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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	（CIES） @ vce	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
SGS10N60RUFDTU	1.0000	RFQ	8047	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	SGS10N60	标准		55 w		TO-220F-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1				300V，10a，20 ohm，15V																60 ns					-	600 v	16 a	30 a	2.8V @ 15V，10a	141µJ（在）（215µJ）上	30 NC	15NS/36N
FQAF70N15	2.3700	RFQ	925	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3			MOSFET （金属 o化物）			to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	360			n通道			150 v	44A（TC）	10V	28mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	175 NC @ 10 V	±25V	5400 PF @ 25 V	-	130W（TC）
FDR8508P	1.3800	RFQ	21	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tsop （0.130英寸，3.30mm）	FDR85		MOSFET （金属 o化物）	800MW		Supersot™-8	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000	2（p 通道（双）					30V	3a		52MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	12nc @ 5V		750pf @ 15V	逻辑级别门
HUFA75344P3_NL	1.0000	RFQ	1029	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道			55 v	75A（TC）	10V	8mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	210 NC @ 20 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	285W（TC）
FQP13N06	0.3100	RFQ	79	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			60 V	13A（TC）	10V	135mohm @ 6.5a，10v	4V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±25V	310 pf @ 25 V	-	45W（TC）
FGPF30N45TTU	1.0100	RFQ	2	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		标准		50.4 w		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50				-																					沟	450 v		120 a	1.6V @ 15V，20A	-	73 NC	-
IRF710	0.3700	RFQ	19	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道			400 v	2A（TC）		3.6ohm @ 1.1a，10v	4V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±20V	135 pf @ 25 V	-	36W（TC）
KSB1116YBU	1.0000	RFQ	6782	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				750兆w		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	10,000																										50 V	1 a						100NA（ICBO）					PNP	300mv @ 50mA，1a	135 @ 100mA，2V	120MHz
FDMC0225	0.1400	RFQ	200	Fairchild半导体	*	大部分	积极的					FDMC02		-				-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000														-
FJN3306RTA	0.0200	RFQ	20	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	FJN330			300兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																										50 V	100 ma						100NA（ICBO）					npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	10 kohms	47科姆斯
FCU7N60TU	-	RFQ	9785	Fairchild半导体	SuperFet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	55			n通道			600 v	7A（TC）	10V	600MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	920 PF @ 25 V	-	83W（TC）
FQAF17P10	0.9000	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3			MOSFET （金属 o化物）			to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30			P通道			100 v	12.4A（TC）	10V	190mohm @ 6.2a，10v	4V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	56W（TC）
IRFP140	1.0000	RFQ	1537年	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-247AC	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	25			n通道			100 v	31a（TC）		77mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	72 NC @ 10 V		1700 PF @ 25 V	-
MBR4060PT	1.5800	RFQ	855	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			肖特基			to-3p	下载					Ear99	8541.10.0080	207		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														1对普通阴极	60 V	40a	800 mv @ 20 a		1 mA @ 60 V	-65°C〜150°C
FMS6G20US60	-	RFQ	7259	Fairchild半导体	-	盒子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	25 pm-aa				89 w	三相桥梁整流器	25 pm-aa	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	4	三相逆变器																								-	600 v	20 a		2.7V @ 15V，20A				250 µA	是的			1.277 NF @ 30 V
FDSS2407_SB82086	0.7300	RFQ	1	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-FDSS2407_SB82086-600039			1
RGF1D	0.1400	RFQ	1048	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA			标准			DO-214AC（SMA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	224		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															200 v		1.3 V @ 1 A	150 ns	5 µA @ 200 V	-65°C〜175°C	1a	8.5pf @ 4V，1MHz
1N5262B-T50A	0.0200	RFQ	55	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆		DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	1																			1.2 V @ 200 ma		100 na @ 39 V														51 v	125欧姆
EGF1C	0.1900	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	do-214ac，SMA			标准			DO-214AC（SMA）	下载					Ear99	8541.10.0080	1,735		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															150 v		1 V @ 1 A	50 ns	10 µA @ 150 V	-65°C〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
MM3Z4V3C	0.0400	RFQ	210	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				200兆		SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	8,103																			1 V @ 10 mA		2.7 µA @ 1 V														4.3 v	84欧姆
FDH333_Q	0.6200	RFQ	2	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											-	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8542.39.0001	1
es1daf	0.2600	RFQ	30	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	do-214ad，Smaf	es1d		标准			DO-214AD（SMAF）	下载					Ear99	8541.10.0080	1,152		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															200 v		950 MV @ 1 A	34 ns	1 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
SI4835DY	0.2500	RFQ	4	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）			8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道			30 V	8.8a（ta）	4.5V，10V	20mohm @ 8.8a，10v	3V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±25V	1680 pf @ 15 V	-	1W（ta）
FFPF04S60STU	-	RFQ	6509	Fairchild半导体	Stealth™	管子	过时的			通过洞	TO-220-2完整包			标准			TO-220F-2L	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															600 v		2.6 V @ 4 A	25 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	4a	-
IRLR210ATM	0.5200	RFQ	7	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道			200 v	2.7A（TC）	5V	1.5OHM @ 1.35a，5V	2V @ 250µA	9 NC @ 5 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	2.5W（21W），21W（TC）
BC556	0.0400	RFQ	10	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				500兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																										65 v	100 ma						15NA（icbo）					PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
BZX79C11	0.0300	RFQ	102	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆		DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539																			1.5 V @ 100 ma		100 na @ 8 V														11 V	20欧姆
KSC5502TU	-	RFQ	7304	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				50 W		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1																										600 v	2 a						100µA					NPN	1.5V @ 200mA，1a	12 @ 500mA，2.5V	-
SS9018FBU	0.0200	RFQ	127	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	SS9018			400MW		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0075	1					-																					15V	50mA											NPN		54 @ 1mA，5V	1.1GHz			-
BCW89	-	RFQ	2385	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	BCW89			350兆		SOT-23-3	下载					Ear99	8541.21.0075	3,000																										60 V	500 MA						100NA（ICBO）					PNP	300mv @ 500µA，10mA	120 @ 2mA，5V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²