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参考图片 产品编号 价格(美元) 数量 电子计算机辅助设计 可用数量 重量(公斤) 制造商 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装/箱 基本产品编号 输入类型 技术 功率-最大 供应商设备包 数据表 RoHS 状态 敏感湿度等级(MSL) REACH状态 其他名称 电子通讯网络 高温SUS 标准套餐 速度 场效应管类型 测试条件 漏源电压 (Vdss) 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) Rds On(最大)@Id、Vgs Vgs(th)(顶部)@Id 惯性矩 (Qg)(顶部)@Vgs Vgs(最大) 输入电容 (Ciss)(顶部)@Vds 场效应管特性 消耗(最大) 分散配置 电压 - 反向 (Vr)(最大) 当前 - 平均调整 (Io)(每个分区) 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 反向恢复T (trr) 电流 - 反向电流@Vr 工作温度 - 结 当前 - 平均调整 (Io) 电容@Vr, F IGBT类型 电压 - 集电极发射极击穿(最大) 集电极电流(Ic)(最大) 电流 - 集电极脉冲 (Icm) Vce(on)(顶部)@Vge, Ic 开关能量 重力悬浮 Td(开/关)@ 25°C 电流 - 电极电极电流(最大) 晶体管类型 Vce 雨水度(顶部)@Ib、Ic 直流电流增益 (hFE)(最小)@ Ic、Vce 频率变化
HRF3205L Harris Corporation HRF3205L 0.9600
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ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA MOSFET(金属O化物) I2PAK (TO-262) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 0000.00.0000 314 N沟道 55V 100A(温度) 10V 8毫欧@59A,10V 4V@250μA 170nC@10V ±20V 4000pF@25V - 175W(温度)
10N50F1D Harris Corporation 10N50F1D -
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ECAD 9713 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 - 0000.00.0000 169
IRF521 Harris Corporation IRF521 0.6200
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ECAD 26 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 80V 9.2A(温度) 10V 270毫欧@5.6A,10V 4V@250μA 15nC@10V ±20V 350pF@25V - 60W(温度)
HFA3128B Harris Corporation HFA3128B 4.9200
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ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 下载 供应商未定义 REACH旅行 2156-HFA3128B-600026 1
HGTG30N60B3 Harris Corporation HGTG30N60B3 3.1600
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ECAD 16 0.00000000 哈里斯公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-247-3 标准 208W TO-247 下载 不符合RoHS标准 EAR99 8541.29.0095 450 480V,30A,3欧姆,15V - 600伏 60A 220A 1.9V@15V,30A 500μJ(开),680μJ(关) 170℃ 36纳秒/137纳秒
RURG5070 Harris Corporation 鲁格5070 -
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ECAD 2630 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 TO-247-2 雪崩 TO-247-2 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 43 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 700伏 1.9V@50A 200纳秒 700V时为500μA -65℃~175℃ 50A -
RURG3040 Harris Corporation 鲁格3040 -
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ECAD 9599 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 TO-247-2 雪崩 TO-247-2 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 400V 1.5V@30A 60纳秒 400V时为500μA -65℃~175℃ 30A -
RURU10060 Harris Corporation 茹茹10060 8.6800
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ECAD 305 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 TO-218-1 茹茹10 标准 TO-218 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 1.6V@100A 100纳秒 600V时为250μA -65℃~175℃ 100A -
RURH3060CC Harris Corporation RURH3060CC -
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ECAD 9185 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 TO-218-3隔离片、TO-218AC 雪崩 TO-218隔离 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 600伏 30A 1.5V@30A 60纳秒 500μA@600V -55℃~175℃
2N6773 Harris Corporation 2N6773 0.3700
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ECAD 860 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -65°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 40W TO-220 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.29.0075 860 650伏 1A 100微安 NPN 1V@200mA,1A 20@300mA,3V 50兆赫
HUF75332S3S Harris Corporation HUF75332S3S 0.4100
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ECAD 2 0.00000000 哈里斯公司 超场效应晶体管™ 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 表面贴装 TO-263-3、D²Pak(2引脚+接片)、TO-263AB MOSFET(金属O化物) D2PAK (TO-263) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 55V 52A(温度) 10V 19毫欧@52A,10V 4V@250μA 85nC@20V ±20V 1300pF@25V - 110W(温度)
RUR3050 Harris Corporation RUR3050 1.0300
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ECAD 296 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 TO-220-2 雪崩 TO-220AC 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 296 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 500V 1.5V@30A 60纳秒 500V时为30μA -55℃~175℃ 30A -
RHRP6120CC Harris Corporation RHRP6120CC 0.8100
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ECAD 7094 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 TO-220-3 雪崩 TO-220AB 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 310 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 1200伏 6A 3.2V@6A 65纳秒 100μA@1200V -65℃~175℃
IRF623 Harris Corporation IRF623 0.3300
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ECAD 第1757章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 第737章 N沟道 150伏 4A(温度) 10V 1.2欧姆@2.5A,10V 4V@250μA 15nC@10V ±20V 450pF@25V - 40W(温度)
