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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡
BZX79C13	0.0200	RFQ	20	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000																1.5 V @ 100 ma		100 na @ 8 V													13 V	30欧姆
FQB11P06TM	0.7200	RFQ	814	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			P通道		60 V	11.4A（TC）	10V	175MOHM @ 5.7A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±25V	550 pf @ 25 V	-	3.13W（ta），53W（tc）
1N5999B	3.4100	RFQ	21	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	96																1.2 V @ 200 ma		100 na @ 7 V													9.1 v	10欧姆
FQPF34N20	1.0000	RFQ	4376	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		200 v	17.5A（TC）	10V	75MOHM @ 8.75a，10V	5V @ 250µA	78 NC @ 10 V	±30V	3100 pf @ 25 V	-	55W（TC）
FDS4770	2.6000	RFQ	14	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		40 V	13.2a（ta）	10V	7.5MOHM @ 13.2A，10V	5V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±20V	2819 PF @ 20 V	-	2.5W（TA）
FDMS7620	1.0000	RFQ	5147	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMS7620		MOSFET （金属 o化物）	1W	Power56	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）				30V	10.1a，12.4a		20mohm @ 10.1a，10v	3V @ 250µA	11NC @ 10V		608pf @ 15V	逻辑级别门
SI4435DY	-	RFQ	7057	Fairchild半导体	Hexfet®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）			MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载					Ear99	8541.29.0095	1			P通道		30 V	8A（TC）	4.5V，10V	20mohm @ 8a，10v	1V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2320 PF @ 15 V	-	2.5W（TA）
MM3Z36VC	0.0300	RFQ	24	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F				200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539																1 V @ 10 mA		45 NA @ 25.2 V													36 V	84欧姆
BC546CBU	1.0000	RFQ	4139	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																							65 v	100 ma						15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	300MHz
SFP9610	-	RFQ	4188	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			P通道		200 v	1.75A（TC）	10V	3ohm @ 900mA，10v	4V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	285 pf @ 25 V	-	20W（TC）
FQA8N80	1.5900	RFQ	91	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		800 v	8.4A（TC）	10V	1.2OHM @ 4.2A，10V	5V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±30V	2350 pf @ 25 V	-	220W（TC）
FDP8870	-	RFQ	4785	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		30 V	（19a）（TA），156a （TC）	4.5V，10V	4.1MOHM @ 35A，10V	2.5V @ 250µA	132 NC @ 10 V	±20V	5200 PF @ 15 V	-	160W（TC）
KSC945LTA	0.0200	RFQ	22	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				250兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	15,000																							50 V	150 ma						100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 10mA，100mA	350 @ 1mA，6v	300MHz
FQP6N80C	-	RFQ	8405	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		800 v	5.5A（TC）	10V	2.5OHM @ 2.75a，10V	5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±30V	1310 PF @ 25 V	-	158W（TC）
1N4001	0.0200	RFQ	131	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	do-204al，do-41，轴向			标准		DO-204AL（DO-41）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	5,000		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													50 V	1.1 V @ 1 A		5 µA @ 50 V	-55°C 〜175°C	1a	15pf @ 4V，1MHz
KSC945CGTA	1.0000	RFQ	5307	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				250兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	1																							50 V	150 ma						100NA（ICBO）			NPN	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 1mA，6v	300MHz
BC33725TF	0.0400	RFQ	9351	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	7,251																							45 v	800 MA						100NA			NPN	700mv @ 50mA，500mA	160 @ 100mA，1V	100MHz
RFP45N06_NL	-	RFQ	4001	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		60 V	45A（TC）	10V	28mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	150 NC @ 20 V	±20V	2050 pf @ 25 V	-	131W（TC）
FDME1034CZT	1.0000	RFQ	3369	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫	FDME1034		MOSFET （金属 o化物）	600MW	6-microfet（1.6x1.6）	下载						0000.00.0000	1	n和p通道				20V	3.8a，2.6a		66mohm @ 3.4a，4.5V	1V @ 250µA	4.2nc @ 4.5V		300pf @ 10V	逻辑级别门
1n962btr	0.0200	RFQ	4297	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C（TJ）	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向				500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	11,995																		5 µA @ 8.4 V													11 V	9.5欧姆
FDPF7N50U	0.8700	RFQ	335	Fairchild半导体	Unifet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道		500 v	5A（TC）	10V	1.5OHM @ 2.5A，10V	5V @ 250µA	16.6 NC @ 10 V	±30V	940 pf @ 25 V	-	39W（TC）
KSD471AGBU	0.0200	RFQ	7554	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				800兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	14,016																							30 V	1 a						100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，1a	200 @ 100mA，1V	130MHz
FDMC7660S	0.6100	RFQ	9	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN			MOSFET （金属 o化物）		Power33	下载					Ear99	8541.29.0095	491			n通道		30 V	20A（20A），40a tc（TC）	4.5V，10V	2.2MOHM @ 20A，10V	2.5V @ 1mA	66 NC @ 10 V	±20V	4325 pf @ 15 V	-	2.3W（TA），41W（（（（TC）
HGTP12N60A4D	1.6800	RFQ	83	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		167 w	TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1				390V，12a，10ohm，15V													30 ns					-	600 v	54 a	96 a	2.7V @ 15V，12A	（55µJ）（在55µj），50µJ（50µJ）	78 NC	17NS/96NS
mpsa92rlrmg	0.0400	RFQ	54	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）				625兆	TO-92（to-226）	下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-MPSA92RLRMG-600039	Ear99	8541.21.0095	1																							300 v	500 MA						250NA（ICBO）			PNP	500mv @ 2mA，20mA	25 @ 30mA，10v	50MHz
BD244BTU	0.3600	RFQ	1	Fairchild半导体	BD244B	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				65 w	TO-220	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-BD244BTU-600039	Ear99	8541.29.0095	833																							80 V	6 a						700µA			PNP	1.5V @ 1a，6a	30 @ 300mA，4V	3MHz
KSP13TF	1.0000	RFQ	7331	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																							30 V	500 MA						100NA（ICBO）			npn-达灵顿	1.5V @ 100µA，100mA	10000 @ 100mA，5V	125MHz
Bay80	0.0200	RFQ	8133	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			标准		DO-35（do-204AH）	下载	不适用				Ear99	8541.10.0070	550		小信号= <200ma（io（io），任何速度													150 v	1 V @ 150 MA	60 ns	100 NA @ 120 V	175°c （最大）	200mA	6pf @ 0v，1MHz
KSA708-yta	-	RFQ	1080	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				800兆	TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0095	1																							60 V	700 MA						100NA（ICBO）			PNP	700mv @ 50mA，500mA	120 @ 50mA，2V	50MHz
FDMC8854	0.6700	RFQ	4	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载					Ear99	8542.39.0001	447			n通道		30 V	15A（TC）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 15A，10V	3V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	3405 pf @ 10 V	-	2W（TA），41W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²