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离散半导体产品（（1081）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
RF1K49223	0.7300	RFQ	37	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	RF1K4		MOSFET （金属 o化物）	-	8-SOIC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1	2（p 通道（双）					30V	2.5a		-	-	-		-	-
RURP3050	1.3600	RFQ	773	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															500 v		1.5 V @ 30 A	60 ns	500 µA @ 500 V	-55°C 〜175°C	30a	-
IRF523	0.3300	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			80 V	8A（TC）	10V	360MOHM @ 5.6A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	60W（TC）
HUF75307D3ST	0.3700	RFQ	1977年	哈里斯公司	Ultrafet™	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			55 v	15A（TC）		90MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 20 V	±20V	250 pf @ 25 V	-	45W（TC）
RF1S15N06SM	0.5100	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			60 V	15a	-	-	-		-		-	-
RF1S45N06LESM9A	0.9500	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的									下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	317
RFP12N06RLE	0.6000	RFQ	13	哈里斯公司	Ultrafet™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			60 V	18A（TC）	4.5V，10V	63mohm @ 18a，10v	3V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±16V	485 pf @ 25 V	-	49W（TC）
2N6134	1.1200	RFQ	374	哈里斯公司	*	大部分	积极的									下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1
SK3546	-	RFQ	4942	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	-	-			标准		-	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	42																																	单相
RFP2P10	0.5100	RFQ	11	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			P通道			100 v	2A（TC）	10V	3.5OHM @ 1A，10V	4V @ 1mA		±20V	150 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IRFU221	0.4000	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			150 v	4.6A（TC）	10V	800MOHM @ 2.4a，10V	4V @ 250µA	18 nc @ 10 V	±20V	330 pf @ 25 V	-	50W（TC）
RFP10N12L	1.0700	RFQ	54	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			120 v	10A（TC）	5V	300MOHM @ 5A，5V			±10V	1200 pf @ 25 V	-	60W（TC）
RURD810	0.8500	RFQ	400	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-3			标准		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														1对普通阴极	100 v	8a	975 mv @ 8 a	35 ns	5 µA @ 100 V	-55°C 〜175°C
RURDG3050	-	RFQ	5870	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-						0000.00.0000	1
IRFU1920	0.5000	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
D40V1	0.4300	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-202长标签				1.7 w	TO-202AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	1																										250 v	100 ma							10µA	NPN	1V @ 2mA，20mA	60 @ 20mA，10v
IRFP250S2497	-	RFQ	7461	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-						0000.00.0000	1
HFA3128B96	2.4200	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的				HFA3128					下载		供应商不确定	到达受影响	2156-HFA3128B96-600026	Ear99	8541.21.0095	1
HGTP10N40F1D	0.9600	RFQ	806	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		75 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1				-																					-	400 v	12 a	12 a	2.5V @ 10V，5A	-	13.4 NC	-
HFA3096B96	2.1900	RFQ	19	哈里斯公司	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	表面安装	16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm）				150MW	16-Soic	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	0000.00.0000	2,500					-																					8V	65mA								3 NPN + 2 PNP		40 @ 10mA，2v，20 @ 10mA，2V	8GHz，5.5GHz	3.5db @ 1GHz
IRF730	1.1400	RFQ	24	哈里斯公司	PowerMesh™II	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF7		MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1			n通道			400 v	5.5A（TC）	10V	1欧姆 @ 3A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±20V	530 pf @ 25 V	-	100W（TC）
IRF232	-	RFQ	2234	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	201			n通道			200 v	8A（TC）	10V	600MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	600 pf @ 25 V	-	75W（TC）
IRF642R	0.8100	RFQ	500	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			200 v	16A（TC）	10V	220MOHM @ 10A，10V	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	1275 PF @ 25 V	-	125W（TC）
RFIS30P06	1.5000	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RFIS30		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1														-
RHRP15100	1.0000	RFQ	350	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	350		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															1000 v		3 V @ 15 A	70 ns	100 µA @ 1000 V	-65°C〜175°C	15a	-
HGTG24N60D1D	9.6000	RFQ	9	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		125 w	TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1				-																60 ns					-	600 v	40 a	96 a	2.3V @ 15V，24a	-	155 NC	-
HGTP10N40EID	1.5800	RFQ	225	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定				225
RURD440	0.5200	RFQ	1558年	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-251-2，IPAK			雪崩		TO-251	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	438		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															400 v		1.5 V @ 4 A	60 ns	100 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	4a	-
IRFD9110	0.3700	RFQ	15	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	4- 浸（0.300英寸，7.62mm）	IRFD9110		MOSFET （金属 o化物）		4浸，hexdip，hvmdip	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	807			P通道			100 v	700mA（TA）	10V	1.2OHM @ 420mA，10V	4V @ 250µA	8.7 NC @ 10 V	±20V	200 pf @ 25 V	-	1.3W（TA）
HGTD3N60B3S9A	0.5200	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		标准		33.3 w	TO-252-3（DPAK）	下载	Rohs不合规	3（168））	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1				480V，3.5a，82ohm，15V																16 ns					-	600 v	7 a	20 a	2.1V @ 15V，3.5a	66µJ（在）上，88µJ（88µJ）	21 NC	18NS/105NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（1081）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²