分立半导体产品(1081)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	配置	速度	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 漏极 (Idss) @ Vds (Vgs=0)	电压 - 暂时（VGS 关闭）@ Id	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
IRF122	0.8800	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		100伏	8A（温度）	10V	360毫欧@5.6A，10V	4V@250μA	15nC@10V	±20V	350pF@25V	-	60W（温度）
HGTG32N60E2	7.9500	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准		208W	TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1				-																		-	600伏	50A	200A	2.9V@15V，32A	-	第265章	-
鲁普1540	1.0400	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	1		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													400V	1.25V@15A	60纳秒	400V时为100μA	-55℃～175℃	15A	-
IRFBC42R	-	询价	3949	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	50			N沟道		600伏	5.4A（温度）	10V	1.6欧姆@3.4A，10V	4V@250μA	60nC@10V	±20V	1300pF@25V	-	125W（温度）
IGT6E20	3.4800	询价	7218	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-247-3		标准			TO-247	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	78				-																		-	500V	32A		-	-		-
RHRP30100	-	询价	2029年	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	155		快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													1000伏	3V@30A	75纳秒	1000V时为500μA	-65℃～175℃	30A	-
鲁德30100	2.8900	询价	365	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1
HGT1S3N60B3DS	0.7300	询价	8972	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		标准		33.3W	TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	50				480V，3.5A，82欧姆，15V													28纳秒					-	600伏	7A	20A	2.1V@15V，3.5A	66μJ（开），88μJ（关）	18nC	18纳秒/105纳秒
HGT4E30N60B3S	4.8000	询价	450	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1
2N6530	1.0000	询价	6711	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				65W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1																							80V	8A									1毫安	NPN-达林顿	3V@80mA，8A	1000 @ 5A，3V	-
RFP3N45	1.0000	询价	5311	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		450伏	3A（温度）	10V	3欧姆@1.5A，10V	4V@1mA		±20V	750pF@25V	-	60W（温度）
IRF822	0.4600	询价	20	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		500V	2.2A（温度）	10V	4欧姆@1.4A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±20V	360pF@25V	-	50W（温度）
IRF642R	0.8100	询价	500	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		200V	16A（温度）	10V	220毫欧@10A，10V	4V@250μA	64nC@10V	±20V	1275pF@25V	-	125W（温度）
HFA3128B96	2.4200	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极				HFA3128					下载		供应商未定义	REACH旅行	2156-HFA3128B96-600026	EAR99	8541.21.0095	1
HGTD3N60B3S9A	0.5200	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		标准		33.3W	TO-252-3（DPAK）	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1				480V，3.5A，82欧姆，15V													16纳秒					-	600伏	7A	20A	2.1V@15V，3.5A	66μJ（开），88μJ（关）	21nC	18纳秒/105纳秒
IRF710R	-	询价	5558	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		400V	2A（温度）	10V	3.6欧姆@1.1A，10V	4V@250μA	12nC@10V	±20V	135pF@25V	-	36W（温度）
RF1K49223	0.7300	询价	37	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	8-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）	射频1K4		MOSFET（金属O化物）	-	8-SOIC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1	2 个 P 沟道（双）				30V	2.5A		-	-	-		-	-
2N5362	1.1200	询价	1346	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-206AF、TO-72-4金属罐				300毫W	TO-72-4	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	2			N沟道		40V							6pF@15V																		40V	4毫安@15伏	2V@100nA
MJH13090	-	询价	2647	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC				125W	TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	46																							400V	15A									3毫安	NPN	3V@3A、15A	8@10A，3V	-
IRFU422	-	询价	5221	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	第740章			N沟道		500V	2.2A（温度）	10V	4欧姆@1.3A，10V	4V@250μA	19nC@10V	±20V	350pF@25V	-	50W（温度）
RF1S50N06LESM	0.9000	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		60V	50A（温度）	5V	22mOhm@50A，5V	2V@250μA	120nC@10V	±10V	2100pF@25V	-	142W（温度）
2N5671	55.9700	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3	2N5671			6W	TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	6																							90V	30A									10毫安	NPN	5V@6A、30A	20@20A，5V	-
RF1S45N06LESM9A	0.9500	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极									下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	第317章
RFD3055	-	询价	9283	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			MOSFET（金属O化物）		I-PAK	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	75			N沟道		60V	12A（温度）		150mOhm@12A，10V	4V@250μA	23nC@20V	±20V	300pF@25V	-	53W（温度）
鲁德820	1.8800	询价	189	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	189
BUZ41A	1.3600	询价	7	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		500V	4.5A（温度）	10V	1.5欧姆@2.5A，10V	4V@1mA		±20V	2000pF@25V	-	75W（温度）
RFIS30P06	1.5000	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极				RF信息系统30		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1													-
HGTG27N60C3DR	5.9600	询价	68	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-247-3		标准		208W	TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1				-																		-	600伏	54A	108一个	2.2V@15V，27A	-	212nC	-
D44T1	-	询价	5733	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0075	1
IRF133	-	询价	4608	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			N沟道		80V	12A（温度）	10V	230毫欧@8.3A，10V	4V@250μA	26nC@10V	±20V	600pF@25V	-	79W（温度）

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2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(1081)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²