RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
S3AB	0.1400	RFQ	3273	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB				标准		DO-214AA（SMB）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																	50 V		1.15 V @ 3 A	1.5 µs	10 µA @ 50 V	-55°C〜150°C	3a	40pf @ 4V，1MHz
ISL9V2040S3ST	1.1700	RFQ	82	Fairchild半导体	Ecospark®	大部分	积极的		-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			逻辑		130 w	D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1				300V，1KOHM，5V																							-	430 v	10 a		1.9V @ 4V，6A	-	12 nc	- /3.64µs
MMBZ5251B	-	RFQ	3855	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBZ52			300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																					900 mv @ 10 ma		100 na @ 17 V													22 v	29欧姆
KSC2715YMTF	0.0600	RFQ	126	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					150兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																												30 V	50 mA						100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 1mA，10mA	120 @ 2mA，12v	400MHz
1N5401	-	RFQ	8738	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向				标准		轴向	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.10.0080	2,746		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																	100 v		1 V @ 3 A		10 µA @ 100 V	-65°C〜150°C	3a	-
BD535J	0.2000	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					50 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1200																												60 V	8 a						100µA			NPN	800mv @ 200mA，2a	30 @ 2a，2v	12MHz
FQD2N60TF	0.5100	RFQ	7	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000			n通道					600 v	2A（TC）	10V	4.7ohm @ 1A，10V	5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	2.5W（ta），45W（（（（（（（（（（
PN4249	0.0500	RFQ	42	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	6,662																												60 V	500 MA						10NA（ICBO）			PNP	250mv @ 500µA，10mA	100 @ 100µA，5V	-
1N5231C	0.0300	RFQ	59	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载					Ear99	8541.10.0050	10,490																					1.1 V @ 200 ma		5 µA @ 2 V													5.1 v	17欧姆
MMBZ5257B	-	RFQ	2324	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		MMBZ52			300兆	SOT-23	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																					900 mv @ 10 ma		100 na @ 25 V													33 V	58欧姆
FSB70450	-	RFQ	7759	Fairchild半导体	MOTIONSPM®7	大部分	积极的			表面安装	27-Powerlqfn模块	MOSFET						下载					Ear99	8542.39.0001	1	3期				4.8 a	500 v	1500vrms
FQU7P06TU	1.0000	RFQ	2194	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA				MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	5,040			P通道					60 V	5.4A（TC）	10V	451MOHM @ 2.7A，10V	4V @ 250µA	8.2 NC @ 10 V	±25V	295 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），28W（tc）
FJY4013R	0.0200	RFQ	28	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490		FJY401			200兆	SOT-523F	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																												50 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	2.2 kohms	47科姆斯
RS1MFP	1.0000	RFQ	4998	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	SOD-123H		1m卢比		标准		SOD-123HE	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	1000 v		1.3 V @ 1.2 A	300 ns	5 µA @ 1000 V	-55°C〜150°C	1.2a	18pf @ 0v，1MHz
FDW6923	1.2800	RFQ	767	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-TSSOP （0.173英寸，4.40mm宽度）				MOSFET （金属 o化物）		8-tssop	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道					20 v	3.5A（ta）	2.5V，4.5V	45MOHM @ 3.5A，4.5V	1.5V @ 250µA	16 NC @ 4.5 V	±12V	1030 pf @ 10 V	-	1.2W（TA）
SI9435DY	-	RFQ	6076	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	-	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			P通道					30 V	5.3a（ta）	4.5V，10V	50mohm @ 5.3a，10v	3V @ 250µA	23 NC @ 10 V	±20V	690 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FDD6676AS	0.9800	RFQ	209	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道					30 V	90A（ta）	4.5V，10V	5.7MOHM @ 16A，10V	3V @ 1mA	64 NC @ 10 V	±20V	2500 pf @ 15 V	-	70W（TA）
sgr6n60uftf	1.0000	RFQ	1585年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		sgr6n	标准		30 W	TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,000				300V，3A，80OHM，15V																							-	600 v	6 a	25 a	2.6V @ 15V，3A	（57µJ）（在），25µJ（25µJ）中	15 NC	15NS/60NS
HUF76633S3ST	0.5000	RFQ	12	Fairchild半导体	Ultrafet™	大部分	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道					100 v	39A（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 39a，10v	3V @ 250µA	67 NC @ 10 V	±16V	1820 PF @ 25 V	-	145W（TC）
KSD5041QBU	0.0500	RFQ	9	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					750兆w	TO-92-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1																												20 v	5 a						100NA（ICBO）			NPN	1V @ 100mA，3a	230 @ 500mA，2V	150MHz
FDP039N08B-F102	4.7500	RFQ	399	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道					80 V	120A（TC）	10V	3.9MOHM @ 100A，10V	4.5V @ 250µA	133 NC @ 10 V	±20V	9450 PF @ 40 V	-	214W（TC）
FGA25S125P-SN00337	3.0100	RFQ	412	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3		FGA25S125	标准		250 w	to-3pn	下载					Ear99	8542.39.0001	1				600V，25a，10ohm，15V																							沟渠场停止	1250 v	50 a	75 a	2.35V @ 15V，25a	1.09mj（在）上，580µJ off）	204 NC	24NS/502NS
1N750ATR	1.0000	RFQ	7270	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向					500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	5,000																					1.5 V @ 200 ma		2 µA @ 1 V													4.7 v	19欧姆
FDS6900AS	0.5900	RFQ	569	Fairchild半导体	PoterTrench®，SyncFet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		FDS69		MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1	2 n 通道（双）							30V	6.9a，8.2a		27mohm @ 6.9a，10v	3V @ 250µA	15nc @ 10V		600pf @ 15V	逻辑级别门
KST2907AMTF	-	RFQ	4295	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3					350兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	6,257																												60 V	600 MA						10NA（ICBO）			PNP	1.6V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	200MHz
RFP8P10	0.2700	RFQ	29	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3				MOSFET （金属 o化物）		TO-220AB	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	1			P通道					100 v	8A（TC）	10V	400mohm @ 8a，10v	4V @ 250µA		±20V	1500 pf @ 25 V	-	75W（TC）
fyp2004dntu	0.2500	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-220-3				肖特基		TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	1,000		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1对普通阴极	40 V	20a	670 mv @ 20 a		1 mA @ 40 V	-65°C〜150°C
HUFA76419S3S	0.8300	RFQ	4	Fairchild半导体	Ultrafet™	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	400			n通道					60 V	29A（TC）	4.5V，10V	35mohm @ 29a，10v	3V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±16V	900 pf @ 25 V	-	75W（TC）
BD243B	-	RFQ	8139	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		BD243			65 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	0000.00.0000	1																												80 V	6 a						700µA			NPN	1.5V @ 1a，6a	15 @ 3a，4V	-
BAT54	-	RFQ	2679	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3		BAT54		肖特基		SOT-23-3	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BAT54-600039	Ear99	8541.10.0070	1		小信号= <200ma（io（io），任何速度																	30 V		800 mv @ 100 ma	5 ns	2 µA @ 25 V	-55°C〜150°C	200mA	10pf @ 1V，1MHz

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²