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离散半导体产品（（5251）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 宽容 工作温度 安装类型 包装 /案例 类型 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 当前的 电压 电压 -隔离 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） 电压 -向前（ -vf）（最大） @如果 trr） 电流 -反向泄漏 @ @ vr IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 电压-Zener（Nom）（nom）（vz） （（ZZT）） （CIES） @ vce 晶体管类型 vce 饱和度（最大） @ ib，ic （HFE）（最小） @ ic，vce 频率 -过渡
BC857C Fairchild Semiconductor BC857C 0.0700
RFQ
 ECAD 6936 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BC857 250兆 SOT-23-3（TO-236） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 ma 15NA（icbo） PNP 650mv @ 5mA，100mA 420 @ 2mA，5V 100MHz
IRFW520ATM Fairchild Semiconductor IRFW520ATM 0.4000
RFQ
 ECAD 774 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） D2PAK 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 774 n通道 100 v 9.2A（TC） 10V 200mohm @ 4.6A，10V 4V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V 480 pf @ 25 V - 3.8W（TA），45W（tc）
BC857CMTF Fairchild Semiconductor BC857CMTF 0.0200
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 150°C（TJ） 表面安装 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 BC857 310 MW SOT-23 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.21.0075 3,000 45 v 100 ma 15NA（icbo） PNP 650mv @ 5mA，100mA 110 @ 2mA，5V 150MHz
IRFS254BFP001 Fairchild Semiconductor IRFS254BFP001 0.2700
RFQ
 ECAD 7 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 不适用 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 250 v 16A（TC） 10V 140MOHM @ 8A，10V 4V @ 250µA 123 NC @ 10 V ±30V 3400 PF @ 25 V - 90W（TC）
IRFU214BTU Fairchild Semiconductor irfu214btu -
RFQ
 ECAD 2521 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-251-3，IPAK，TO-251AA MOSFET （金属 o化物） 我帕克 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 250 v 2.2A（TC） 10V 2ohm @ 1.1a，10v 4V @ 250µA 10.5 NC @ 10 V ±30V 275 pf @ 25 V - 2.5W（25W），25W（tc）
1N958 Fairchild Semiconductor 1N958 0.0200
RFQ
 ECAD 6848 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 ±20％ 175°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.10.0050 1,000 75 µA @ 4.8 V 7.5 v 5.5欧姆
IRFS720B Fairchild Semiconductor IRFS720B 0.1800
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包 MOSFET （金属 o化物） TO-220F 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 400 v 3.3a（TJ） 10V 1.75OHM @ 1.65a，10V 4V @ 250µA 18 nc @ 10 V ±30V 600 pf @ 25 V - 33W（TC）
IRFP350A Fairchild Semiconductor IRFP350A -
RFQ
 ECAD 9980 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 36 n通道 400 v 17a（TC） 10V 300MOHM @ 8.5A，10V 4V @ 250µA 131 NC @ 10 V ±30V 2780 pf @ 25 V - 202W（TC）
FDP6035L Fairchild Semiconductor FDP6035L 0.8100
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -65°C 〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 30 V 58A（TC） 4.5V，10V 11mohm @ 26a，10v 3V @ 250µA 46 NC @ 10 V ±20V 1230 pf @ 15 V - 75W（TC）
FSBM30SH60A Fairchild Semiconductor FSBM30SH60A 23.8200
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 Fairchild半导体 SPM® 大部分 积极的 通过洞 32-PowerDip 模块（1.370英寸，34.80mm） IGBT 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 48 3期 30 a 600 v 2500vrms
FDS6676 Fairchild Semiconductor FDS6676 1.7700
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） MOSFET （金属 o化物） 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 30 V 14.5A（TA） 4.5V，10V 7MOHM @ 14.5A，10V 3V @ 250µA 63 NC @ 5 V ±16V 5103 PF @ 15 V - 1W（ta）
FDU6682 Fairchild Semiconductor FDU6682 0.6100
RFQ
 ECAD 188 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-251-3存根线，IPAK MOSFET （金属 o化物） TO-251（IPAK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 30 V 75a（ta） 4.5V，10V 6.2MOHM @ 17a，10v 3V @ 250µA 31 NC @ 5 V ±20V 2400 pf @ 15 V - 1.6W（TA）
IRF820B Fairchild Semiconductor IRF820B 1.0000
RFQ
 ECAD 7283 0.00000000 Fairchild半导体 * 大部分 积极的 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1
FQH35N40 Fairchild Semiconductor FQH35N40 5.3400
RFQ
 ECAD 846 0.00000000 Fairchild半导体 QFET® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 400 v 35A（TC） 10V 105MOHM @ 17.5A，10V 5V @ 250µA 140 NC @ 10 V ±30V 5600 pf @ 25 V - 310W（TC）
FDU6682_NL Fairchild Semiconductor FDU6682_NL 0.9600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-251-3存根线，IPAK MOSFET （金属 o化物） TO-251（IPAK） 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 30 V 75a（ta） 4.5V，10V 6.2MOHM @ 17a，10v 3V @ 250µA 31 NC @ 5 V ±20V 2400 pf @ 15 V - 1.6W（TA）
