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离散半导体产品（（1081）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
RURD3015	2.8800	RFQ	207	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC			雪崩		TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	150 v	30a	1 V @ 30 A	50 ns	30 µA @ 150 V	-55°C 〜175°C
IRF640S2470	1.0000	RFQ	2957	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRF640		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1												-
RFH30N15	3.9100	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC			MOSFET （金属 o化物）		TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		150 v	30A（TC）	10V	75mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA		±20V	3000 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRF121-0001	0.7900	RFQ	500	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
RHRP3090	1.4200	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														900 v		3 V @ 30 A	75 ns	500 µA @ 900 V	-65°C〜175°C	30a	-
GES5816	0.1000	RFQ	16	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜135°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				500兆	TO-92-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1																								40 V	750 MA						100NA（ICBO）	NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 2mA，2V	120MHz
RHR1K160	0.2400	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			标准		8-SOIC	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														600 v		2.1 V @ 1 A	25 ns	100 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1a	-
IRF821	-	RFQ	9372	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	390		n通道		450 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	50W（TC）
RCA1001	1.0000	RFQ	1599年	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				90 W	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1																								80 V	8 a						500µA	npn-达灵顿	4V @ 40mA，8a	1000 @ 3a，3v	-
RFF70N06/3	51.7600	RFQ	40	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RFF70		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1												-
A114F	0.3000	RFQ	31	哈里斯公司	-	大部分	过时的		通过洞							下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														50 V		1.3 V @ 1 A	150 µs	2 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	10pf @ 4V，1MHz
HUF75309D3	-	RFQ	7897	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	975		n通道		55 v	17a（TC）	-	70mohm @ 17a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 20 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	45W（TC）
rurdg3010	1.0000	RFQ	7042	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-						0000.00.0000	1
RURU10060	8.6800	RFQ	305	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-218-1	ruru10		标准		TO-218	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														600 v		1.6 V @ 100 A	100 ns	250 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	100a	-
HRF3205	1.4600	RFQ	6230	哈里斯公司	-	大部分	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	-	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	400		n通道		55 v	100A（TC）	10V	8mohm @ 59a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	175W（TC）
提示47	-	RFQ	4518	哈里斯公司	-	大部分	积极的	150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1																								250 v	1 a						1ma	NPN	1V @ 200mA，1a	30 @ 300mA，10v	10MHz
RURG5070	-	RFQ	2630	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-247-2			雪崩		TO-247-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	43	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														700 v		1.9 V @ 50 A	200 ns	500 µA @ 700 V	-65°C〜175°C	50a	-
RF1K4909096	0.5700	RFQ	4	哈里斯公司	*	大部分	积极的									下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-RF1K4909096-600026			1
IRF710	0.4100	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IRF710		MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1		n通道		400 v	2A（TC）	10V	3.6ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	135 pf @ 25 V	-	36W（TC）
HGTH12N40C1D	-	RFQ	1099	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准		75 w	TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			-															100 ns					-	400 v	12 a	17.5 a	3.2V @ 20V，17.5A	-	19 nc	-
IRF723	0.7800	RFQ	79	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		350 v	2.8A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.8A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	50W（TC）
HUF761223	1.0000	RFQ	1950年	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定				1
RFP2NO8L	0.2300	RFQ	1	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
RURG3040	-	RFQ	9599	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-247-2			雪崩		TO-247-2	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														400 v		1.5 V @ 30 A	60 ns	500 µA @ 400 V	-65°C〜175°C	30a	-
BUX32	-	RFQ	2583	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				150 w	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	3																								800 v	8 a						200µA	NPN	2V @ 2a，8a	8 @ 6a，3v	60MHz
IRF641	1.6000	RFQ	14	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		150 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 10a，10v	4V @ 250µA	64 NC @ 10 V	±20V	1275 PF @ 25 V	-	125W（TC）
IRFP140R	2.5400	RFQ	6300	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	31		n通道		100 v	31a（TC）	10V	77mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	59 NC @ 10 V	±20V	1275 PF @ 25 V	-	180W（TC）
D45D3	-	RFQ	9669	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				2.1 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	124																								60 V	6 a						10µA	pnp-达灵顿	1.5V @ 3mA，3a	2000 @ 1A，2V	-
IRFR121	0.3400	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1		n通道		80 V	8.4a	-	-	-		-		-	-
RFIS40N10LE	1.3700	RFQ	800	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RFIS40		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1												-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（1081）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²