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（181）
| 参考图片 | 产品编号 | （（（） | 数量 | ECAD | 可用数量 | （kg） | MFR | 系列 | 包裹 | 产品状态 | 电压 -额定值 | 工作温度 | 申请 | 安装类型 | 包装 /案例 | 基本产品编号 | 技术 | 力量 -最大 | 供应商设备包 | 数据表 | Rohs状态 | （MSL） | 达到状态 | 其他名称 | ECCN | htsus | 标准包 | 配置 | （amp） | （VDSS） | 电流 -id（ID） @ 25°C | RDS（最大值） @ ID，VGS | VGS（TH）（最大） @ ID | （QG））（最大） @ vgs | （ciss）（最大（ciss） @ vds | fet | 晶体管类型 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | ALD114913PAL | 5.4888 |  | 6588 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | ALD114913 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1065 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2（n n 通道（双） | 10.6V | 12mA，3mA | 500OHM @ 2.7V | 1.26V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | 耗尽模式 | |||||
 | ALD110802PCL | 6.5006 | | 2566 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 通过洞 | 16 浸（0.300英寸，7.62mm） | ALD110802 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 16-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1020 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道，匹配对 | 10.6V | - | 500OHM @ 4.2V | 220mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
 | ALD910024SAL | 5.0800 | | 100 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ALD910024 | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1264-5 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 n 通道（双） | ||||||||||||
| Ald1102asal | 9.4700 | | 4188 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | - | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ALD1102 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1005 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2（p 通道（双） | 10.6V | - | 270OHM @ 5V | 1.2V @ 10µA | - | - | - | |||||
 | ALD810020SCLI | 5.5750 | | 7088 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | ALD810020 | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 4 n通道 | |||||||||||||
 | Ald910030Sali | 5.7854 | | 5473 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | - | 管子 | 积极的 | - | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ALD910030 | 8-SOIC | 下载 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-ald910030sali | 50 | - | 2 n 通道（双） | |||||||||||||||
| ALD114804ASCL | 6.8020 | | 3282 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | ALD114804 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1054 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道，匹配对 | 10.6V | 12mA，3mA | 500OHM @ 3.6V | 380mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | 耗尽模式 | |||||
| ALD310708APCL | 10.1814 | | 2890 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®，零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C | 通过洞 | 16 浸（0.300英寸，7.62mm） | ALD310708 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 16-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1296 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4个p通道，匹配对 | 8V | - | - | 780mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| Ald1116pal | 5.6500 | | 102 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | - | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | ALD1116 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1046 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2（n n 通道（双） | 10.6V | - | 500OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5V | - | |||||
| ALD1102SAL | 6.9000 | | 54 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | - | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ALD1102 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1007 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2（p 通道（双） | 10.6V | - | 270OHM @ 5V | 1.2V @ 10µA | - | 10pf @ 5V | - | |||||
| ALD114904PAL | 5.8118 | | 4355 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | ALD114904 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1063 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2（n n 通道（双） | 10.6V | 12mA，3mA | 500OHM @ 3.6V | 360mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | 耗尽模式 | |||||
| ALD110800APCL | 9.6400 | | 38 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®，零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 通过洞 | 16 浸（0.300英寸，7.62mm） | ALD110800 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 16-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1016 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道，匹配对 | 10.6V | - | 500OHM @ 4V | 10MV @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD114935PAL | 6.0054 | | 3158 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | ALD114935 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1067 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2（n n 通道（双） | 10.6V | 12mA，3mA | 540OHM @ 0v | 3.45V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | 耗尽模式 | |||||
 | ALD1105PBL | 6.6500 | | 76 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | - | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 通过洞 | 14 浸（0.300英寸，7.62mm） | ALD1105 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 14-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1010 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2n和2p通道匹配对 | 10.6V | - | 500OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5V | - | |||||
| ALD910025SAL | 4.2762 | | 3443 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | SAB™ | 管子 | 积极的 | 10.6V | 超级电容器自动平衡 | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ALD910025 | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1265-5 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 80mA | 2 n 通道（双） | ||||||||||||
