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离散半导体产品（（1081）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
MUR1510	1.7300	RFQ	5	哈里斯公司	SwitchMode™	管子	过时的		通过洞	TO-220-2			标准		TO-220-2	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														100 v		1.05 V @ 15 A	35 ns	10 µA @ 100 V	-65°C〜175°C	15a	-
HGTG30N60B3	3.1600	RFQ	16	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		208 w	TO-247	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.29.0095	450			480V，30a，3ohm，15V																				-	600 v	60 a	220 a	1.9V @ 15V，30a	（500µJ）（在680µJ上）	170 NC	36NS/137NS
2N3440	12.5600	RFQ	15	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	到205AD，TO-39-3	2n34			800兆	TO-39（（TO-205AD）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0095	24																								250 v	1 a						2µA	NPN	500mv @ 4mA，50mA	40 @ 20mA，10v	15MHz
IGTM10N40	1.5800	RFQ	713	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-204AA，TO-3		标准			TO-3	下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1			-																				-	400 v	10 a		-	-		-
RURP1580	-	RFQ	7399	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	231	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														800 v		1.8 V @ 15 A	125 ns	100 µA @ 800 V	-65°C〜175°C	15a	-
RHRG5070	2.4500	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-247-3			雪崩		TO-247	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														700 v		3 V @ 50 A	95 ns	500 µA @ 700 V	-65°C〜175°C	50a	-
MUR1615CT	1.0000	RFQ	6127	哈里斯公司	SwitchMode™	管子	过时的		通过洞	TO-220-3			标准		TO-220-3	下载	Rohs不合规			Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	150 v	8a	975 mv @ 8 a	35 ns	5 µA @ 150 V	-65°C〜175°C
BYW51-100	0.8200	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-3	byw51		标准		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	100 v	8a	950 MV @ 8 A	35 ns	5 µA @ 100 V	-40°C〜150°C
HGTP10N40C1	1.0800	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		60 W	TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1			-																				-	400 v	10 a	17.5 a	3.2V @ 20V，17.5A	-	19 nc	-
1N5624	0.3300	RFQ	16	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	SOD-64，轴向			标准		SOD-64	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														200 v		1 V @ 3 A		5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	3a	40pf @ 4V，1MHz
HRF3205L	0.9600	RFQ	2	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	0000.00.0000	314		n通道		55 v	100A（TC）	10V	8mohm @ 59a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	175W（TC）
RUR8100	1.0000	RFQ	1029	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														1000 v		1.8 V @ 8 A	110 ns	25 µA @ 1000 V	-55°C 〜175°C	8a	-
IRFF223	1.1600	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	to-205af金属罐			MOSFET （金属 o化物）		to-205af（39）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		150 v	3A（TC）	10V	1.2OHM @ 2A，10V	4V @ 250µA	15 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	20W（TC）
RHRP850CC	0.8800	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-3			雪崩		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	500 v	8a	2.1 V @ 8 A	35 ns	100 µA @ 500 V	-65°C〜175°C
RHRP890	0.6000	RFQ	968	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														900 v		3 V @ 8 A	65 ns	100 µA @ 900 V	-65°C〜175°C	8a	-
RF1S17N06L	0.6700	RFQ	4	哈里斯公司	*	大部分	积极的				RF1		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1												-
GER4003	-	RFQ	3947	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	do-204，轴向			标准		do-204	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1,000	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														200 v		1.2 V @ 1 A	2 µs	2 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
IRF214	-	RFQ	8900	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定			1
Igth20N40AD	3.3600	RFQ	444	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC		标准			TO-218隔离	下载	不适用	3（168））	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1			-																				-	400 v	20 a		-	-		-
HGTP10N40E1D	1.4600	RFQ	3090	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		75 w	TO-220	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	162			-																				-	400 v	17.5 a		3.2V @ 20V，17.5A	-	19 nc	-
GE1304	-	RFQ	7724	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	do-204，轴向			标准		Al-4	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														200 v		975 mv @ 2 a	35 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	6a	100pf @ 4V，1MHz
BD550	-	RFQ	1131	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3				150 w	TO-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1																								110 v	7 a						5mA	NPN	2V @ 500mA，4a	15 @ 4A，4V
RURD3015	2.8800	RFQ	207	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC			雪崩		TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	150 v	30a	1 V @ 30 A	50 ns	30 µA @ 150 V	-55°C 〜175°C
IRF640S2470	1.0000	RFQ	2957	哈里斯公司	*	大部分	积极的				IRF640		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1												-
RFH30N15	3.9100	RFQ	1	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-218-3隔离选项卡，TO-218AC			MOSFET （金属 o化物）		TO-218隔离	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	1		n通道		150 v	30A（TC）	10V	75mohm @ 15a，10v	4V @ 1mA		±20V	3000 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IRF121-0001	0.7900	RFQ	500	哈里斯公司	*	大部分	积极的									-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8542.39.0001	1
RHRP3090	1.4200	RFQ	4	哈里斯公司	-	大部分	积极的		通过洞	TO-220-2			雪崩		TO-220AC	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														900 v		3 V @ 30 A	75 ns	500 µA @ 900 V	-65°C〜175°C	30a	-
GES5816	0.1000	RFQ	16	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C〜135°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				500兆	TO-92-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.21.0075	1																								40 V	750 MA						100NA（ICBO）	NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 2mA，2V	120MHz
RHR1K160	0.2400	RFQ	3	哈里斯公司	-	大部分	积极的		表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			标准		8-SOIC	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														600 v		2.1 V @ 1 A	25 ns	100 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	1a	-
IRF821	-	RFQ	9372	哈里斯公司	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定	Ear99	8541.29.0095	390		n通道		450 v	2.5A（TC）	10V	3ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±20V	360 pf @ 25 V	-	50W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（1081）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²