分立半导体产品(1081)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	额定电压	工作温度	应用领域	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	额定电流（安培）	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	噪声系数（dB Typ @ f）
DB1F	0.2500	询价	10	哈里斯公司	数据库1	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		安装结构	4广场，BR			标准		BR	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1																			1.1V@1A		50V时为10μA		1A										单相	50V
A315G	-	询价	7754	哈里斯公司	-	大部分	的积极				通孔	DO-204，缝合			标准		AL-4	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																150伏		950毫伏@3安	35纳秒	150V时为3μA	-65℃～175℃	3A	100pF @ 4V、1MHz
RFP40N10S5001	1.0000	询价	3724	哈里斯公司	*	大部分	的积极						RFP40		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1														-
SP600	5.5100	询价	2	哈里斯公司	*	大部分	的积极						SP60		-			-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1														-
RF1S25N06SMR4643	0.6500	询价	3	哈里斯公司	*	大部分	的积极						射频1S		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	800														-
RFH75N05E	-	询价	5774	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC			MOSFET（金属O化物）		TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	20		N沟道				50V	75A（温度）	10V	8毫欧@75A，10V	4V@250μA	400nC@20V	±20V		-	240W（温度）
鲁普1570	1.0500	询价	第956章	哈里斯公司	-	大部分	的积极				通孔	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																700伏		1.8V@15A	125纳秒	700V时为100μA	-65℃～175℃	15A	-
HGTP15N40E1	1.5400	询价	第488章	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-220-3		标准		75W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1				-																					-	400V	15A	35A	3.2V@20V，35A	-	33nC	-
IRF610S2497	0.1800	询价	2	哈里斯公司	*	大部分	的积极						IRF610		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1														-
鲁格30100	-	询价	3220	哈里斯公司	-	大部分	过时的				通孔	TO-247-2			标准		TO-247-2	下载					EAR99	8542.39.0001	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																1000伏		1.8V@30A	150纳秒	1000V时为250μA		30A	-
SK3546	-	询价	4942	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-		-	-			标准		-	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	42																																	单相
毛里求斯880	-	询价	1766	哈里斯公司	*	大部分	的积极											下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	151
RHRU10060	7.2300	询价	8785	哈里斯公司	-	大部分	的积极				通孔	TO-218-3			标准		SOT-93	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	34	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																600伏		2.1V@100A	60纳秒	500μA@600V	-65℃～175℃	100A	-
IGTH20N50	2.7500	询价	269	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-		通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC		标准			TO-218隔离	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1				-																					-	500V	20A		-	-		-
RFD16N03LSM	1.1300	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-		表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63			MOSFET（金属O化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道				30V	16A	-	-	-		-		-	-
2N6752	-	询价	6629	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-65°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-204AA				150W	TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	26																										450伏	10A								100微安	NPN	3V@3A、10A	8 @ 5A，3V	60兆赫
CA3097E	0.5700	询价	2993	哈里斯公司	-	大部分	的积极	50V		-	通孔	16-DIP（0.300英寸，7.62毫米）	CA3097				16-PDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.59.0080	96			100毫安、10毫安																																	NPN、PNP（发射极连接）
2N6134	1.1200	询价	第374章	哈里斯公司	*	大部分	的积极											下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
IRF712S2497	0.4600	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极						IRF712		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1														-
2N6648	98.5800	询价	82	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-65°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-204AA、TO-3				70W	TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	4																										40V	10A								1毫安	PNP-达林顿	3V@100mA，10A	1000 @ 5A，3V	-
HC55182BIM	3.3800	询价	第451章	哈里斯公司	*	大部分	的积极											下载		供应商未定义	供应商未定义	2156-HC55182BIM-600026			1
A115A	0.5500	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	过时的				通孔							下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																100伏		1.3V@3A	150微秒	100V时为2μA	-65℃～175℃	3A	40pF @ 4V，1MHz
HUF75337P3	0.2500	询价	2	哈里斯公司	超场效应晶体管™	管子	过时的		-55°C ~ 175°C (TJ)		通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	400		N沟道				55V	75A（温度）		14毫欧@75A，10V	4V@250μA	109nC@20V	±20V	1775pF@25V	-	175W（温度）
HUF75333S3	0.6200	询价	1	哈里斯公司	超场效应晶体管™	大部分	的积极		-55°C ~ 175°C (TJ)		表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		D2PAK (TO-263)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道				55V	66A（温度）		16毫欧@66A，10V	4V@250μA	85nC@20V	±20V	1300pF@25V	-	150W（温度）
IGT6E21	3.4800	询价	第289章	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-		通孔	TO-247-3		标准			TO-247	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1				-																					-	500V	32A		-	-		-
鲁格8040	6.7900	询价	7	哈里斯公司	-	大部分	的积极				通孔	TO-247-2			雪崩		TO-247-2	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）																400V		1.6V@80A	85纳秒	400V时为500μA	-65℃～175℃	80A	-
2N6760	-	询价	6901	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-204AA	-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道				400V	5.5A（温度）	10V	1.22欧姆@5.5A，10V	4V@250μA	39nC@10V	±20V		-	4W（Ta）、75W（Tc）
HFA3127MJ/883	26.7200	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-55°C ~ 125°C（太焦）		通孔	16-CDIP（0.300英寸，7.62毫米）				150毫W	16-CERDIP	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	0000.00.0000	1					-																					12V	65毫安									5 NPN		40@10mA，2V	8GHz	3.5dB@1GHz
鲁普810CC	-	询价	7655	哈里斯公司	-	大部分	的积极				通孔	TO-220-3			雪崩		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	300	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															1对共轴线	100伏	8A	975毫伏@8安	30纳秒	100V时为500μA	-65℃～175℃
RFM10N15L	2.1800	询价	第1363章	哈里斯公司	-	大部分	的积极		-55°C ~ 150°C（太焦）		通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	109		N沟道				150伏	10A（温度）	5V	300mOhm@5A、5V			±10V	1200pF@25V	-	75W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(1081)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²