 | ALD310700SCL | 6.0054 | | 8142 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®，零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | ALD310700 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1287 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4个p通道，匹配对 | 8V | - | - | 20mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD114904SAL | 5.1500 | | 29 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ALD114904 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1064 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2（n n 通道（双） | 10.6V | 12mA，3mA | 500OHM @ 3.6V | 360mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | 耗尽模式 | |||||
 | Ald1115mal | - | | 4197 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | - | 管子 | 过时的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 表面安装 | 8-tssop，8-msop（0.118英寸，3.00mm宽度） | ALD1115 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-msop | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | n和p通道互补 | 10.6V | - | 1800OHM @ 5V | 1V @ 1µA | - | 3pf @ 5V | - | ||||||
| Ald1110 Esal | 6.8234 | | 7127 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ALD1110 | MOSFET （金属 o化物） | 600MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2（n n 通道（双） | 10V | - | 500OHM @ 5V | 1.01V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | ||||||
| ALD110902PAL | 5.6464 | | 9379 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | ALD110902 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1034 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2（n n 通道（双） | 10.6V | - | 500OHM @ 4.2V | 220mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD310702PCL | 7.1248 | | 4744 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®，零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C | 通过洞 | 16 浸（0.300英寸，7.62mm） | ALD310702 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 16-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1289 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4个p通道，匹配对 | 8V | - | - | 180MV @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD210800APCL | 9.7600 | | 56 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®，零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 通过洞 | 16 浸（0.300英寸，7.62mm） | ALD210800 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 16-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1216 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道，匹配对 | 10.6V | 80mA | 25欧姆 | 10MV @ 10µA | - | 15pf @ 5V | 逻辑级别门 | |||||
| ALD212908ASAL | 7.7706 | | 7134 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®，零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ALD212908 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2（n n 通道（双） | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | 逻辑级别门 | ||||||
| ALD210800SCL | 7.2700 | | 48 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®，零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 表面安装 | 16-Soic（0.154英寸，宽度为3.90mm） | ALD210800 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 16-Soic | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1210 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道，匹配对 | 10.6V | 80mA | 25欧姆 | 20mv @ 10µA | - | 15pf @ 5V | 逻辑级别门 | |||||
| ALD110914SAL | 4.7014 | | 9699 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 表面安装 | 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） | ALD110914 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-SOIC | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1043 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2（n n 通道（双） | 10.6V | 12mA，3mA | 500OHM @ 5.4V | 1.42V @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD210802PCL | 6.3498 | | 1824年 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®，零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 通过洞 | 16 浸（0.300英寸，7.62mm） | ALD210802 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 16-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道，匹配对 | 10.6V | 80mA | - | 20mv @ 10µA | - | - | 逻辑级别门 | ||||||
| ALD110904PAL | 5.6464 | | 5212 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | ALD110904 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1036 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2（n n 通道（双） | 10.6V | 12mA，3mA | 500OHM @ 4.4V | 420mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD1101PAL | 8.2700 | | 100 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | - | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 通过洞 | 8 点点（0.300英寸，7.62mm） | ALD1101 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 8-pdip | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1002 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 2（n n 通道（双） | 10.6V | - | 75OHM @ 5V | 1V @ 10µA | - | - | - | |||||
| ALD310700PCL | 7.1248 | | 8207 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | EPAD®，零阈值™ | 管子 | 积极的 | 0°C〜70°C | 通过洞 | 16 浸（0.300英寸，7.62mm） | ALD310700 | MOSFET （金属 o化物） | 500MW | 16-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | 1014-1285 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4个p通道，匹配对 | 8V | - | - | 20mv @ 1µA | - | 2.5pf @ 5V | - | |||||
| ALD1108EPCL | - | | 2223 | 0.00000000 | 高级线性设备公司 | epad® | 管子 | 积极的 | 0°C 〜70°C（TJ） | 通过洞 | 16 浸（0.300英寸，7.62mm） | ALD1108 | MOSFET （金属 o化物） | 600MW | 16-PDIP | 下载 | rohs3符合条件 | （1 （无限） | 到达不受影响 | Ear99 | 8541.21.0095 | 50 | 4 n n通道，匹配对 | 10V | - | 500OHM @ 5V | 1.01V @ 1µA | - | 25pf @ 5V | - |
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