FDD5N53TM Fairchild Semiconductor FDD5N53TM 0.4000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252，（-d-pak） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 530 v 4A（TC） 10V 1.5OHM @ 2A，10V 5V @ 250µA 15 NC @ 10 V ±30V 640 pf @ 25 V - 40W（TC）
FQD3N60CTM Fairchild Semiconductor FQD3N60CTM -
RFQ
 ECAD 2545 0.00000000 Fairchild半导体 QFET® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252，（-d-pak） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 600 v 2.4A（TC） 10V 3.4OHM @ 1.2A，10V 4V @ 250µA 14 NC @ 10 V ±30V 565 pf @ 25 V - 50W（TC）
FQB85N06TM Fairchild Semiconductor FQB85N06TM 1.4200
RFQ
 ECAD 23 0.00000000 Fairchild半导体 QFET® 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） D2PAK（TO-263） 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 60 V 85A（TC） 10V 10mohm @ 42.5a，10v 4V @ 250µA 112 NC @ 10 V ±25V 4120 PF @ 25 V - 3.75W（TA），160w（tc）
FDB7042L Fairchild Semiconductor FDB7042L 0.6000
RFQ
 ECAD 119 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -65°C 〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB MOSFET （金属 o化物） TO-263AB 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达受影响 Ear99 8541.29.0095 800 n通道 30 V 50a（ta） 4.5V，10V 7.5mohm @ 25a，10v 2V @ 250mA 51 NC @ 4.5 V ±12V 2418 pf @ 15 V - 83w（ta）
IRF9510R4941 Fairchild Semiconductor IRF9510R4941 -
RFQ
 ECAD 6749 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220AB 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 P通道 100 v 3A（TC） 10V 1.2OHM @ 1.5A，10V 4V @ 250µA 11 NC @ 10 V ±20V 180 pf @ 25 V - 20W（TC）
BZX55C7V5_NL Fairchild Semiconductor BZX55C7V5_NL 0.0200
RFQ
 ECAD 8115 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 ±5％ -65°C 〜200°C（TJ） 通过洞 DO-204AH，DO-35，轴向 500兆 DO-35（do-204AH） 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.10.0050 1,000 1.3 V @ 100 mA 100 na @ 5 V 7.5 v 7欧姆
IRF610B Fairchild Semiconductor IRF610B 0.3400
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 200 v 3.3A（TC） 10V 1.5OHM @ 1.65a，10V 4V @ 250µA 9.3 NC @ 10 V ±30V 225 pf @ 25 V - 38W（TC）
FDD13AN06A0_NL Fairchild Semiconductor FDD13AN06A0_NL -
RFQ
 ECAD 6377 0.00000000 Fairchild半导体 PowerTrench® 大部分 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 MOSFET （金属 o化物） TO-252，（-d-pak） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 60 V 9.9a（ta），50a （TC） 6V，10V 13.5MOHM @ 50a，10v 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±20V 1350 pf @ 25 V - 115W（TC）
HGT1S12N60C3DS Fairchild Semiconductor HGT1S12N60C3DS 2.1000
RFQ
 ECAD 565 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB 标准 104 w TO-263AB 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 - 32 ns - 600 v 24 a 96 a 2.2V @ 15V，15a - 71 NC -
FMC7G15US60 Fairchild Semiconductor FMC7G15US60 -
RFQ
 ECAD 4427 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 45 W 三相桥梁整流器 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 4 三期逆变器 - 600 v 15 a 2.8V @ 15V，15a 250 µA 不 948 PF @ 30 V
FMG1G300US60HE Fairchild Semiconductor FMG1G300US60HE 73.7500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 892 w 标准 - 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 单身的 - 600 v 300 a 2.7V @ 15V，300A 250 µA 不
FMC7G30US60 Fairchild Semiconductor FMC7G30US60 -
RFQ
 ECAD 5546 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 模块 125 w 三相桥梁整流器 - 下载 不适用 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 三相逆变器 - 600 v 30 a 2.8V @ 15V，30a 250 µA 不 1.97 NF @ 30 V
IRF630A Fairchild Semiconductor IRF630a -
RFQ
 ECAD 4655 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 MOSFET （金属 o化物） TO-220 下载 Rohs不合规 （1 （无限） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 200 v 9A（TC） 10V 400MOHM @ 4.5A，10V 4V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±30V 650 pf @ 25 V - 72W（TC）
FMG2G75US120 Fairchild Semiconductor FMG2G75US120 55.8100
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 Fairchild半导体 - 大部分 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 7 pm-ga FMG2 445 w 标准 7 pm-ga 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 15 半桥 - 1200 v 75 a 3V @ 15V，75a 3 ma 不
HUFA76413DK8 Fairchild Semiconductor HUFA76413DK8 0.3100
RFQ
 ECAD 5694 0.00000000 Fairchild半导体 Ultrafet® 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm） HUFA76413 MOSFET （金属 o化物） 2.5W（TA） 8-SOIC 下载 rohs3符合条件 3（168）） 供应商不确定 Ear99 8541.29.0095 291 2 n 通道（双） 60V 5.1A（TC） 49mohm @ 5.1A，10V 3V @ 250µA 23nc @ 10V 620pf @ 25V 逻辑级别门
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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