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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
But11	0.7000	RFQ	4223	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			100 W	TO-220-3	下载				Ear99	8541.29.0095	350																				400 v	5 a	1ma			NPN	1.5V @ 600mA，3a	-	-
FSBB30CH60CM	-	RFQ	8044	Fairchild半导体	*	大部分	积极的									-	不适用	3（168））	供应商不确定			1
NDS9407	-	RFQ	3348	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载				Ear99	8542.39.0001	1		P通道	60 V	3A（3A）	4.5V，10V	150MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	22 NC @ 10 V	±20V	732 PF @ 30 V	-	1W（ta）
FJN965TA	-	RFQ	6748	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			750兆w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0075	945																				20 v	5 a	1µA			NPN	1V @ 100mA，3a	230 @ 500mA，2V	150MHz
MJD210TF	0.2900	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD21		1.4 w	D-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1,025																				25 v	5 a	100NA（ICBO）			PNP	1.8V @ 1a，5a	45 @ 2a，1V	65MHz
HUF76143P3	0.7000	RFQ	108	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	8541.29.0095	1		n通道	30 V	75A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 75A，10V	3V @ 250µA	114 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	225W（TC）
FQA17N40	1.7200	RFQ	398	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	450		n通道	400 v	17.2A（TC）	10V	270MOHM @ 8.6A，10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	190w（TC）
TIP122TU	1.0000	RFQ	9382	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	TIP122		2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	1																				100 v	5 a	500µA			npn-达灵顿	4V @ 20mA，5a	1000 @ 3a，3v	-
KSB546YTU	-	RFQ	7526	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			25 w	TO-220-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1																				150 v	2 a	50µA（ICBO）			PNP	1V @ 50mA，500mA	120 @ 400mA，10v	5MHz
FQI3N25TU	0.3400	RFQ	3	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	250 v	2.8A（TC）	10V	2.2OHM @ 1.4A，10V	5V @ 250µA	5.2 NC @ 10 V	±30V	170 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），45W（（（（（（（（（（
FDLL333	-	RFQ	1548年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80		标准		SOD-80	下载				Ear99	8542.39.0001	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度												125 v	1.15 V @ 300 mA		3 na @ 125 V	175°c （最大）	200mA	6pf @ 0v，1MHz
ES2DAF	0.2300	RFQ	884	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	do-214ad，Smaf	ES2D	标准		DO-214AD（SMAF）	下载				Ear99	8541.10.0080	1,399	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												200 v	950 mv @ 2 a	35 ns	1 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	2a	30pf @ 4V，1MHz
MMSZ5233B	0.0200	RFQ	182	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123	MMSZ52		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000														900 mv @ 10 ma		5 µA @ 3.5 V							6 V	11欧姆
FDLL4448_D87Z	0.0200	RFQ	20	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80		标准		SOD-80	下载				Ear99	8542.39.0001	15,000	小信号= <200ma（io（io），任何速度												100 v	1 V @ 10 mA	4 ns	5 µA @ 75 V	-65°C〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
FJY4006R	0.0500	RFQ	23	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-89，SOT-490	FJY400		200兆	SOT-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	3,000																				50 V	100 ma	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	10 kohms	47科姆斯
SS9013HBU	0.0200	RFQ	885	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	1,000																				20 v	500 MA	100NA（ICBO）			NPN	600mv @ 50mA，500mA	144 @ 50mA，1V	-
MMSZ5237B	0.0200	RFQ	132	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123	MMSZ52		500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.10.0050	3,000														900 mv @ 10 ma		3 µA @ 6.5 V							8.2 v	6欧姆
KSD526Y	1.0000	RFQ	5008	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			30 W	TO-220-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1																				80 V	4 a	30µA（ICBO）			NPN	1.5V @ 300mA，3a	120 @ 500mA，5V	8MHz
MJD45H11TM	-	RFQ	3505	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD45		1.75 w	TO-252-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响	Ear99	0000.00.0000	1,158																				80 V	8 a	10µA			PNP	1V @ 400mA，8a	40 @ 4A，1V	40MHz
FDPF3860T	1.0000	RFQ	9802	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载				Ear99	8542.39.0001	1		n通道	100 v	20A（TC）	10V	38.2MOHM @ 5.9A，10V	4.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	33.8W（TC）
TN6726A	0.1000	RFQ	39	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3			1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	2,000																				30 V	1.5 a	100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 100mA，1a	60 @ 100mA，1V	-
flz11vb	0.0200	RFQ	31	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.10.0050	15,000														1.2 V @ 200 ma		133 na @ 8 V							10.7 v	8.5欧姆
FQAF16N25	0.9200	RFQ	682	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	360		n通道	250 v	12.4A（TC）	10V	230mohm @ 6.2a，10v	5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1200 pf @ 25 V	-	85W（TC）
mpsa05ra	0.0700	RFQ	5	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92-3	下载				Ear99	8542.39.0001	5,829																				60 V	500 MA	100µA（ICBO）			NPN	250mv @ 10mA，100mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
HUFA76645S3S	1.2100	RFQ	3305	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.29.0095	176		n通道	100 v	75A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	153 NC @ 10 V	±16V	4400 PF @ 25 V	-	310W（TC）
TIP29A	-	RFQ	7289	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			2 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	8541.29.0095	889																				60 V	1 a	300µA			NPN	700mv @ 125mA，1a	40 @ 200ma，4V	3MHz
TN3019A	0.1500	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			1 w	TO-226-3	下载	rohs3符合条件			Ear99	8541.21.0095	1,500																				80 V	1 a	10NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	100MHz
FJN4303RTA	0.0200	RFQ	101	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	FJN430		300兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Ear99	0000.00.0000	1																				50 V	100 ma	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	200 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
RFD14N05SM9A	1.0000	RFQ	1816年	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载				Ear99	8541.29.0095	1		n通道	50 V	14A（TC）	10V	100mohm @ 14a，10v	4V @ 250µA	40 NC @ 20 V	±20V	570 pf @ 25 V	-	48W（TC）
FDH300ATR	0.0200	RFQ	5187	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准		DO-35（do-204AH）	下载				Ear99	8542.39.0001	1	小信号= <200ma（io（io），任何速度												125 v	1 V @ 200 MA		1 NA @ 125 V	175°c （最大）	200mA	6pf @ 0v，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²