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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
FDH300ATR	0.0200	RFQ	5187	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			标准		DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度														125 v	1 V @ 200 MA		1 NA @ 125 V	175°c （最大）	200mA	6pf @ 0v，1MHz
FQNL1N50BTA	-	RFQ	2765	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）			MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	944			n通道			500 v	270mA（tc）	10V	9ohm @ 135mA，10v	3.7V @ 250µA	5.5 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	1.5W（TC）
BD13610STU	0.3200	RFQ	37	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3				1.25 w	TO-126-3	下载					Ear99	8541.29.0095	933																								45 v	1.5 a						100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	-
FSV2060L	-	RFQ	1376	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-277，3-PowerDfn			肖特基		TO-277-3	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														60 V	600 mv @ 20 a		320 µA @ 60 V	-55°C〜150°C	20a	771pf @ 4V，1MHz
FQPF3N50C	0.7000	RFQ	20	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道			500 v	3A（TC）	10V	2.5OHM @ 1.5A，10V	4V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	365 pf @ 25 V	-	25W（TC）
FQP3P50	1.0000	RFQ	6719	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			P通道			500 v	2.7A（TC）	10V	4.9ohm @ 1.35a，10V	5V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±30V	660 pf @ 25 V	-	85W（TC）
PN200	0.0500	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	6,217																								45 v	500 MA						50NA			PNP	400mv @ 20mA，200mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
FQPF18N20V2YDTU	1.0800	RFQ	101	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3（Y Y形成）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道			200 v	18A（TC）	10V	140MOHM @ 9A，10V	5V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IRFS540A	0.6600	RFQ	92	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道			100 v	17a（TC）	10V	52MOHM @ 8.5A，10V	4V @ 250µA	78 NC @ 10 V	-	1710 PF @ 25 V	-	39W（TC）
MMBTA42-FS	-	RFQ	9829	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				240兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1,000																								300 v	500 MA						100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 30mA，10V	50MHz
IRFI840BTU	0.4300	RFQ	61	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			500 v	8A（TC）	10V	800MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），134W（TC）
BC308	-	RFQ	4627	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,036																								25 v	100 ma						15NA			PNP	500mv @ 5mA，100mA	120 @ 2mA，5V	130MHz
MMSZ5254B	0.0200	RFQ	48	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123				500兆	SOD-123	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-MMSZ5254B-600039			1																																27 V	25欧姆
SS9012HBU	0.0300	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	SS9012			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																								20 v	500 MA						100NA（ICBO）			PNP	600mv @ 50mA，500mA	144 @ 50mA，1V	-
FDMD8260L	1.6600	RFQ	122	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	12-Powerwdfn	FDMD8260		MOSFET （金属 o化物）	1W	12-Power3.3x5	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）					60V	15a		5.8mohm @ 15a，10v	3V @ 250µA	68nc @ 10V		5245pf @ 30V	-
FPNH10	-	RFQ	5662	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				350MW	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,315					-																			25V	50mA									NPN		60 @ 4mA，10v	650MHz	-
FQPF15P12	-	RFQ	4050	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	-				2156-FQPF15P12			1			P通道			120 v	15A（TC）	10V	200mohm @ 7.5A，10V	4V @ 250µA	38 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	41W（TC）
FDPF17N60NT	-	RFQ	4382	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道			600 v	17a（TC）	10V	340MOHM @ 8.5A，10V	5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±30V	3040 pf @ 25 V	-	62.5W（TC）
FQAF27N25	1.2500	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			250 v	19a（tc）	10V	110MOHM @ 9.5A，10V	5V @ 250µA	65 NC @ 10 V	±30V	2450 pf @ 25 V	-	95W（TC）
ES3C	-	RFQ	9992	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC			标准		SMC（do-214ab）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														150 v	900 mv @ 3 a	20 ns	5 µA @ 150 V	-50°C〜150°C	3a	-
flz2v2a	-	RFQ	3701	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±4％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500																	1.2 V @ 200 ma		55 µA @ 700 mV													2.2 v	35欧姆
FGA4060ADF	2.2300	RFQ	275	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		标准		238 w	to-3pn	下载					Ear99	8541.29.0095	1				400V，40a，6ohm，15V														26 NS					沟渠场停止	600 v	80 a	120 a	2.3V @ 15V，40a	1.37mj（在）上，250µJ降低）	55.5 NC	16.8NS/54.4NS
MM3Z16VB	0.0200	RFQ	2220	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	1																	1 V @ 10 mA		45 NA @ 11.2 V													16 V	37欧姆
KSC2334Y	0.7000	RFQ	600	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				1.5 w	TO-220-3	下载						0000.00.0000	429																								100 v	7 a						10µA（ICBO）			NPN	600mv @ 500mA，5a	120 @ 3a，5v	-
D44C8	1.0000	RFQ	8509	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	D44C			60 W	TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																								60 V	4 a						10µA			NPN	500mv @ 50mA，1a	20 @ 2a，1V	40MHz
IRFS614B	0.1800	RFQ	80	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,664			n通道			250 v	2.8A（TJ）	10V	2ohm @ 1.4A，10V	4V @ 250µA	10.5 NC @ 10 V	±30V	275 pf @ 25 V	-	22W（TC）
HUFA76437S3ST	1.2100	RFQ	9	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道			60 V	71A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 71a，10v	3V @ 250µA	71 NC @ 10 V	±16V	2230 PF @ 25 V	-	155W（TC）
BZX85C33	1.0000	RFQ	5973	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	do-204al，do-41，轴向	BZX85C33			1.3 w	do-41g	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1																	1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 24 V													33 V	35欧姆
BD240A	0.2300	RFQ	8277	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				30 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,022																								60 V	2 a						300µA			PNP	700mv @ 200mA，1a	15 @ 1A，4V	-
FDZ7064N	1.3900	RFQ	6	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	30-WFBGA			MOSFET （金属 o化物）		30-BGA （4x3.5）	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道			30 V	13.5A（TA）	4.5V，10V	7MOHM @ 14.5A，10V	2V @ 250µA	43 NC @ 4.5 V	±12V	3843 PF @ 15 V	-	2.2W（ta）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²