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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
RHRD660S9A-S2515P	1.0000	RFQ	6099	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		雪崩			TO-252AA	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-RHRD660S9A-S2515P-600039			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												600 v	2.1 V @ 6 A	35 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	6a	-
FDS8934A	0.6700	RFQ	52	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS89	MOSFET （金属 o化物）	900MW		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）			20V	4a		55MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	28nc @ 5V		1130pf @ 10V	逻辑级别门
KSB564ACYTA	0.0200	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			800兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																						25 v	1 a		100NA（ICBO）				PNP	500mv @ 100mA，1a	120 @ 100mA，1V	110MHz
PN5134	0.0500	RFQ	32	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																						10 v	500 MA		400NA				NPN	250mv @ 1mA，10mA	20 @ 10mA，1V	-
NDB7051	1.5900	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道	50 V	70A（TC）	10V	13mohm @ 35a，10v	4V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	1930 pf @ 25 V	-	130W（TC）
HUFA76645S3ST	1.1700	RFQ	7	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道	100 v	75A（TC）	4.5V，10V	14mohm @ 75a，10v	3V @ 250µA	153 NC @ 10 V	±16V	4400 PF @ 25 V	-	310W（TC）
FQB14N30TM	1.6000	RFQ	602	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道	300 v	14.4A（TC）	10V	290MOHM @ 7.2A，10V	5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±30V	1360 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），147W（tc）
HUF753333_NS2552	0.6400	RFQ	8745	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	324			n通道	55 v	66A（TC）	10V	16mohm @ 66a，10v	4V @ 250µA	85 NC @ 20 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
BZX85C18-T50A	-	RFQ	2203	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w		DO-204AL（DO-41）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BZX85C18-T50A-600039			1															1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 12.5 V										17.95 v	20欧姆
RFG40N10	1.4000	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	150			n通道	100 v	40a（TC）	10V	40MOHM @ 40a，10v	4V @ 250µA	300 NC @ 20 V	±20V		-	160W（TC）
BZX85C36	1.0000	RFQ	5132	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w		DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000															1.2 V @ 200 ma		500 na @ 25 V										36 V	1000欧姆
RURD660S-SB82214	1.0000	RFQ	2358	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		雪崩				下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-RURD660S-SB82214-600039			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												600 v	1.5 V @ 6 A	60 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	6a	25pf @ 10V，1MHz
FSB560	1.0000	RFQ	2718	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			500兆		SOT-23-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1																						60 V	2 a		100NA（ICBO）				NPN	350mv @ 200mA，2a	100 @ 500mA，2V	75MHz
FQP7N65C	0.7500	RFQ	25	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	650 v	7A（TC）	10V	1.4OHM @ 3.5A，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1245 PF @ 25 V	-	160W（TC）
FDD5N50UTM	0.3100	RFQ	1876年	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDD5N50UTM-600039			793
FDZ7064S	1.4200	RFQ	27	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	30-WFBGA		MOSFET （金属 o化物）			30-BGA（3.5x4）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	3,000			n通道	30 V	13.5A（TA）	4.5V，10V	7mohm @ 13.5a，10v	3V @ 1mA	35 NC @ 5 V	±16V	2840 pf @ 15 V	-	2.2W（ta）
HUF76419S3ST	0.6700	RFQ	42	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道	60 V	29A（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 29a，10v	3V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±16V	900 pf @ 25 V	-	75W（TC）
FDMS7578	-	RFQ	7144	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）			8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道	25 v	（17a）（28a）（28a）TC）	4.5V，10V	5.8mohm @ 17a，10v	3V @ 250µA	25 NC @ 10 V	±20V	1625 PF @ 13 V	-	2.5W（TA），33W（tc）
1N5392	0.0200	RFQ	9699	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向		标准			do-15	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	8,011		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）												100 v	1.4 V @ 1.5 A		5 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	1.5a	25pf @ 4V，1MHz
IRF740B	1.0000	RFQ	7799	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道	400 v	10A（TC）	10V	540MOHM @ 5A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	134W（TC）
IRFW640BTM	-	RFQ	4673	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道	200 v	18A（TC）	10V	180mohm @ 9a，10v	4V @ 250µA	58 NC @ 10 V	±30V	1700 PF @ 25 V	-	3.13W（TA）
FQPF7N80C	1.2100	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	249			n通道	800 v	6.6A（TC）	10V	1.9OHM @ 3.3a，10v	5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1680 pf @ 25 V	-	56W（TC）
FMG1G400US60H	104.0200	RFQ	21	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块			1136 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																				-	600 v	400 a	2.7V @ 15V，400A	250 µA	不
kse13009ftu	0.2900	RFQ	17	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	KSE13009				TO-220F-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1																									-				NPN	3V @ 3a，12a	8 @ 5a，5v	4MHz
FDI9409-F085	1.0600	RFQ	1	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDI9409-F085-600039			1			n通道	40 V	80A（TC）	10V	3.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	2980 pf @ 25 V	-	94W（TJ）
HUF75309D3ST_NL	0.4000	RFQ	4483	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）			DPAK	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	597			n通道	55 v	19a（tc）	10V	70mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 20 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	55W（TC）
FQPF13N50T	-	RFQ	1468	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道	500 v	12.5A（TC）	10V	430mohm @ 6.25a，10V	5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	2300 PF @ 25 V	-	56W（TC）
bav20tr	-	RFQ	6030	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准			DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0070	30,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度												200 v	1.25 V @ 200 ma	50 ns	100 na @ 200 V	175°c （最大）	200mA	5pf @ 0v，1MHz
FQPF2N30	0.2900	RFQ	4	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道	300 v	1.34A（TC）	10V	3.7OHM @ 670mA，10V	5V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±30V	130 pf @ 25 V	-	16W（TC）
FCH150N65F-F155	-	RFQ	7901	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	FCH150	MOSFET （金属 o化物）			TO-247长铅	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道	650 v	24A（TC）	10V	150MOHM @ 12A，10V	5V @ 2.4mA	94 NC @ 10 V	±20V	3737 PF @ 100 V	-	298W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²