司	*	大部分	的积极								-					0000.00.0000	1
HFA3127B96-HC	2.9600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）			150毫W	16-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	0000.00.0000	2,500人				-																				12V	65毫安					5 NPN		40@10mA，2V	8GHz	3.5dB@1GHz
RFL4N15	1.1000	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-205AF 金属罐		MOSFET（金属O化物）		TO-205AF (TO-39)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		150伏	4A（温度）	10V	400mOhm@2A，10V	4V@1mA		±20V	850pF@25V	-	8.33W（温度）
鲁德G3050	-	询价	5870	哈里斯公司	*	大部分	的积极								-					0000.00.0000	1
BD241A	-	询价	5973	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			40W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0095	177																								60V	3A				300微安	NPN	1.2V@600mA，3A	25@1A，4V	-
2N4990	1.0000	询价	7100	哈里斯公司	-	大部分	的积极								-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.30.0080	1
HUF75309P3	-	询价	5371	哈里斯公司	超场效应晶体管™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0095	400			N沟道		55V	19A（TC）		70毫欧@19A，10V	4V@250μA	24nC@20V	±20V	350pF@25V	-	55W（温度）
BUZ32	0.5600	询价	1690	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0095	第480章			N沟道		200V	9.5A（温度）		400mOhm@4.5A，10V	4V@1mA		±20V	2000pF@25V	-	75W（温度）
CA3096CM	0.8100	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 125°C（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	CA3096		200毫W	16-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.21.0095	1																								24V	50毫安、10毫安				1微安	NPN、PNP	700mV@1mA、10mA/400mV、100μA、1mA	100 @ 1mA，5V / 30 @ 100μA，5V	335兆赫、6.8兆赫
RFD8P06E	0.2900	询价	2	哈里斯公司	*	大部分	的积极								-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1
2N5490	1.0200	询价	第565章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			50W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0075	1																								40V	7A				2毫安	NPN	1V@200mA，2A	20@2A，4V	800kHz
RF1S22N10SM	0.7900	询价	3	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		100伏	22A	-	-	-		-		-	-
RCA9116E	1.4600	询价	第581章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			200W	TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1																								100伏	200A				1毫安	国民党	1.5V@500mA、750mA	10 @ 7.5A，2V	2兆赫兹
尖头30B	0.3200	询价	9	哈里斯公司	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			2W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	1																								80V	1A				300微安	国民党	700mV@125mA，1A	40@200mA，4V	3兆赫兹
RFP10P15	2.1400	询价	75	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		150伏	10A（温度）	10V	500mOhm@5A，10V	4V@1mA		±20V	1700pF@25V	-	75W（温度）
D72F5T2	0.4100	询价	159	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			1W	TO-252-3（DPAK）	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1																								50V	5A				1μA（ICBO）	NPN	400mV@150mA，3A	70@1A、1V	-
鲁格3050	1.7800	询价	第589章	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-247-2		雪崩		TO-247-2	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														500V		1.5V@30A	60纳秒	500V@500μA	-65℃～175℃	30A	-
IRF730	1.1400	询价	24	哈里斯公司	PowerMESH™ II	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRF7	MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	0000.00.0000	1			N沟道		400V	5.5A（温度）	10V	1欧姆@3A，10V	4V@250μA	24nC@10V	±20V	530pF@25V	-	100W（温度）
2N5362	1.1200	询价	1346	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-206AF、TO-72-4金属罐			300毫W	TO-72-4	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.21.0095	2			N沟道		40V							6pF@15V														40V	4毫安@15伏	2V@100nA
IRF710R	-	询价	5558	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		400V	2A（温度）	10V	3.6欧姆@1.1A，10V	4V@250μA	12nC@10V	±20V	135pF@25V	-	36W（温度）
RF1K49223	0.7300	询价	37	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	射频1K4	MOSFET（金属O化物）	-	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1	2 个 P 沟道（双）				30V	2.5A		-	-	-		-	-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(1081)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²