分立半导体产品(545)

产品编号	价格（美元）	数量	可用数量	制造商	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装/箱	基本产品编号	技术	功率-最大	供应商设备包	数据表	RoHS 状态	敏感湿度等级(MSL)	REACH状态	其他名称	电子通讯网络	高温SUS	标准套餐	速度	场效应管类型	漏源电压 (Vdss)	电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C	驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻）	Rds On（最大）@Id、Vgs	Vgs(th)（顶部）@Id	惯性矩 (Qg)（顶部）@Vgs	Vgs（最大）	输入电容 (Ciss)（顶部）@Vds	场效应管特性	消耗（最大）	电压 - 正向 (Vf)（最大）@ If	反向恢复T (trr)	电流 - 反向电流@Vr	工作温度 - 结	当前 - 平均调整 (Io)	电容@Vr, F	电压 - 集电极发射极击穿（最大）	集电极电流(Ic)（最大）	电流 - 电极电极电流（最大）	晶体管类型	Vce 雨水度（顶部）@Ib、Ic	直流电流增益 (hFE)（最小）@ Ic、Vce	频率-开头
2SC6102	-	询价	7000	三洋	*	大部分	的积极								下载					EAR99	8541.29.0075	74
2SC4521T-TD-E	-	询价	3820	三洋	*	大部分	过时的								-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-2SC4521T-TD-E-600057			1
2SK4171	1.0000	询价	4336	三洋	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3	2SK4171	MOSFET（金属O化物）		TO-220-3	下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1		N沟道	60V	100A（塔）	4V、10V	7.2毫欧@50A，10V	-	135nC@10V	±20V	6900pF@20V	-	1.75W（Ta）、75W（Tc）
2SC3922	0.3600	询价	1	三洋	*	大部分	的积极								下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	0000.00.0000	第833章
RD0506LS-SB5	0.9800	询价	2	三洋	-	大部分	的积极		通孔	TO-220-2全包	RD050	标准		TO-220FI(LS)-SB	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.10.0080	1	快速恢复=<500ns，>200毫安（Io）												1.6V@5A	50纳秒	50μA@600V	150℃（最高）	5A	-
ECH8305-TL-E	-	询价	5553	三洋	-	大部分	过时的	150℃	表面贴装	8-SMD，写入		MOSFET（金属O化物）		8-ECH	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-ECH8305-TL-E-600057			1		P沟道	60V	4A（塔）	4V、10V	85毫欧@2A，10V	2.4V@1mA	34nC@10V	±20V	1680pF@20V	-	1.6W（塔）
12A01C-TB-E	0.0600	询价	96	三洋	*	大部分	的积极								下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	5,323
MJ11028G	13.1500	询价	3	三洋	-	大部分	的积极	-55°C ~ 200°C（太焦）	通孔	TO-204AE			300W	TO-204 (TO-3)	下载					EAR99	8542.39.0001	23																			60V	50A	2毫安	NPN-达林顿	3.5V@500mA，50A	1000 @ 25A，5V	-
MCH6627-TL-E	0.1000	询价	989	三洋	*	大部分	的积极								下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000
BBS3002-DL-E	4.0500	询价	1666	三洋	-	大部分	过时的	-55°C ~ 150°C（太焦）	表面贴装	TO-252-3、DPak（2引脚+片）、SC-63		MOSFET（金属O化物）		TP-FA	-	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	10		P沟道	60V	100A（塔）	4V、10V	5.8毫欧@50A，10V	-	280nC@10V	±20V	13200pF@20V	-	90W（温度）
3LP01S-TL-E	0.0700	询价	6237	三洋	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	表面贴装	SC-75、SOT-416	3LP01	MOSFET（金属O化物）		SMCP	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0095	3,000		P沟道	30V	100mA（塔）	1.5V、4V	10.4欧姆@50mA，4V	-	1.43nC@10V	±10V	7500pF@10V	-	150毫W（塔）
2SC3070-AE	0.2100	询价	32	三洋	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-2SC3070-AE-600057			1,401
2SK3746	4.0600	询价	3	三洋	-	大部分	的积极	150°C（太焦）	通孔	TO-3P-3、SC-65-3		MOSFET（金属O化物）		TO-3PB	下载	不适用	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	74		N沟道	1500伏	2A（塔）	10V	13欧姆@1A，10V	-	10V时为37.5nC	±20V	380pF@30V	-	2.5W（Ta）、110W（Tc）
2SC4572-RA7	0.4700	询价	2	三洋	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	第634章
2SD1213R	-	询价	5707	三洋	*	大部分	的积极								下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0075	1
2SJ418-TL-E-SY	4.5700	询价	5	三洋	*	大部分	的积极				2SJ418	-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义			0000.00.0000	700											-
2SJ190-TD-E	-	询价	4836	三洋	*	大部分	的积极								-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1,000
FW705-TL-E	0.4400	询价	927	三洋	*	大部分	的积极								下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1
FW256-TL-E	0.9500	询价	3	三洋	*	大部分	的积极				FW256	-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8542.39.0001	1,000											-
MCH6424-TL-E	0.1500	询价	第452章	三洋	*	大部分	的积极								下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	3,000
2SK3818-DL-E	0.4400	询价	2	三洋	*	大部分	的积极								下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0095	1
FSS145-TL-E	1.0400	询价	3	三洋	*	大部分	的积极								下载		供应商未定义	REACH 不出行	2156-FSS145-TL-E-600057			1
2SK1460LS	3.5400	询价	1	三洋	*	大部分	的积极								下载	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	1
2SD1685G	0.2100	询价	7695	三洋	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-225AA、TO-126-3			1.5W	TO-225-3	下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1																			20V	5A	100nA（ICBO）	NPN	500mV@60mA，3A	120@500mA，2V	120兆赫
2SC3597D	-	询价	3342	三洋	*	大部分	过时的								-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-2SC3597D-600057			1
2SK2530-TL-E	0.5000	询价	41	三洋	*	大部分	的积极				2SK2530	-			-	不适用	1（无限制）	供应商未定义		EAR99	8541.29.0095	700											-
2SA1855S-AY	0.5300	询价	1	三洋	*	大部分	的积极								下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.29.0075	1
2SC3145	-	询价	3965	三洋	-	大部分	过时的	150°C（太焦）	通孔	TO-220-3			1.75W	TO-220AB	-				2156-2SC3145			1																			60V	5A	100nA（ICBO）	-	2V@5mA，2.5A	2000 @ 2.5A，2V	200兆赫
2SB1229T-AA	0.1400	询价	15	三洋	*	大部分	的积极								下载	符合ROHS3标准	1（无限制）	REACH 不出行		EAR99	8541.21.0075	1
2SJ650	-	询价	5411	三洋	-	大部分	过时的	150℃	通孔	TO-220-3全包		MOSFET（金属O化物）		TO-220ML	-	不符合 RoHS 指令		供应商未定义	2156-2SJ650-600057			1		P沟道	60V	12A（塔）	4V、10V	135mOhm@6A，10V	2.6V@1mA	21nC@10V	±20V	1020pF@20V	-	2W（Ta）、20W（Tc）

2000+
日平均询价量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000米²
智能仓库

分立半导体产品(545)

2000+

30,000,000

2800+

15,000米2

15,000米²