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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（ih）（IH））	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	triac类型	电压 -偏离状态	（（rms）（rms）（最大）	（VGT）（VGT）（最大）	当前-nonrep。Suger50，60Hz（iTSM）	（IGT）（IGT）（最大）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FSB50825AS	-	RFQ	1891年	Fairchild半导体	MOTIONSPM®5	大部分	积极的			表面安装	23-powersmd模块，鸥翼	MOSFET						-						0000.00.0000	1	3期				3.6 a	250 v	1500vrms
FQPF2P25	0.3700	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			P通道					250 v	1.8A（TC）	10V	4ohm @ 900mA，10v	5V @ 250µA	8.5 NC @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	32W（TC）
BZX85C27	0.0500	RFQ	82	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±7％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向				1 w		DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	3,000																											1.2 V @ 200 ma		500 na @ 19 V												27 V	30欧姆
FQI9N50CTU	1.2500	RFQ	39	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）			i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					500 v	9A（TC）	10V	800MOHM @ 4.5A，10V	4V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1030 pf @ 25 V	-	135W（TC）
FJPF5304DTU	0.5100	RFQ	133	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	1
FFPF20U60DNTU	0.5400	RFQ	23	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3完整包			标准			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																						1对普通阴极	600 v	20a	2.2 V @ 20 A	90 ns	10 µA @ 600 V	-65°C〜150°C
FJV3103RMTF	0.0300	RFQ	343	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		FJV310		200兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																																		50 V	100 ma				100NA（ICBO）				npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	56 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	22 KOHMS
1N483B	6.0900	RFQ	13	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		1N483	标准			do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0070	54		小信号= <200ma（io（io），任何速度																							80 V		1 V @ 100 ma		25 na @ 60 V	175°c （最大）	200mA	-
1N456ATR	0.0300	RFQ	65	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			标准			DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0070	11,539		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							30 V		1 V @ 100 ma		25 na @ 25 V	175°c （最大）	500mA	-
HUF75542P3_NL	-	RFQ	8266	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	114			n通道					80 V	75A（TC）	10V	14mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	180 NC @ 20 V	±20V	2750 pf @ 25 V	-	230W（TC）
FDPF7N50	0.7100	RFQ	265	Fairchild半导体	Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道					500 v	7A（TC）	10V	900MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±30V	940 pf @ 25 V	-	39W（TC）
KSC2688YSTU	0.1900	RFQ	156	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3				1.25 w		TO-126-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	60																																		300 v	200 MA				100µA（ICBO）				NPN	1.5V @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，10v	80MHz
KBL06	-	RFQ	7657	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL			标准			KBL	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	200																											1.1 V @ 4 A		5 µA @ 600 V		4 a						单相	600 v
RFD8P05SM	1.0000	RFQ	7129	Fairchild半导体	-	管子	过时的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	Rohs不合规				Ear99	8541.29.0095	75			P通道					50 V	8A（TC）		300mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 20 V			-
MPS6515	0.0400	RFQ	39	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,000																																		25 v	200 MA				50NA（iCBO）				NPN	500mv @ 5mA，50mA	250 @ 2mA，10v	-
MMBZ5246B	0.0200	RFQ	525	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBZ52		300兆		SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																											900 mv @ 10 ma		100 na @ 12 V												16 V	17欧姆
tip41c	-	RFQ	7599	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	通过洞	TO-220-3				65 w		TO-220	下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-TIP41C-600039			1																																		100 v	6 a				400µA				NPN	1.5V @ 600mA，6a	15 @ 3a，4V	-
FDP61N20	-	RFQ	5036	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载						0000.00.0000	1			n通道					200 v	61A（TC）	10V	41MOHM @ 30.5A，10V	5V @ 250µA	75 NC @ 10 V	±30V	3380 pf @ 25 V	-	417W（TC）
BCP69	0.1500	RFQ	4	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA		BCP69		1 w		SOT-223-4	下载					Ear99	8541.29.0075	1																																		20 v	1.5 a				100NA（ICBO）				PNP	500mv @ 100mA，1a	85 @ 500mA，1V	-
MMBZ5246B-NL	0.7100	RFQ	39	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				250兆		SOT-23-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																											900 mv @ 10 ma		100 na @ 12 V												16 V	17欧姆
FKN08PN40S	0.1400	RFQ	19	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）						TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.30.0080	1,000	单身的			15 ma														逻辑 -敏感门	400 v	800 MA	2 v	8a @ 60Hz	5 ma
S3DB	-	RFQ	5629	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB			标准			DO-214AA（SMB）	下载					Ear99	8541.10.0080	1,017		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																							200 v		1.15 V @ 3 A	1.5 µs	10 µA @ 200 V	-55°C〜150°C	3a	40pf @ 4V，1MHz
FMG1G200US60H	55.6300	RFQ	19	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块				695 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																																-	600 v	200 a	2.7V @ 15V，200a			250 µA	不
HUFA75309D3S	0.2400	RFQ	4	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63			MOSFET （金属 o化物）			TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,800			n通道					55 v	19a（tc）	10V	70mohm @ 19a，10v	4V @ 250µA	24 NC @ 20 V	±20V	350 pf @ 25 V	-	55W（TC）
FDP7N50	-	RFQ	9668	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道					500 v	7A（TC）	10V	900MOHM @ 3.5A，10V	5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±30V	940 pf @ 25 V	-	89W（TC）
FDN360P	-	RFQ	1062	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			MOSFET （金属 o化物）			SOT-23-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			P通道					30 V	2A（TA）	4.5V，10V	80mohm @ 2a，10v	3V @ 250µA	9 NC @ 10 V	±20V	298 pf @ 15 V	-	500MW（TA）
FDP050AN06A0	-	RFQ	4914	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载						0000.00.0000	1			n通道					60 V	18A（18A），80A（80A）（TC）	6V，10V	5mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	80 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	245W（TC）
1N5226B.TA	0.0200	RFQ	3034	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆		do-35	下载					Ear99	8541.10.0050	5,000																											1.2 V @ 200 ma		25 µA @ 1 V												3.3 v	28欧姆
FCU2250N80Z	0.7200	RFQ	96	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA			MOSFET （金属 o化物）			我帕克	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道					800 v	2.6A（TC）	10V	2.25OHM @ 1.3A，10V	4.5V @ 260µA	14 NC @ 10 V	±20V	585 pf @ 100 V	-	39W（TC）
KSC2785YBU	0.0200	RFQ	33	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3				250兆		TO-92S	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																																		50 V	150 ma				100NA（ICBO）				NPN	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，6v	300MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²