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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FDMC3020DC	1.0000	RFQ	7001	Fairchild半导体	Dual Cool™，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		Power33	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道				30 V	（17a）（TA），40A （TC）	4.5V，10V	6.25mohm @ 12a，10v	3V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	1385 pf @ 15 V	-	（3w（ta），50W（TC）
HUF761373	0.8400	RFQ	13	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道				30 V	75A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	2100 PF @ 25 V	-	145W（TC）
2N5366	0.0400	RFQ	21	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																								40 V	500 MA	100NA			PNP	1V @ 30mA，300mA	100 @ 50mA，1V	-
FDPF12N35	0.5300	RFQ	1	Fairchild半导体	Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道				350 v	12A（TC）	10V	380MOHM @ 6A，10V	5V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±30V	1110 PF @ 25 V	-	31.3W（TC）
FDP7030L	2.1300	RFQ	29	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道				30 V	80a（ta）	4.5V，10V	7mohm @ 40a，10v	3V @ 250µA	33 NC @ 5 V	±20V	2440 pf @ 15 V	-	68W（TC）
IRF830b	0.5400	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道				500 v	4.5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.25A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1050 pf @ 25 V	-	73W（TC）
FQP6N80	1.0000	RFQ	4193	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道				800 v	5.8A（TC）	10V	1.95OHM @ 2.9a，10V	5V @ 250µA	31 NC @ 10 V	±30V	1500 pf @ 25 V	-	158W（TC）
MMSZ5241B	0.0200	RFQ	5588	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	SOD-123				500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		900 mv @ 10 ma		2 µA @ 8.4 V							11 V	22欧姆
IRF710B	0.1700	RFQ	31	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道				400 v	2A（TC）	10V	3.4OHM @ 1A，10V	4V @ 250µA	10 NC @ 10 V	±30V	330 pf @ 25 V	-	36W（TC）
FDS7764S	1.8100	RFQ	118	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				30 V	13.5A（TA）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 13.5A，10V	2V @ 1mA	35 NC @ 5 V	±16V	2800 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
FDS6875	-	RFQ	4871	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS68	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载						0000.00.0000	1	2（p 通道（双）						20V	6a		30mohm @ 6a，4.5V	1.5V @ 250µA	31nc @ 5V		2250pf @ 10V	逻辑级别门
FQPF19N20	0.9900	RFQ	10	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道				200 v	11.8A（TC）	10V	150MOHM @ 5.9A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1600 pf @ 25 V	-	50W（TC）
FCH170N60	3.1900	RFQ	2	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载					Ear99	8542.39.0001	102			n通道				600 v	22a（TC）	10V	170mohm @ 11a，10v	3.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	2860 PF @ 380 V	-	227W（TC）
BC80740MTF	-	RFQ	8447	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				310 MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																								45 v	800 MA	100NA			PNP	700mv @ 50mA，500mA	100 @ 100mA，1V	100MHz
FQD1N60TF	0.2900	RFQ	42	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道				600 v	1A（TC）	10V	11.5ohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	6 NC @ 10 V	±30V	150 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
ksc2333ytu-fs	1.0000	RFQ	9839	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				15 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																								400 v	2 a	1ma			NPN	1V @ 100mA，500mA	20 @ 100mA，5V	-
1N756ATR	0.0500	RFQ	170	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	5,000																		1.5 V @ 200 ma		100 na @ 1 V							8.2 v	8欧姆
FDU8580	0.6000	RFQ	7	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	75			n通道				20 v	35A（TC）	4.5V，10V	9mohm @ 35a，10v	2.5V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±20V	1445 pf @ 10 V	-	49.5W（TC）
FDA62N28	3.6600	RFQ	854	Fairchild半导体	Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30			n通道				280 v	62A（TC）	10V	51mohm @ 31a，10v	5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±30V	4630 PF @ 25 V	-	500W（TC）
FES16JT	0.8700	RFQ	7947	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2			标准		TO-220-2	下载	rohs3符合条件			2156-FES16JT-FS	Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															600 v	1.5 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜150°C	16a	145pf @ 4V，1MHz
FDS8949	1.0000	RFQ	2329	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS89	MOSFET （金属 o化物）	2W	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）						40V	6a		29mohm @ 6a，10v	3V @ 250µA	11NC @ 5V		955pf @ 20V	逻辑级别门
FQPF9N50YDTU	0.8800	RFQ	24	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3（Y Y形成）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道				500 v	5.3A（TC）	10V	730MOHM @ 2.65a，10V	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1450 pf @ 25 V	-	50W（TC）
FNB51560T1	9.2200	RFQ	2	Fairchild半导体	MOTIONSPM®55	大部分	积极的			通过洞	20-PowerDip 模块（1.220英寸，31.00mm）	IGBT	FNB51				下载	rohs3符合条件	3（168））	到达受影响		Ear99	8542.39.0001	1	3相逆变器			15 a	600 v	1500vrms
FSAB20PH60	9.3500	RFQ	74	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	27-PowerDip 模块（1.205英寸，30.60mm）	IGBT					下载	rohs3符合条件				Ear99	8542.39.0001	60	1期			11 a	600 v	2500vrms
MBR735	-	RFQ	7294	Fairchild半导体	-	管子	积极的			通过洞	TO-220-2			肖特基		TO-220-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）															35 v	840 mv @ 15 A		100 µA @ 35 V	-65°C〜150°C	7.5a	-
FDS7088N3	2.6000	RFQ	4	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				30 V	21a（21a）	4.5V，10V	4mohm @ 21a，10v	3V @ 250µA	48 NC @ 5 V	±20V	3845 pf @ 15 V	-	（3W）（TA）
BSS63	0.0300	RFQ	17	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BSS6		350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																								100 v	200 MA	100NA（ICBO）			PNP	250mv @ 2.5mA，25mA	30 @ 25mA，1V	50MHz
FDS4080N7	1.5500	RFQ	11	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道				40 V	13A（TA）	10V	10mohm @ 13a，10v	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1750 pf @ 20 V	-	3.9W（TA）
FDMS0343S	0.1800	RFQ	4	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		8-PQFN （5x6），Power56	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道				25 v	28a（28a），49a （TC）	4.5V，10V	1.95MOHM @ 28A，10V	3V @ 1mA	69 NC @ 10 V	±20V	4515 PF @ 13 V	-	2.5W（ta），83W（tc）
FDH047AN08AD	-	RFQ	1545年	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDH047AN08AD-600039			1

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²