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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
BAS16HT1G	1.0000	RFQ	8043	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	SC-76，SOD-323	BAS16	标准			SOD-323	下载					Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度													100 v		1.25 V @ 150 mA	6 ns	1 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	200mA	2pf @ 0v，1MHz
KBL08	-	RFQ	9037	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	4-SIP，KBL		标准			KBL	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	108																	1.1 V @ 4 A		5 µA @ 800 V		4 a						单相	800 v
fyp1004dntu	0.4200	RFQ	88	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		肖特基			TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	40 V	10a	670 mv @ 10 a		1 mA @ 40 V	-65°C〜150°C
FQPF5N60CYDTU	0.6400	RFQ	2	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索		MOSFET （金属 o化物）			TO-220F-3（Y Y形成）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道	600 v	4.5A（TC）	10V	2.5OHM @ 2.25a，10V	4V @ 250µA	19 nc @ 10 V	±30V	670 pf @ 25 V	-	33W（TC）
BC33840BU	0.0200	RFQ	21	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			625兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																								25 v	800 MA				100NA				NPN	700mv @ 50mA，500mA	250 @ 100mA，1V	100MHz
FFH30US30DN	-	RFQ	5936	Fairchild半导体	Stealth™	大部分	积极的			通过洞	TO-247-3		标准			TO-247	下载					Ear99	8541.10.0080	90		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对普通阴极	300 v	30a	1 V @ 30 A	55 ns	100 µA @ 300 V	-55°C 〜175°C
MMBT5771	-	RFQ	3856	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			225兆		SOT-23-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.21.0095	1																								15 v	200 MA				10NA				PNP	600mv @ 5mA，50mA	50 @ 10mA，300mv	-
PN2907ATF	0.0400	RFQ	54	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆		TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	7,036																								60 V	800 MA				20NA（ICBO）				PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
fep16jtd	1.0000	RFQ	6909	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		标准			TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）												1对系列连接	600 v	16a	1.5 V @ 8 A	50 ns	10 µA @ 600 V	-55°C〜150°C
BC547B	0.0600	RFQ	35	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆		TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0075	4,991																								45 v	100 ma				15NA				NPN	600mv @ 5mA，100mA	200 @ 2mA，5v	300MHz
KST24MTF	0.0200	RFQ	5333	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,789																								30 V	100 ma				50NA（iCBO）				NPN	-	30 @ 8mA，10v	620MHz
KST3904MTF	0.0200	RFQ	632	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	KST39		350兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																								40 V	200 MA				-				NPN	300mv @ 5mA，50mA	100 @ 10mA，1V	300MHz
1N4741ATR	0.0300	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向			1 w		DO-204AL（DO-41）	下载					Ear99	8541.10.0050	11,053																			5 µA @ 8.4 V												11 V	8欧姆
FJV4114RMTF	-	RFQ	2162	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3	FJV411		200兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	3,000																								50 V	100 ma				100NA（ICBO）				pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
KSC222223OMTF	0.0200	RFQ	9984	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			150兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,101																								20 v	20 ma				100NA（ICBO）				NPN	300mv @ 1mA，10mA	60 @ 1mA，6v	600MHz
BC182LB	0.0400	RFQ	9690	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			350兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	5,582																								50 V	100 ma				15NA（icbo）				NPN	600mv @ 5mA，100mA	40 @ 10µA，5V	150MHz
1N5256BTR	0.0200	RFQ	159	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向	1N5256		500兆		do-35	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	5,000																	1.2 V @ 200 ma		100 na @ 23 V												30 V	49欧姆
MJ11033G	8.3900	RFQ	50	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 200°C（TJ）	通过洞	TO-204AE			300 w		TO-204（TO-3）	下载					Ear99	8541.29.0095	36																								120 v	50 a				2mA				pnp-达灵顿	3.5V @ 500mA，50a	1000 @ 25a，5v	-
KSA733CGBU	0.0200	RFQ	664	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	KSA733		250兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																								50 V	150 ma				100NA（ICBO）				PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 1mA，6v	180MHz
1N969B	1.8400	RFQ	168	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆		DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163																			5 µA @ 16.7 V												22 v	29欧姆
ES2A	-	RFQ	3400	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB		标准			SMB（do-214AA）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													50 V		900 mv @ 2 a	20 ns	5 µA @ 50 V	-50°C〜150°C	2a	-
MMBT4401K	0.0800	RFQ	8	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			350兆		SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																								40 V	600 MA				-				NPN	750mv @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，1V	250MHz
FQB5N50CTM	1.0000	RFQ	8950	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）			D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道	500 v	5A（TC）	10V	1.4OHM @ 2.5A，10V	4V @ 250µA	24 NC @ 10 V	±30V	625 pf @ 25 V	-	73W（TC）
FJN4314RBU	0.0200	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）	FJN431		300兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	15,000																								50 V	100 ma				100NA（ICBO）				pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯	47科姆斯
MJD31CEITU	0.3200	RFQ	12	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	MJD31		1.56 w		TO-252-3（DPAK）	下载					Ear99	8541.29.0095	1																								100 v	3 a				50µA				NPN	1.2V @ 375mA，3a	60 @ 100mA，1V	3MHz
FGPF70N30TDTU	0.7800	RFQ	4	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	供应商不确定	2156-FGPF70N30TDTU-600039			1
1N914B_NL	0.0200	RFQ	8972	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向		标准			DO-35（do-204AH）	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.10.0050	1,000		小信号= <200ma（io（io），任何速度													100 v		1 V @ 100 ma	4 ns	5 µA @ 75 V	-55°C 〜175°C	200mA	4pf @ 0v，1MHz
FMG1G300US60L	90.6600	RFQ	14	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	模块			892 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单身的																						-	600 v	300 a	2.7V @ 15V，300A			250 µA	不
FJN3301RTA	-	RFQ	8909	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	FJN330		300兆		TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																								50 V	100 ma				100NA（ICBO）				NPN	300mv @ 500µA，10mA	20 @ 10mA，5v	250MHz
FFSP20120A	-	RFQ	7277	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2		SIC （碳化硅）			TO-220AC	下载					Ear99	8542.39.0001	1		没有恢复t> 500mA（IO）													1200 v		1.75 V @ 20 A	0 ns	200 µA @ 1200 V	-55°C 〜175°C	20a	1220pf @ 1V，100kHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²