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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	噪声图（ db typ @ f）
FSB67508	3.1500	RFQ	166	Fairchild半导体	-	管	过时的			通过洞	10-powersip模块，形成的导线	-						下载	不适用				Ear99	8542.39.0001	19	-							-
IRFM120ATF	-	RFQ	9581	Fairchild半导体	-	大部分	活跃		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA				MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	214			n通道						100 v	2.3a（ta）	10V	200mohm @ 1.15a，10v	4V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	480 pf @ 25 V	-	2.4W（TA）
FJP3305H1TU	0.3700	RFQ	87	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					75 w	TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	817																													400 v	4 a						1µA（ICBO）			NPN	1V @ 1A，4A	8 @ 2a，5v	4MHz
FJN4310RTA	0.0200	RFQ	6268	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）		FJN431			300兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	800																													40 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	200 MHz	10 kohms
BC80716MTF	0.0300	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	活跃		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BC807			310 MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																													45 v	800 MA						100NA			PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
1N4738A.TA	0.0400	RFQ	21	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向					1 w	do-41	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	1																								10 µA @ 6 V													8.2 v	4.5欧姆
EGF1A	0.1900	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA				标准		DO-214AC（SMA）	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-EGF1A-600039			1,735		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																		50 V		1 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 50 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
BC848CWT1G	0.0300	RFQ	45	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	SC-70，SOT-323					150兆	SC-70-3（SOT323）	下载					Ear99	8541.21.0075	1																													30 V	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	100MHz
FFP10U20DNTU	0.2500	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-3				标准		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	1对普通阴极	200 v	10a	1.2 V @ 10 A	35 ns	10 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
FFA120UP60DNTU	0.9600	RFQ	6449	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				标准		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0080	91		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	1对普通阴极	600 v	120a	2.2 V @ 60 A	90 ns	25 µA @ 600 V	-65°C〜150°C
2N3906BU	0.0400	RFQ	677	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																													40 V	200 MA						-			PNP	400mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	250MHz
BAS19	0.0200	RFQ	59	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BAS19		标准		SOT-23-3（TO-236）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	3,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度																		100 v		1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 100 V	-55°C〜150°C	200mA	5pf @ 0v，1MHz
HUF75343S3_NL	1.5200	RFQ	360	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道						55 v	75A（TC）	10V	9mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	205 NC @ 20 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	270W（TC）
MMBT5550-FS	0.0500	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	9,113																													140 v	600 MA						100NA（ICBO）			NPN	250mv @ 5mA，50mA	60 @ 10mA，5V	50MHz
1N4729A	0.0300	RFQ	69	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±0.5％	-	通过洞	轴向		1N4729			1 w	do-41g	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																						1 V @ 100 ma		100 µA @ 1 V													3.6 v	10欧姆
FQPF12P20XDTU	-	RFQ	1429	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		FQPF1		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1			P通道						200 v	7.3A（TC）	10V	470MOHM @ 3.65A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 25 V	-	50W（TC）
BCW60C	1.0000	RFQ	9358	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																													32 v	100 ma						20NA			NPN	550mv @ 1.25mA，50mA	250 @ 2mA，5v	125MHz
FQP630	0.3400	RFQ	5	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道						200 v	9A（TC）	10V	400MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±25V	550 pf @ 25 V	-	78W（TC）
FDD3670	1.0000	RFQ	2347	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载						0000.00.0000	1			n通道						100 v	34A（ta）	6V，10V	32MOHM @ 7.3A，10V	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	2490 pf @ 50 V	-	3.8W（TA），83W（tc）
MPSH10	0.0900	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞						350MW		下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	5,000					-																								25V										NPN		60 @ 4mA，10v	650MHz		-
ksb564acybu	0.0200	RFQ	92	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					800兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																													25 v	1 a						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 100mA，1a	120 @ 100mA，1V	110MHz
FQPF4N50	0.4700	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道						500 v	2.3a（TC）	10V	2.7OHM @ 1.15a，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	460 pf @ 25 V	-	35W（TC）
FDD6670AS	1.3500	RFQ	6386	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	162			n通道						30 V	76A（ta）	4.5V，10V	8mohm @ 13.8a，10v	3V @ 1mA	40 NC @ 10 V	±20V	1580 pf @ 15 V	-	70W（TA）
FSAM10SH60	14.3700	RFQ	95	Fairchild半导体	SPM®	管子	过时的			通过洞	32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm）	IGBT						下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	48	3期					10 a	600 v	2500vrms
2N7000-D26Z	-	RFQ	1096	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0095	1			n通道						60 V	200ma（ta）	4.5V，10V	5ohm @ 500mA，10v	3V @ 1mA		±20V	50 pf @ 25 V	-	400MW（TA）
FDMC8884-F126	-	RFQ	6391	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn				MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	-				2156-FDMC8884-F126			1			n通道						30 V	（9A）（15A）（15A）TC）	4.5V，10V	19mohm @ 9a，10v	2.5V @ 250µA	14 NC @ 10 V	±20V	685 pf @ 15 V	-	2.3W（TA），18W（tc）
MMBT5089	-	RFQ	3523	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBT5089			350兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	3,000																													25 v	100 ma						50NA（iCBO）			NPN	500mv @ 1mA，10mA	400 @ 100µA，5V	50MHz
HUF76445S3S	0.8400	RFQ	513	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道						60 V	75A（TC）	4.5V，10V	6.5MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±16V	4965 PF @ 25 V	-	310W（TC）
FQB9N25TM	0.5300	RFQ	6551	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	52			n通道						250 v	9.4A（TC）	10V	420MOHM @ 4.7A，10V	5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	700 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），90W（tc）
SGS10N60RUFDTU	1.0000	RFQ	8047	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		SGS10N60	标准		55 w	TO-220F-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1				300V，10a，20 ohm，15V																			60 ns					-	600 v	16 a	30 a	2.8V @ 15V，10a	141µJ（在）（215µJ）上	30 NC	15NS/36N

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²