分立半导体产品(1081)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	测试条件	获得	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化	噪声系数（dB Typ @ f）
IRFP9240	-	询价	5544	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247AC	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	500		P沟道			200V	12A（温度）	10V	500mOhm@7.2A，10V	4V@250μA	44nC@10V	±20V	1200pF@25V	-	150W（温度）
鲁德1550	2.3600	询价	8946	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC			雪崩		TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	27号	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														1对共轴线	500V	15A	1.5V@15A	60纳秒	500V时为10μA	-55℃～175℃
GE1301	1.4600	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	DO-204，缝合			标准		AL-4	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															50V		第975章毫伏@2安	35纳秒	5μA@50V	-65℃～175℃	6A	100pF @ 4V、1MHz
HFA3127B	5.3200	询价	1	哈里斯公司	-	管子	过时的	150°C（太焦）	表面贴装	16-SOIC（0.154英寸，3.90毫米宽）				150毫W	16-SOIC	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.21.0075	48				-																					12V	65毫安							5 NPN		40@10mA，2V	8GHz	3.5dB@1GHz
C13F	0.1000	询价	7848	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.30.0080	209
RFD14N06LSM9A	0.3400	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极									下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	2,500人
IRF9511	1.0000	询价	8141	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		P沟道			80V	3A（温度）	10V	1.2欧姆@1.5A，10V	4V@250μA	11nC@10V	±20V	180pF@25V	-	20W（温度）
D44VM10	0.8200	询价	750	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				50W	TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1																									80V	8A						10微安	NPN	600mV@300mA，6A	40@4A，1V	50兆赫
HGTH20N50EID	3.4000	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1
RUR3070	0.8300	询价	928	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															700伏		1.8V@30A	150纳秒	700V时为100μA	-65℃～175℃	30A	-
鲁德420CC	0.4900	询价	10	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1
鲁德1580	2.2400	询价	260	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1
CA3096CM96	0.9000	询价	2	哈里斯公司	*	大部分	的积极				CA3096					下载		供应商未定义	REACH旅行	2156-CA3096CM96-600026			1
2N6131	-	询价	7894	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
IRF620R4587	0.2700	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极				IRF620		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1,200													-
IRFP451	3.6000	询价	第538章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3			MOSFET（金属O化物）		TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			450伏	14A（温度）	10V	400毫欧@7.9A，10V	4V@250μA	130nC@10V	±20V	2000pF@25V	-	180W（温度）
鲁普3015	-	询价	4516	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															150伏		1V@30A	50纳秒	150V时为500μA	-55℃～175℃	30A	-
穆尔8100E	-	询价	8173	哈里斯公司	切换模式™	大部分	的积极		通孔	TO-220-2			标准		TO-220-2	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															1000伏		1.8V@8A	100纳秒	1000V时为25μA	-65℃～175℃	8A	-
A114C	0.1600	询价	11	哈里斯公司	-	大部分	过时的		通孔							下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）															300伏		1.3V@1A	150微秒	2μA@300V	-65℃～175℃	1A	10pF@4V，1MHz
IRF433	-	询价	8910	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-204AA			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	154		N沟道			450伏	4A	-	-	-		-		-	75W
2N6500	29.4000	询价	60	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-213AA、TO-66-2				20W	TO-66	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.30.0080	12																									110V	4A						-	NPN	-	15@3A，2V	60兆赫
RF1S630SM	0.9600	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			200V	6A（温度）	10V	400mOhm@5A，10V	4V@250μA	30nC@10V	±20V	600pF@25V	-	75W（温度）
HGTG27N60C3R	2.9000	询价	第297章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-247-3		标准		208W	TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			-																					-	600伏	54A	108一个	2.2V@15V，27A	-	212nC	-
RF1S45N06LE	0.8900	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA			MOSFET（金属O化物）		I2PAK (TO-262)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	0000.00.0000	1		N沟道			60V	45A（温度）	5V	28毫欧@45A，5V	2V@250μA	135nC@10V	±10V	2150pF@25V	-	142W（温度）
HGT1S3N60B3S	0.5600	询价	800	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB		标准		33.3W	TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	3（168小时）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	1			480V，3.5A，82欧姆，15V																16纳秒					-	600伏	7A	20A	2.1V@15V，3.5A	66μJ（开），88μJ（关）	21nC	18纳秒/105纳秒
HGT1S12N60C3	1.4200	询价	899	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA		标准		104W	I2PAK (TO-262)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			-																					-	600伏	24A	96A	2V@15V，12A	-	62纳克	-
IRF642	0.8800	询价	6	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			200V	16A（温度）	10V	220毫欧@10A，10V	4V@250μA	64nC@10V	±20V	1275pF@25V	-	125W（温度）
HGTP10N40F1D	0.9600	询价	806	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准		75W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			-																					-	400V	12A	12A	2.5V@10V，5A	-	13.4nC	-
RFP15P05	1.3600	询价	90	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	50		P沟道			50V	15A（温度）	10V	150mOhm@15A，10V	4V@250μA	150nC@20V	±20V	1150pF@25V	-	80W（温度）
IRF453	1.0000	询价	3120	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-204AA、TO-3			MOSFET（金属O化物）		TO-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道			450伏	7.2A（温度）	10V	500mOhm@7.2A，10V	4V@250μA	130nC@10V	±20V	1800pF@25V	-	125W（温度）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(1081)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²