分立半导体产品(1081)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电压 - 击穿 (V(BR)GSS)	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
鲁尔860	-	询价	2897	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2			标准		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	8541.10.0080	第426章	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														600伏		1.5V@8A	60纳秒	600V时为10μA	-65℃～175℃	8A	-
RFM3N45	0.9700	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		450伏	3A（温度）	10V	3欧姆@1.5A，10V	4V@1mA		±20V	750pF@25V	-	75W（温度）
GE1003	0.3600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-204AE			标准		TO-204AE	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														150伏		950毫伏@1安	35纳秒	150V时为2μA	-65℃～175℃	1A	45pF @ 4V，1MHz
D40V1	0.4300	询价	3	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-202 长翼片				1.7W	TO-202AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0075	1																								250伏	100毫安							10微安	NPN	1V@2mA、20mA	60@20mA，10V
穆尔3050PT	-	询价	8836	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-218-3			标准		TO-218	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.10.0080	4	标准恢复 >500ns，>200mA (Io)														200V					-	30A	-
D43C2	-	询价	4650	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-202 长翼片				2.1W	TO-202AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	8541.29.0075	1																								30V	3A							10微安	国民党	500mV@50mA，1A	40@200mA，1V	40兆赫
BD240C	0.4900	询价	4332	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载				EAR99	8541.29.0095	166
TIP102-HC	-	询价	2564	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	0000.00.0000	1																								100伏	8A							50微安	NPN-达林顿	2.5V@80mA，8A	1000 @ 3A、4V	-
RFP15N05L119	-	询价	4124	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-					0000.00.0000	1
尖头29B	0.1700	询价	7240	哈里斯公司	-	管子	过时的	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0095	1,000																								80V	1A							300微安	NPN	700mV@125mA，1A	15@1A，4V	3兆赫兹
RURH3040CC	3.5500	询价	206	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC			雪崩		TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													1对共轴线	400V	30A	1.5V@30A	60纳秒	400V时为500μA	-55℃～175℃
2N3955A	6.5900	询价	162	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-71-6 金属罐					TO-71	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		2 个 N 沟道（双）									-																				50V
HUF76629D3S	0.7000	询价	第458章	哈里斯公司	超场效应晶体管™	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252，（D-Pak）	下载	符合ROHS3标准			EAR99	8541.29.0095	1,800		N沟道		100伏	20A（温度）	4.5V、10V	52毫欧@20A，10V	3V@250μA	46nC@10V	±16V	1285pF@25V	-	110W（温度）
RFP12N10L	1.0000	询价	9637	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0095	800		N沟道		100伏	12A（温度）	5V	200mOhm@12A，5V	2V@250μA		±10V	900pF@25V	-	60W（温度）
D44TD5	0.7700	询价	3	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				50W	TO-220	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0075	1																								400V	2A							100微安	NPN	1V@400mA，2A	8 @ 1A，2V	50兆赫
RF1S15N06SM	0.5100	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		60V	15A	-	-	-		-		-	-
IRF630	0.8500	询价	22	哈里斯公司	-	管子	过时的		通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准			EAR99	8541.29.0095	第382章		N沟道		200V	9A（温度）		400毫欧@5.4A，10V	4V@250μA	43nC@10V		800pF@25V	-
2N6478	1.1000	询价	400	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				50W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1																								150伏	2.5安							2毫安	NPN	2V@500mA，2.5A	25@1A，4V
IRF523	0.3300	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		80V	8A（温度）	10V	360毫欧@5.6A，10V	4V@250μA	15nC@10V	±20V	350pF@25V	-	60W（温度）
1560卢比	0.7500	询价	第775章	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														600伏		1.5V@15A	60纳秒	600V时为10μA	-55℃～175℃	15A	-
RFM25N06	-	询价	4352	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	148		N沟道		60V	25A（温度）	10V	70毫欧@12.5A，10V	4V@1mA		±20V	1700pF@25V	-	100W（温度）
RHRU75100	3.9200	询价	149	哈里斯公司	-	大部分	的积极		安装结构	TO-218-1			雪崩		TO-218	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														1000伏		3V@75A	100纳秒	1000V时为500μA	-65℃～175℃	75A	-
HGTG34N100E2	7.5400	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准		208W	TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	1			-																				-	1000伏	55A	200A	3.3V@15V，34A	-	240℃	-
RCA1A09	0.5600	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8542.39.0001	1
HGT1S7N60C3DS	1.2400	询价	8	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB	HGT1S7N60	标准		60W	TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	0000.00.0000	1			480V，7A，50欧姆，15V															37纳秒					-	600伏	14A	56A	2V@15V，7A	165μJ（开），600μJ（关）	23nC	-
RF1S640	1.3800	询价	4950	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）		I2PAK (TO-262)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH 不出行	EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		200V	18A（温度）	10V	180毫欧@10A，10V	4V@250μA	64nC@10V	±20V	1275pF@25V	-	125W（温度）
CA3045X	-	询价	9970	哈里斯公司	*	大部分	的积极				CA3045					-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.21.0075	29
HGTD8P50G1S	0.7900	询价	6	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		标准		66W	TO-252AA	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	供应商未定义	EAR99	0000.00.0000	1			-																				-	500V	12A	18A	2.9V@15V，3A	-	30纳克	-
RHRP30100	-	询价	2029年	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行	EAR99	8541.10.0080	155	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														1000伏		3V@30A	75纳秒	1000V时为500μA	-65℃～175℃	30A	-
IGT6E20	3.4800	询价	7218	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-247-3		标准			TO-247	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义	EAR99	8541.29.0095	78			-																				-	500V	32A		-	-		-

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(1081)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²