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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FJY3007R	0.0200	RFQ	15	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490		FJY300			200兆	SOT-523F	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	15,000																												50 V	100 ma						100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	250 MHz	22 KOHMS	47科姆斯
1N4735A	0.0800	RFQ	93	Fairchild半导体	-	盒子	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向					1 w	do-41	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	3845-1N4735A	Ear99		1																							10 µA @ 3 V													6.2 v	2欧姆
1N4733ATR	0.0300	RFQ	5700	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向					1 w	DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0050	2,351																							10 µA @ 1 V													5.1 v	7欧姆
BCX799	0.0200	RFQ	3616	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆	TO-92-3	-	不适用				Ear99	0000.00.0000	370																												45 v	500 MA						10NA			PNP	600mv @ 2.5mA，100mA	80 @ 10mA，1V	-
FDZ293P	0.2400	RFQ	50	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-vfbga				MOSFET （金属 o化物）		9-BGA（1.5x1.6）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	3,000			P通道					20 v	4.6a（ta）	2.5V，4.5V	46MOHM @ 4.6A，4.5V	1.5V @ 250µA	11 NC @ 4.5 V	±12V	754 pf @ 10 V	-	1.7W（TA）
NDB6030L	1.7200	RFQ	580	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					30 V	52A（TC）	4.5V，10V	13.5MOHM @ 26a，10v	3V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±16V	1350 pf @ 15 V	-	75W（TC）
FJC1386QTF	0.1000	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-243AA					500兆	SOT-89-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,144																												20 v	5 a						500NA（ICBO）			PNP	1V @ 100mA，4a	120 @ 500mA，2V	-
FDS6630A	0.2600	RFQ	50	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道					30 V	6.5A（TA）	4.5V，10V	38mohm @ 6.5a，10v	3V @ 250µA	7 NC @ 5 V	±20V	460 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FGB3236	1.2600	RFQ	18	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	800
FDML7610AS	0.2700	RFQ	9	Fairchild半导体	*	大部分	积极的						FDML7610		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000																-
FGPF50N30TTU	1.3200	RFQ	800	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			标准		46.8 w	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000				-																							沟	300 v		120 a	1.5V @ 15V，15a	-	97 NC	-
FQPF5N15	0.3100	RFQ	6334	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	730			n通道					150 v	4.2A（TC）	10V	800MOHM @ 2.1a，10V	4V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±25V	230 pf @ 25 V	-	32W（TC）
MMSZ5251B	1.0000	RFQ	8531	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123		MMSZ52			500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																					900 mv @ 10 ma		100 na @ 17 V													22 v	19欧姆
FFAF15U20DNTU	0.6600	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3				标准		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	360		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1对普通阴极	200 v	15a	1.2 V @ 15 A	40 ns	15 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
FQD2N60TF	0.5100	RFQ	7	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道					600 v	2A（TC）	10V	4.7ohm @ 1A，10V	5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
KSC2715YMTF	0.0600	RFQ	126	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					150兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																												30 V	50 mA						100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 1mA，10mA	120 @ 2mA，12v	400MHz
KSD401G	1.0000	RFQ	9388	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					25 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1200																												150 v	2 a						50µA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	200 @ 400mA，10V	5MHz
FDD6676	0.8300	RFQ	8	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					30 V	78a（ta）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 16.8A，10V	3V @ 250µA	63 NC @ 5 V	±16V	5103 PF @ 15 V	-	1.6W（TA）
BD535J	0.2000	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					50 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1200																												60 V	8 a						100µA			NPN	800mv @ 200mA，2a	30 @ 2a，2v	12MHz
MM3Z22VB	0.0200	RFQ	2888	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F					200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	1																					1 V @ 10 mA		45 NA @ 15.4 V													22 v	51欧姆
MMBZ5251B	-	RFQ	3855	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBZ52			300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																					900 mv @ 10 ma		100 na @ 17 V													22 v	29欧姆
S3AB	0.1400	RFQ	3273	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB				标准		DO-214AA（SMB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																	50 V		1.15 V @ 3 A	1.5 µs	10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	3a	40pf @ 4V，1MHz
FQU7P06TU	1.0000	RFQ	2194	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	5,040			P通道					60 V	5.4A（TC）	10V	451MOHM @ 2.7A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±25V	295 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），28W（tc）
1N5401	-	RFQ	8738	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向				标准		轴向	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	2,746		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																	100 v		1 V @ 3 A		10 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	3a	-
FQA44N30	4.5000	RFQ	399	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载					Ear99	8542.39.0001	67			n通道					300 v	43.5A（TC）	10V	69mohm @ 21.75a，10V	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±30V	5600 pf @ 25 V	-	310W（TC）
1N5231C	0.0300	RFQ	59	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	10,490																					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V													5.1 v	17欧姆
FSB70450	-	RFQ	7759	Fairchild半导体	MOTIONSPM®7	大部分	积极的			表面安装	27-Powerlqfn模块	MOSFET						下载					Ear99	8542.39.0001	1	3期				4.8 a	500 v	1500vrms
FJY4013R	0.0200	RFQ	28	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490		FJY401			200兆	SOT-523F	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																												50 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
PN4249	0.0500	RFQ	42	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	6,662																												60 V	500 MA						10NA（ICBO）			PNP	250mv @ 500µA，10mA	100 @ 100µA，5V	-
ISL9V2040S3ST	1.1700	RFQ	82	Fairchild半导体	Ecospark®	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			逻辑		130 w	D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1				300V，1KOHM，5V																							-	430 v	10 a		1.9V @ 4V，6A	-	12 nc	- /3.64µs

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²