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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
FES16HT	0.2700	RFQ	7271	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-2		标准		TO-220-2	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	801	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												500 v	1.5 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 500 V	-65°C〜150°C	16a	145pf @ 4V，1MHz
FDAF59N30	2.4400	RFQ	5606	Fairchild半导体	Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	33		n通道	300 v	34A（TC）	10V	56mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±30V	4670 pf @ 25 V	-	161W（TC）
FQP55N06	1.3100	RFQ	3	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	60 V	55A（TC）	10V	20mohm @ 27.5a，10v	4V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±25V	1690 pf @ 25 V	-	133W（TC）
BZX79C20	0.0200	RFQ	139	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	BZX79C20		500兆	do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.5 V @ 100 ma		50 na @ 14 V							20 v	55欧姆
FDU8586	0.8300	RFQ	6	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	75		n通道	20 v	35A（TC）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±20V	2480 pf @ 10 V	-	77W（TC）
NDS356AP-NB8L005A	0.1800	RFQ	89	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156S356AP-NB8L005A-600039			1,707		P通道	30 V	1.1A（TA）	4.5V，10V	200mohm @ 1.3A，10V	2.5V @ 250µA	4.4 NC @ 5 V	±20V	280 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
1N5257BTR	0.0200	RFQ	241	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000														1.2 V @ 200 ma		100 na @ 25 V							33 V	58欧姆
FFB20UP20STM	1.0000	RFQ	4609	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		标准		D2PAK（TO-263）	下载						0000.00.0000	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												200 v	1.15 V @ 20 A	45 ns	100 µA @ 200 V	-65°C〜150°C	20a	-
FCP11N60N	1.7400	RFQ	1	Fairchild半导体	Supremos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	173		n通道	600 v	10.8A（TC）	10V	299MOHM @ 5.4A，10V	4V @ 250µA	35.6 NC @ 10 V	±30V	1505 pf @ 100 V	-	94W（TC）
SS9015DBU	0.0200	RFQ	779	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			450兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1																				45 v	100 ma	50NA（iCBO）			PNP	700mv @ 5mA，100mA	400 @ 1mA，5V	190MHz
NZT6728	0.1000	RFQ	7	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-3			1 w	SOT-223-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500																				60 V	1.2 a	100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 10mA，250mA	50 @ 250mA，1V	-
MMBZ5243B	0.0200	RFQ	171	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			225兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000														900 mv @ 10 ma		500 NA @ 9.9 V							13 V	13欧姆
BZX85C24-T50R	0.0300	RFQ	21	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000														1.2 V @ 200 ma		500 NA @ 17 V							24 V	25欧姆
KSC945YBU	0.0400	RFQ	1	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			250兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0095	7,612																				50 V	150 ma	100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，6v	300MHz
BC547BBU	-	RFQ	5621	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																				45 v	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	300MHz
1N4753A	0.0300	RFQ	20	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜20°C	通过洞	轴向			1 w	轴向	下载					Ear99	8541.10.0050	9,779																5 µA @ 27.4 V							36 V	50欧姆
FQI6N40CTU	0.2900	RFQ	5796	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA		MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	140		n通道	400 v	6A（TC）	10V	1欧姆 @ 3A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	73W（TC）
SB560	1.0000	RFQ	3074	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向		肖特基		DO-201-201	下载					Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												60 V	670 mv @ 5 a		500 µA @ 60 V	-50°C〜150°C	5a	-
FDMS7676	1.0000	RFQ	4952	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8541.29.0095	1		n通道	30 V	（16A）（28a）（28a tc）	4.5V，10V	5.5MOHM @ 19a，10v	3V @ 250µA	44 NC @ 10 V	±20V	2960 pf @ 15 V	-	2.5W（ta），48W（tc）
FDH444Tr	0.0300	RFQ	40	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	FDH444	标准		do-35	下载					Ear99	8542.39.0001	9,779	小信号= <200ma（io（io），任何速度												125 v	1.2 V @ 300 mA	60 ns	50 NA @ 100 V	175°c （最大）	200mA	2.5pf @ 0v，1MHz
FQPF6N40CT	0.5700	RFQ	680	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道	400 v	6A（TC）	10V	1欧姆 @ 3A，10V	4V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	38W（TC）
ISL9N327AD3ST	0.5600	RFQ	5	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道	30 V	20A（TC）	4.5V，10V	27mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	910 PF @ 15 V	-	50W（TA）
PN2907ABU	-	RFQ	2537	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	271																				60 V	800 MA	20NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
BZX85C6V2T50A	-	RFQ	9744	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6.45％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w	DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma		1 µA @ 3 V							6.2 v	4欧姆
D45H11	0.5400	RFQ	9519	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	D45H11		50 W	TO-220AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0075	379																				80 V	10 a	10µA			PNP	1V @ 400mA，8a	40 @ 4A，1V	-
FJV92MTF	0.0500	RFQ	6	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FJV92			SOT-23-3	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	6,000																				350 v	500 MA	250NA（ICBO）			PNP	500mv @ 2mA，20mA	40 @ 10mA，10v	50MHz
FCP25N60N-F102	3.0600	RFQ	581	Fairchild半导体	Supremos™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道	600 v	25A（TC）	10V	125mohm @ 12.5a，10v	4V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±30V	3352 PF @ 100 V	-	216W（TC）
IRFW840BTM	0.4700	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道	500 v	8A（TC）	10V	800MOHM @ 4A，10V	4V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	3.13W（TA），134W（TC）
IRFS350A	2.2800	RFQ	188	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	360		n通道	400 v	11.5A（TC）	10V	300MOHM @ 5.75a，10V	4V @ 250µA	131 NC @ 10 V	±30V	2780 pf @ 25 V	-	92W（TC）
1N5262B	-	RFQ	2566	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	1														1.2 V @ 200 ma		100 na @ 39 V							51 v	125欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²