分立半导体产品(1081)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 反向 (Vr)（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
HGTA32N60E2	10.6000	询价	215	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-218-5		标准		208W	TO-218-5	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			-																		-	600伏	50A	200A	2.9V@15V，32A	-	第265章	-
HGTD7N60B3	0.6800	询价	900	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		标准		60W	I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			480V，7A，50欧姆，15V																		-	600伏	14A	56A	2.1V@15V，7A	160μJ（开），120μJ（关）	30纳克	26纳秒/130纳秒
RFP40N10LE	1.0000	询价	9740	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH旅行	2156-RFP40N10LE-600026			1
IRFBC42	0.9600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		600伏	5.4A（温度）	10V	1.6欧姆@3.4A，10V	4V@250μA	60nC@10V	±20V	1300pF@25V	-	125W（温度）
IRFD121	0.4500	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸入	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		80V	1.3A（温度）	10V	300mOhm@600mA，10V	4V@250μA	15nC@10V	±20V	450pF@25V	-	1W（温度）
RF1S30P06SM9A	-	询价	9945	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	800		P沟道		60V	30A（温度）	10V	65毫欧@30A，10V	4V@250μA	170nC@20V	±20V	3200pF@25V	-	135W（温度）
RF1K4909396	0.5700	询价	2	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	REACH旅行	2156-RF1K4909396-600026			1
HGTG20N60C3R	2.4500	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-247-3		标准		164W	TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			-																		-	600伏	40A	80A	2.2V@15V，20A	-	116nC	-
RFB18N10CS	2.4900	询价	950	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-5			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB-5	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道		100伏	18A（温度）		100mOhm@9A，10V	4V@250μA	20nC@10V	±20V		电流检测	79W（温度）
GER4004	-	询价	8013	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	DO-204，缝合			标准		DO-204	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)													400V	1.2V@1A	2微秒	2μA@400V	-65℃～175℃	1A	15pF@4V，1MHz
鲁德G1540	1.7800	询价	210	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1
D44H11	-	询价	5651	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0075	50																						80V	10A						10微安	NPN	1V@400mA，8A	60@2A，1V	50兆赫
RF1S45N02L	0.5200	询价	999	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）		I2PAK (TO-262)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道		20V	45A（温度）	5V	22mOhm@45A，5V	2V@250μA	60nC@10V	±10V	1300pF@15V	-	90W（温度）
IRF730R4587	0.5700	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极				IRF73		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1												-
A115DX11	0.6700	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔							-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1,600	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													400V	1.3V@3A	150微秒	2μA@400V	-65℃～175℃	3A	40pF @ 4V，1MHz
RFD8P05SM9A	0.9200	询价	3	哈里斯公司	-	大部分	的积极									下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	325
IRF614	0.4100	询价	2703	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	IRF614		MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	695		N沟道		250伏	2.7A（温度）	10V	2欧姆@1.6A，10V	4V@250μA	10V时为8.2nC	±20V	140pF@25V	-	36W（温度）
BD899	0.5300	询价	9584	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-220-3				70W	TO-220C	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	18																						80V	8A						-	NPN	-	-	1兆赫兹
RF1S50N06SM9AS2551	1.0300	询价	第653章	哈里斯公司	*	大部分	的积极				射频1S		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1												-
BUZ76	0.5600	询价	700	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		400V	3A（温度）	10V	1.8欧姆@2A，10V	4V@1mA		±20V	650pF@25V	-	40W（温度）
D72FY4D1	-	询价	6762	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA				1W	I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	300																						80V	4A						20μA（ICBO）	NPN-达林顿	1.5V@6mA，3A	2000 @ 1A，2V	-
RUR3090	-	询价	2898	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													900伏	1.8V@30A	150纳秒	900V时为100μA	-65℃～175℃	30A	-
R旋RD650	0.5600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA			雪崩		I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													500V	2.1V@6A	35纳秒	500V时为100μA	-65℃～175℃	6A	-
RFG45N06	1.0800	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		60V	45A（温度）	10V	28毫欧@45A，10V	4V@250μA	150nC@20V	±20V	2050pF@25V	-	131W（温度）
IGT7E20CS	4.3200	询价	第334章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-218-5		标准			TO-218-5	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1			-																		-	500V	25A		-	-		-
BD277	-	询价	6598	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				70W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	903																						45V	7A						1毫安	国民党	500mV@100mA，1.75A	30@1.75A，2V	10兆赫兹
鲁普8120	0.6100	询价	3	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													1200伏	2.1V@8A	110纳秒	100μA@1200V	-65℃～175℃	8A	-
RHRP15100	1.0000	询价	350	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	350	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													1000伏	3V@15A	70纳秒	100μA@1000V	-65℃～175℃	15A	-
RFM12P08	1.5000	询价	第358章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道		80V	12A（温度）	10V	300mOhm@6A，10V	4V@1mA		±20V	1500pF@25V	-	100W（温度）
HGTP10N40EID	1.5800	询价	225	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	3（168小时）	供应商未定义				225

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(1081)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²