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（181）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （amp） | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | 晶体管类型 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ALD310700ASCL | 7.4692 |  | 7722 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®，零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | ALD310700 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1286 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4个p通道，匹配对 | 8V | - | - | 20mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
 | ALD212904PAL | 5.6826 | | 2870 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®，零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | ALD212904 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2（n n 通道（双） | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | 逻辑级别门 | ||||||
| ALD1102APAL | 9.8096 | | 3830 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | - | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | ALD1102 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1004 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2（p 通道（双） | 10.6V | - | 270OHM @ 5V | 1.2V @ 10µA | - | - | - | |||||
 | ALD212908ASAL | 7.7706 | | 7134 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®，零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ALD212908 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2（n n 通道（双） | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | 逻辑级别门 | ||||||
| ALD1101PAL | 8.2700 | | 100 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | - | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | ALD1101 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1002 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2（n n 通道（双） | 10.6V | - | 75OHM @ 5V | 1V @ 10µA | - | - | - | |||||
| ALD114904PAL | 5.8118 | | 4355 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | ALD114904 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1063 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2（n n 通道（双） | 10.6V | 12mA，3mA | 500OHM @ 3.6V | 360mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | 耗尽模式 | |||||
 | ALD310708APCL | 10.1814 | | 2890 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®，零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C | 通过洞 | 16 浸（0.300英寸，7.62mm） | ALD310708 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 16-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1296 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4个p通道，匹配对 | 8V | - | - | 780mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD110904PAL | 5.6464 | | 5212 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | ALD110904 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1036 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2（n n 通道（双） | 10.6V | 12mA，3mA | 500OHM @ 4.4V | 420mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD110800APCL | 9.6400 | | 38 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®，零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 通过洞 | 16 浸（0.300英寸，7.62mm） | ALD110800 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 16-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1016 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道，匹配对 | 10.6V | - | 500OHM @ 4V | 10MV @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD210802PCL | 6.3498 | | 1824年 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®，零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 通过洞 | 16 浸（0.300英寸，7.62mm） | ALD210802 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 16-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道，匹配对 | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | 逻辑级别门 | ||||||
 | ALD810017SCL | 4.7958 | | 5863 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | ALD810017 | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1270-5 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4 n通道 | ||||||||||||
| ALD810019SCL | 4.7958 | | 3693 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | ALD810019 | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1272-5 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4 n通道 | ||||||||||||
| ALD810019SCLI | 6.4700 | | 1 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | ALD810019 | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 25 | 80mA | 4 n通道 | |||||||||||||
| ALD810021SCLI | 5.5750 | | 5512 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | ALD810021 | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4 n通道 | |||||||||||||
| Ald910018Sali | 5.3628 | | 3542 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ALD910018 | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 n 通道（双） | |||||||||||||
| Ald910019Sali | 5.3628 | | 2632 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ALD910019 | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 n 通道（双） | |||||||||||||
| Ald910020Sali | 5.3628 | | 1692年 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ALD910020 | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 n 通道（双） | |||||||||||||
| Ald910024Sali | 5.3628 | | 8228 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ALD910024 | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 n 通道（双） | |||||||||||||
| ALD810024SCL | 4.7958 | | 8235 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | ALD810024 | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1258-5 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4 n通道 | ||||||||||||
| ALD910023SAL | 5.0400 | | 51 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ALD910023 | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1263-5 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 n 通道（双） | ||||||||||||
| ALD111933PAL | 5.7644 | | 7667 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | ALD111933 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1051 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2（n n 通道（双） | 10.6V | - | 500OHM @ 5.9V | 3.35V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD810026SCLI | 5.8548 | | 4345 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | ALD810026 | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4 n通道 | |||||||||||||
| ALD110800ASCL | 8.6000 | | 436 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®，零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | ALD110800 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1017 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道，匹配对 | 10.6V | - | 500OHM @ 4V | 10MV @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| Ald111933sal | 5.1400 | | 250 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ALD111933 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2（n n 通道（双） | 10.6V | - | 500OHM @ 5.9V | 3.35V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | ||||||
| ALD810020SCL | 4.7958 | | 2200 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | ALD810020 | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1273-5 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4 n通道 | ||||||||||||
| ALD212908PAL | 5.6826 | | 7632 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®，零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | ALD212908 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2（n n 通道（双） | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | 逻辑级别门 | ||||||
| ALD210808SCL | 5.8118 | | 8523 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®，零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | ALD210808 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道，匹配对 | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | 逻辑级别门 | ||||||
 | Ald111933mal | - | | 8828 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 过时的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 表面安装 | 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） | ALD111933 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-msop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1050 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2（n n 通道（双） | 10.6V | - | 500OHM @ 5.9V | 3.35V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD810026SCL | 6.4800 | | 50 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | ALD810026 | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1260-5 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4 n通道 | ||||||||||||
 | ALD1106PBL | 6.6500 | | 634 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | - | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 通过洞 | 14 浸（0.300英寸，7.62mm） | ALD1106 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 14-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1012 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道，匹配对 | 10.6V | - | 500OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5V | - |
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