HGTH20N40C1D Harris Corporation HGTH20N40C1D -
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ECAD 5970 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-218-3隔离片、TO-218AC 标准 100W TO-218隔离 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 74 - - 400V 20A 35A 3.2V@20V,35A - 33nC -
HGT1S3N60C3D Harris Corporation HGT1S3N60C3D 0.9000
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ECAD 365 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -40°C ~ 150°C (TJ) 通孔 TO-262-3 长插座、I²Pak、TO-262AA 标准 33W I2PAK (TO-262) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 - - 600伏 6A 24A 2V@15V,3A - 13.8nC -
RURD440S Harris Corporation 鲁德440S 0.4700
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ECAD 900 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 表面贴装 TO-252-3、DPak(2引脚+片)、SC-63 标准 TO-252,(D-Pak) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 400V 1.5V@4A 60纳秒 -65℃~175℃ 4A -
RHR1K160 Harris Corporation RHR1K160 0.2400
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ECAD 3 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 表面贴装 8-SOIC(0.154英寸,3.90毫米宽) 标准 8-SOIC 下载 不适用 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 600伏 2.1V@1A 25纳秒 100 µA @ 600 V -55℃~150℃ 1A -
HGTG7N60A4D Harris Corporation HGTG7N60A4D 1.7700
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ECAD 269 0.00000000 哈里斯公司 - 管子 过时的 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-247-3 标准 125W TO-247 下载 符合ROHS3标准 EAR99 8541.29.0095 450 390V,7A,25欧姆,15V 34纳秒 - 600伏 34A 56A 2.7V@15V,7A 55μJ(开),60μJ(关) 37 纳克 11纳秒/100纳秒
IRF9542 Harris Corporation IRF9542 1.7800
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ECAD 第497章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-220-3 MOSFET(金属O化物) TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 169 P沟道 100伏 15A(温度) 10V 300mOhm@10A,10V 4V@250μA 90nC@10V ±20V 1100pF@25V - 150W(温度)
RURD3015 Harris Corporation 鲁德3015 2.8800
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ECAD 207 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 TO-218-3隔离片、TO-218AC 雪崩 TO-218隔离 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1对共轴线 150伏 30A 1V@30A 50纳秒 150V时为30μA -55℃~175℃
RHRG30100 Harris Corporation RHRG30100 1.0000
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ECAD 3446 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 TO-274AA 标准 SUPER-247 (TO-274AA) 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 1000伏 3V@30A 75纳秒 1000V时为500μA -65℃~175℃ 30A -
HGTP10N50E1D Harris Corporation HGTP10N50E1D 3.1400
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ECAD 3 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 标准 75W TO-220 下载 不符合RoHS标准 3(168小时) REACH旅行 EAR99 0000.00.0000 1 - - 500V 17.5安 3.2V@20V,17.5A - 19nC -
RURP1580 Harris Corporation 鲁普1580 -
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ECAD 7399 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 TO-220-2 雪崩 TO-220AC 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.10.0080 第231章 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 800V 1.8V@15A 125纳秒 800V时为100μA -65℃~175℃ 15A -
2N6264 Harris Corporation 2N6264 -
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ECAD 3078 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 - 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1
RUR3020 Harris Corporation RUR3020 -
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ECAD 7202 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 TO-220-2 标准 TO-220AC 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 200V 1V@30A 50纳秒 200V时为30μA -55℃~175℃ 30A -
IRFP141 Harris Corporation IRFP141 1.2500
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ECAD 288 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 -55°C ~ 175°C (TJ) 通孔 TO-247-3 MOSFET(金属O化物) TO-247 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 1 N沟道 80V 31A(温度) 10V 77毫欧@19A,10V 4V@250μA 59nC@10V ±20V 1275pF@25V - 180W(温度)
HGTG201N100E2 Harris Corporation HGTG201N100E2 -
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ECAD 6534 0.00000000 哈里斯公司 * 大部分 的积极 - 不适用 3(168小时) 供应商未定义 1
MJE13004 Harris Corporation MJE13004 0.5100
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ECAD 6 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 150°C(太焦) 通孔 TO-220-3 75W TO-220-3 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) 供应商未定义 EAR99 8541.29.0095 第592章 300伏 4A 1毫安 NPN 1V@1A、4A 10 @ 1A,5V -
RUR840 Harris Corporation 鲁尔840 1.0000
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ECAD 第1462章 0.00000000 哈里斯公司 - 大部分 的积极 通孔 TO-220-2 标准 TO-220AC 下载 不符合RoHS标准 1(无限制) REACH旅行 EAR99 8541.10.0080 1 快速恢复=<500ns,>200毫安(Io) 400V 1.3V@8A 60纳秒 400V时为10μA -65℃~175℃ 8A -
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