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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	速度	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	噪声图（ db typ @ f）
MB10	0.2200	RFQ	317	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	表面安装	TO-269AA，4-Besop		标准		TO-269AA Minidil Slim	下载					Ear99	8541.10.0080	1,347																	1 V @ 400 MA		5 µA @ 1 V		500 MA				单相	1 kV
KSA1156ostu	-	RFQ	6420	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3	KSA1156		1 w	TO-126-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	162																							400 v	500 MA			100µA（ICBO）			PNP	1V @ 10mA，100mA	60 @ 100mA，5V	-
FDFS2P753Z	0.2900	RFQ	422	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	2,500		P通道		30 V	3A（3A）		115MOHM @ 3A，10V	3V @ 250µA	9.3 NC @ 10 V	±25V	455 pf @ 10 V	Schottky 二极管（孤立）	1.6W（TA）
KSC2756RMTF	0.0200	RFQ	7282	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			150MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,740			15DB〜23DB																				20V	30mA						NPN		60 @ 5mA，10v	850MHz	6.5db @ 200MHz
BDX54CTU-FS	-	RFQ	3947	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-65°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			65 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																							100 v	8 a			500µA			pnp-达灵顿	4V @ 12mA，3a	750 @ 3a，3v	-
BC859AMTF	0.0500	RFQ	51	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			310 MW	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																							30 V	100 ma			15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	150MHz
FCD3400N80Z	-	RFQ	3323	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载						0000.00.0000	1		n通道		800 v	2A（TC）	10V	3.4OHM @ 1A，10V	4.5V @ 200µA	9.6 NC @ 10 V	±20V	400 pf @ 100 V	-	32W（TC）
MBR745	1.0000	RFQ	7811	Fairchild半导体	SwitchMode™	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2	MBR745	肖特基		TO-220-2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）														45 v		570 mv @ 7.5 A		1 mA @ 45 V	-65°C〜175°C	7.5a	400pf @ 5V，1MHz
BZX55C2V4	1.0000	RFQ	7733	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±6％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000																	1.3 V @ 100 mA		50 µA @ 1 V									2.4 v	85欧姆
1N5406	1.0000	RFQ	2232	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-204ac，do-15，轴向	1N5406	标准		do15/do204ac	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	1,250	标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）														600 v		1.2 V @ 3 A	1.5 µs	200 NA @ 600 V	-50°C〜175°C	3a	-
FDB8870-F085	0.9800	RFQ	5	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	不适用	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	（23A）（TA），160a （TC）		3.9mohm @ 35a，10v	2.5V @ 250µA	132 NC @ 10 V	±20V	5200 PF @ 15 V	-	160W（TC）
FQA16N25C	-	RFQ	5002	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	115		n通道		250 v	17.8A（TC）	10V	270MOHM @ 8.9a，10V	4V @ 250µA	53.5 NC @ 10 V	±30V	1080 pf @ 25 V	-	180W（TC）
5HP01M-TL-E	-	RFQ	8837	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C	表面安装	SC-70，SOT-323		MOSFET （金属 o化物）		3-MCP	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-5HP01M-TL-E-600039			1		P通道		50 V	70mA（ta）	4V，10V	22ohm @ 40mA，10v	2.5V @ 100µA	1.32 NC @ 10 V	±20V	6.2 pf @ 10 V	-	150MW（TA）
HUF76121D3S	0.4300	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252-3（DPAK）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		30 V	20A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	850 pf @ 25 V	-	75W（TC）
FDMS7682	-	RFQ	9616	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-POWERTDFN		MOSFET （金属 o化物）		8-pqfn（5x6）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		30 V	（16a）（22A（ta）（TC）	4.5V，10V	6.3MOHM @ 14A，10V	3V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	1885 pf @ 15 V	-	2.5W（TA），33W（tc）
KSC1008GTA	-	RFQ	9606	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）	KSC1008		800兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																							60 V	700 MA			100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 50mA，500mA	200 @ 500mA，2V	50MHz
FJL6825ATU	1.0000	RFQ	4337	Fairchild半导体	-	管子	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA			200 w	HPM F2	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	25																							750 v	25 a			1ma			NPN	3V @ 3a，12a	6 @ 12a，5v	-
MBR1550CT	1.0000	RFQ	2810	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3		肖特基		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	50	快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													1对普通阴极	50 V	15a	750 MV @ 7.5 A		1 ma @ 50 V	-65°C〜150°C
FCP190N65F	-	RFQ	2948	Fairchild半导体	FRFET®，SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	FCP190	MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		650 v	20.6A（TC）	10V	190mohm @ 10a，10v	5V @ 2mA	78 NC @ 10 V	±20V	3225 PF @ 25 V	-	208W（TC）
1N5223B	0.0200	RFQ	143	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±0.5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	-	下载					Ear99	8541.10.0050	15,000																			75 µA @ 1 V									2.7 v	30欧姆
FQPF5P20	-	RFQ	8662	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1		P通道		200 v	3.4A（TC）	10V	1.4OHM @ 1.7A，10V	5V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±30V	430 pf @ 25 V	-	38W（TC）
BZX55C4V3	0.0400	RFQ	36	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±7％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000																	1.3 V @ 100 mA		1 µA @ 1 V									4.3 v	75欧姆
KSC2330OTA	0.0700	RFQ	105	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3）	KSC2330		1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	0000.00.0000	1																							300 v	100 ma			100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 1mA，10mA	70 @ 20mA，10v	50MHz
KSC2328AYBU	0.1200	RFQ	85	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3			1 w	TO-92-3	下载					Ear99	8542.39.0001	2,485																							30 V	2 a			100NA（ICBO）			NPN	2V @ 30mA，1.5a	160 @ 500mA，2V	120MHz
FDN308P	-	RFQ	8149	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1		P通道		20 v	1.5A（TA）	2.5V，4.5V	125mohm @ 1.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	5.4 NC @ 4.5 V	±12V	341 PF @ 10 V	-	500MW（TA）
2N6519TA	1.0000	RFQ	3902	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																							300 v	500 MA			50NA（iCBO）			PNP	1V @ 5mA，50mA	40 @ 50mA，10v	200MHz
FDMA7672	-	RFQ	7829	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-WDFN暴露垫		MOSFET （金属 o化物）		6-microfet（2x2）	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		30 V	9a（9a）	4.5V，10V	21mohm @ 9a，10v	3V @ 250µA	13 NC @ 10 V	±20V	760 pf @ 15 V	-	2.4W（TA）
1N5991B	2.0000	RFQ	28	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	163																	1.2 V @ 200 ma		5 µA @ 1 V									4.3 v	88欧姆
FQA13N50C-F109	1.6800	RFQ	792	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载					Ear99	8542.39.0001	1		n通道		500 v	13.5A（TC）	10V	480MOHM @ 6.75a，10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±30V	2055 PF @ 25 V	-	218W（TC）
FQB70N10TM	-	RFQ	9023	Fairchild半导体	QFET™	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB		MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	57A（TC）	10V	23mohm @ 28.5a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±25V	3300 PF @ 25 V	-	3.75W（TA），160w（tc）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²