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离散半导体产品（（1081）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	申请	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（amp）	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
TIP32C	0.2900	RFQ	1	哈里斯公司	-	管子	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220-3	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	1,039																							100 v	3 a						300µA	PNP	1.2V @ 375mA，3a	10 @ 3A，4V	3MHz
HUF753373	0.2500	RFQ	2	哈里斯公司	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	400		n通道			55 v	75A（TC）		14mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	109 NC @ 20 V	±20V	1775 PF @ 25 V	-	175W（TC）
IRFD123	0.8700	RFQ	40	哈里斯公司	-	管子	过时的				通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）			MOSFET （金属 o化物）		4-HVMDIP	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	346		n通道			100 v	1.3a（ta）		270MOHM @ 780mA，10V	4V @ 250µA	16 NC @ 10 V		360 pf @ 25 V	-
HUF753093	-	RFQ	5371	哈里斯公司	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	400		n通道			55 v	19a（tc）		70mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 20 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	55W（TC）
RFP12N10L	1.0000	RFQ	9637	哈里斯公司	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	800		n通道			100 v	12A（TC）	5V	200mohm @ 12a，5v	2V @ 250µA		±10V	900 pf @ 25 V	-	60W（TC）
RFP70N03	1.4800	RFQ	5	哈里斯公司	-	管子	过时的				通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	50		n通道			30 V	70A（TC）		10mohm @ 70a，10v	4V @ 250µA	260 NC @ 20 V		3300 PF @ 25 V	-
HGTD7N60C3S	-	RFQ	4129	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）		表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		60 W	TO-252AA	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	33				-																		-	600 v	14 a	56 a	2V @ 15V，7a	-	23 NC	-
IGT6E2121	-	RFQ	5095	哈里斯公司	*	大部分	积极的											-					0000.00.0000	1
HUF75321S3S	0.4300	RFQ	991	哈里斯公司	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	50		n通道			55 v	35A（TC）	10V	34mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	44 NC @ 20 V	±20V	680 pf @ 25 V	-	93W（TC）
HGTH20N40C1	-	RFQ	6547	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准		100 W	TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	53				-																		-	400 v	20 a	35 a	3.2V @ 20V，35a	-	33 NC	-
RFD8P05SM9A	0.9200	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的											下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	325
CA3183EX	1.0000	RFQ	7671	哈里斯公司	*	大部分	积极的						CA3183					-	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	1
IRF532	1.2100	RFQ	4371	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	195		n通道			100 v	12A（TC）	10V	230mohm @ 8.3a，10v	4V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	79W（TC）
CA3097E	0.5700	RFQ	2993	哈里斯公司	-	大部分	积极的	50V		-	通过洞	16 浸（0.300英寸，7.62mm）	CA3097				16-PDIP	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.59.0080	96			100mA，10mA																												NPN，PNP （发射器耦合）
提示30B	0.3200	RFQ	9	哈里斯公司	-	大部分	积极的		150°C（TJ）		通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1																							80 V	1 a						300µA	PNP	700mv @ 125mA，1a	40 @ 200ma，4V	3MHz
RURU50120	3.4700	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的				底盘安装	TO-218-1			雪崩		TO-218	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														1200 v	2.1 V @ 50 A	200 ns	500 µA @ 1200 V	-65°C〜175°C	50a	-
IRF610S2497	0.1800	RFQ	2	哈里斯公司	*	大部分	积极的						IRF610		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定			1													-
A115E	0.4100	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	过时的				通过洞							下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														500 v	1.3 V @ 3 A	150 µs	2 µA @ 500 V	-65°C〜175°C	3a	40pf @ 4V，1MHz
RURDG3090	-	RFQ	2641	哈里斯公司	*	大部分	积极的											-					0000.00.0000	1
RURP1540	1.0400	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的				通过洞	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														400 v	1.25 V @ 15 A	60 ns	100 µA @ 400 V	-55°C 〜175°C	15a	-
RF1S45N02L	0.5200	RFQ	999	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1		n通道			20 v	45A（TC）	5V	22mohm @ 45a，5v	2V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±10V	1300 pf @ 15 V	-	90W（TC）
RHRP1580	2.0000	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的				通过洞	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														800 v	3 V @ 15 A	70 ns	100 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	15a	-
RURP8120	0.6100	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的				通过洞	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														1200 v	2.1 V @ 8 A	110 ns	100 µA @ 1200 V	-65°C〜175°C	8a	-
IRFP153	1.7900	RFQ	6464	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）		通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	30		n通道			60 V	34A（TC）	10V	80Mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	180W（TC）
RF1S30P06SM	-	RFQ	8263	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		P通道			60 V	30a	-	-	-		-		-	-
RHRU7570	3.9200	RFQ	4195	哈里斯公司	-	大部分	积极的				底盘安装	TO-218-1			雪崩		TO-218	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	60	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														700 v	3 V @ 75 A	100 ns	500 µA @ 700 V	-65°C〜175°C	75a	-
RFD14N05L	1.0000	RFQ	6552	哈里斯公司	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	1,800		n通道			50 V	14A（TC）	5V	100mohm @ 14a，5v	2V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±10V	670 pf @ 25 V	-	48W（TC）
RFD7N10LE	0.5000	RFQ	5	哈里斯公司	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）		通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道			100 v	7A（TC）	5V	300MOHM @ 7A，5V	2V @ 250µA	150 NC @ 10 V	+10V，-8V	360 pf @ 25 V	-	47W（TC）
RURD640S	0.5600	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的				表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			标准		TO-252，（-d-pak）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														400 v	1 V @ 6 A	60 ns	100 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	6a	-
IRFP250S2497	-	RFQ	7461	哈里斯公司	*	大部分	积极的											-					0000.00.0000	1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（1081）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²