分立半导体产品(1081)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	输入类型	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级（MSL）	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	测试条件	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	分散配置	电压 - 反向 (Vr)（最大）	当前 - 平均调整 (Io)（每个分区）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	IGBT类型	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 集电极脉冲 (Icm)	Vce(on)（顶部）@Vge, Ic	开关能量	重力悬浮	Td（开/关）@ 25°C	分布类型	电压 - 逆势高峰（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率变化
数据库1A	0.1500	询价	5031	哈里斯公司	数据库1	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	安装结构	4广场，BR			标准		BR	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	第435章																	1.1V@1A		10μA@100V		1A										单相	100伏
RFP2NO8L	0.2300	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1
鲁尔赫1550CC	2.5800	询价	1	哈里斯公司	-	大部分	的积极		通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC			雪崩		TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）													1对共轴线	500V	15A	1.5V@15A	60纳秒	500V时为100μA	-55℃～175℃
BDX33CP2	0.5900	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
2N3440	12.5600	询价	15	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-65°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-205AD、TO-39-3金属罐	2N34			800毫W	TO-39 (TO-205AD)	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.21.0095	24																								250伏	1A								2微安	NPN	500mV@4mA、50mA	40@20mA，10V	15兆赫
RF1S640SM	2.5300	询价	第665章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-263-3、D²Pak（2引脚+接片）、TO-263AB			MOSFET（金属O化物）		TO-263AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		200V	18A（温度）		180毫欧@10A，10V	4V@250μA	64nC@10V	±20V	1275pF@25V	-	125W（温度）
BUZ21P2	0.7600	询价	2686	哈里斯公司	*	大部分	的积极				BUZ21		-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义			0000.00.0000	第289章												-
RF1S25N06SM9A	0.6300	询价	4	哈里斯公司	-	大部分	的积极									下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	800
IRF214	-	询价	8900	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	3（168小时）	供应商未定义				1
D45D3	-	询价	9669	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2.1W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0095	124																								60V	6A								10微安	PNP-达林顿	1.5V@3mA，3A	2000 @ 1A，2V	-
RFP4N05	0.5700	询价	6	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		50V	4A（温度）	10V	800毫欧@4A，10V	4V@250μA		±20V	200pF@25V	-	25W（温度）
HGTD10N50F1	1.6700	询价	2	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-251-3短引线、IPak、TO-251AA		标准		75W	I-PAK	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			-																				-	500V	12A		2.5V@10V，5A	-	13.4nC	-
IRF623R	-	询价	2643	哈里斯公司	*	大部分	的积极									下载		供应商未定义	供应商未定义	2156-IRF623R-600026			1
IRF631	0.7900	询价	5	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	第381章		N沟道		150伏	9A（温度）	10V	400mOhm@5A，10V	4V@250μA	30nC@10V	±20V	600pF@25V	-	75W（温度）
IRF9510	0.6000	询价	2	哈里斯公司	-	管子	过时的	-55°C ~ 175°C (TJ)	通孔	TO-220-3			MOSFET（金属O化物）		TO-220AB	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	1,000		P沟道		100伏	4A（温度）	10V	1.2欧姆@2.4A，10V	4V@250μA	10V时为8.7nC	±20V	200pF@25V	-	43W（温度）
IGTM10N40A	1.6100	询价	200	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-204AA		标准			TO-3	下载	不适用	3（168小时）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	200			-																				-	400V	10A		-	-		-
提示47	-	询价	4518	哈里斯公司	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				2W	TO-220-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1																								250伏	1A								1毫安	NPN	1V@200mA，1A	30@300mA，10V	10兆赫兹
IGTM20N50	1.0000	询价	4800	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-	通孔	TO-204AA、TO-3		标准			TO-3	下载					EAR99	8542.39.0001	1			-																				-	500V	20A		-	-		-
HGTP10N40C1D	2.6100	询价	206	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准		75W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			-																				-	400V	17.5安		3.2V@20V，17.5A	-	19nC	-
RLD03N06CLSM	0.7700	询价	1	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
鲁普8100	-	询价	2363	哈里斯公司	-	管子	过时的		通孔	TO-220-2			标准		TO-220-2	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.10.0080	800	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）														1000伏		1.8V@8A	100纳秒	100μA@1000V	-55℃～175℃	8A	-
HGTP12N60C3R	1.1600	询价	3	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3		标准		104W	TO-220-3	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			480V，12A，25欧姆，15V															37纳秒					-	600伏	24A	48A	2.2V@15V，12A	400μJ（开），340μJ（关）	71nC	37纳秒/120纳秒
IRFD323	1.4000	询价	第982章	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	4-DIP（0.300英寸，7.62毫米）			MOSFET（金属O化物）		4-DIP、六角浸入	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道		350伏	400mA（温度）	10V	2.5欧姆@250mA，10V	4V@250μA	15nC@10V	±20V	455pF@25V	-	1W（温度）
HGTH12N40E1D	-	询价	5438	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-218-3隔离片、TO-218AC		标准		75W	TO-218隔离	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	109			-															100纳秒					-	400V	12A	17.5安	3.2V@20V，17.5A	-	19nC	-
HGTG20N60B3	3.3100	询价	2	哈里斯公司	-	管子	过时的	-40°C ~ 150°C (TJ)	通孔	TO-247-3		标准		165W	TO-247	下载	不符合RoHS标准				EAR99	8541.29.0095	450			480V，20A，10欧姆，15V																				-	600伏	40A	160A	2V@15V，20A	475μJ（开），1.05mJ（关）	80℃	-
鲁德G15100	1.4900	询价	318	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义				1
HGTG24N60D1	8.9300	询价	25	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-247-3		标准		125W	TO-247	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1			-																				-	600伏	40A	96A	2.3V@15V，24A	-	155 纳克	-
IRF840RU	-	询价	5093	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-						0000.00.0000	150
D45C9	-	询价	5042	哈里斯公司	-	大部分	的积极	-55°C ~ 150°C（太焦）	通孔	TO-220-3				30W	TO-220	下载	不符合RoHS标准	1（无限制）	REACH旅行		EAR99	8541.29.0075	36																								60V	4A								10微安	国民党	500mV@50mA，1A	40@200mA，1V	40兆赫
CA3083S2064	0.5000	询价	4	哈里斯公司	*	大部分	的积极									-	不适用	1（无限制）	供应商未定义			0000.00.0000	1

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(1081)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²