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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	类型	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	当前的	电压	电压 -隔离	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	二极管配置	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电流 -io（io）（每个二极管）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	二极管类型	电压 -峰值反向（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）
FLZ4V7C	0.0200	RFQ	84	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80					500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500																					1.2 V @ 200 ma		190 na @ 1 V															4.8 v	21欧姆
MJD47TF	-	RFQ	8521	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-65°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63					1.56 w	TO-252-3（DPAK）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-MJD47TF-600039			1																												250 v	1 a								200µA			NPN	1V @ 200mA，1a	30 @ 300mA，10v	10MHz
FQPF7N20L	0.3100	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道					200 v	5A（TC）	5V，10V	750MOHM @ 2.5A，10V	2V @ 250µA	9 NC @ 5 V	±20V	500 pf @ 25 V	-	37W（TC）
FJY3001R	0.0200	RFQ	18	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-89，SOT-490		FJY300			200兆	SOT-523F	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																												50 V	100 ma								100NA（ICBO）			npn-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	22 @ 10mA，5V	250 MHz	4.7科姆斯	4.7科姆斯
2SD1619T-TD-E	-	RFQ	1178	Fairchild半导体	-	大部分	过时的											-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-2SD1619T-TD-E-600039			1
ISL9R1560PF2	-	RFQ	1367	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	TO-220-2完整包		ISL9R1560		标准		TO-220F-2L	下载					Ear99	8541.10.0080	1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																	600 v		2.2 V @ 15 A	40 ns	100 µA @ 600 V	-55°C〜150°C	15a	-
FQA7N80	1.4200	RFQ	780	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30			n通道					800 v	7.2A（TC）	10V	1.5OHM @ 3.6A，10V	5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±30V	1850 pf @ 25 V	-	198W（TC）
gbu8j	1.0000	RFQ	8293	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-50°C〜150°C（TJ）	通过洞	4-Esip，Gbu				标准		gbu	下载					Ear99	8541.10.0080	1																					1 V @ 8 A		5 µA @ 600 V		5.6 a										单相	600 v
FDB9403L-F085	2.4400	RFQ	3	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB				MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道					40 V	110A（TC）	10V	1.2MOHM @ 80A，10V	3V @ 250µA	245 NC @ 10 V	±20V	13500 PF @ 20 V	-	333W（TJ）
FDPF3860TYDTU	-	RFQ	2275	Fairchild半导体	PowerTrench®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，形成的线索				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3（Y Y形成）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	50			n通道					100 v	20A（TC）	10V	38.2MOHM @ 5.9A，10V	4.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±20V	1800 pf @ 25 V	-	33.8W（TC）
PN4122	-	RFQ	5603	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）					625兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	1,446																												40 V	100 ma								25NA			PNP	300mv @ 5mA，50mA	150 @ 1mA，1V	-
2SD1619T-TD-E-FS	0.1100	RFQ	46	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0075	1,000
BC556B	0.0500	RFQ	16	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）					625兆	TO-92（to-226）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																												65 v	100 ma								100NA			PNP	650mv @ 5mA，100mA	180 @ 2mA，5v	280MHz
FDS6630A	0.2600	RFQ	50	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道					30 V	6.5A（TA）	4.5V，10V	38mohm @ 6.5a，10v	3V @ 250µA	7 NC @ 5 V	±20V	460 pf @ 15 V	-	2.5W（TA）
FDN339AN	-	RFQ	1417	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3				MOSFET （金属 o化物）		SOT-23-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道					20 v	3A（3A）	2.5V，4.5V	35mohm @ 3A，4.5V	1.5V @ 250µA	10 NC @ 4.5 V	±8V	700 pf @ 10 V	-	500MW（TA）
FFA10U40DNTU	0.8800	RFQ	515	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				标准		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	450		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1对普通阴极	400 v	10a	1.4 V @ 10 A	50 ns	30 µA @ 400 V	-65°C〜150°C
MM5Z4V3	0.0200	RFQ	112	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±7％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523F					200兆	SOD-523F	-		供应商不确定	供应商不确定	2156-MM5Z4V3-600039			1																							3 µA @ 1 V															4.3 v	90欧姆
FDS6576	1.0000	RFQ	1383	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）				MOSFET （金属 o化物）		8-SOIC	下载					Ear99	8542.39.0001	1			P通道					20 v	11a（11a）	2.5V，4.5V	14mohm @ 11a，4.5V	1.5V @ 250µA	60 NC @ 4.5 V	±12V	4044 pf @ 10 V	-	2.5W（TA）
S3G	1.0000	RFQ	4265	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	DO-214AB，SMC				标准		SMC（do-214ab）	下载					Ear99	8541.10.0080	1		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）																	400 v		1.15 V @ 3 A	1.5 µs	5 µA @ 1.7 V	-50°C〜150°C	3a	-
FSB50660SFT	5.6000	RFQ	180	Fairchild半导体	motionspm®5Superfet®	大部分	积极的			通过洞	23-PowerDip 模块（ 0.748“，19.00mm）	MOSFET						下载					Ear99	8542.39.0001	1	3期				3.1 a	600 v	1500vrms
FGB3236	1.2600	RFQ	18	Fairchild半导体	*	大部分	积极的											-	不适用	3（168））	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	800
FQPF5N15	0.3100	RFQ	6334	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包				MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	730			n通道					150 v	4.2A（TC）	10V	800MOHM @ 2.1a，10V	4V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±25V	230 pf @ 25 V	-	32W（TC）
FDML7610AS	0.2700	RFQ	9	Fairchild半导体	*	大部分	积极的						FDML7610		-			-	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8542.39.0001	3,000																-
MMSZ5251B	1.0000	RFQ	8531	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	表面安装	SOD-123		MMSZ52			500兆	SOD-123	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																					900 mv @ 10 ma		100 na @ 17 V															22 v	19欧姆
FGPF50N30TTU	1.3200	RFQ	800	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			标准		46.8 w	TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000				-																							沟	300 v		120 a	1.5V @ 15V，15a	-	97 NC	-
KSD401G	1.0000	RFQ	9388	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3					25 w	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1200																												150 v	2 a								50µA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	200 @ 400mA，10V	5MHz
FFAF15U20DNTU	0.6600	RFQ	1	Fairchild半导体	-	管子	过时的			通过洞	TO-3P-3				标准		to-3pf	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0080	360		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）																1对普通阴极	200 v	15a	1.2 V @ 15 A	40 ns	15 µA @ 200 V	-65°C〜150°C
FDD6676	0.8300	RFQ	8	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63				MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道					30 V	78a（ta）	4.5V，10V	7.5MOHM @ 16.8A，10V	3V @ 250µA	63 NC @ 5 V	±16V	5103 PF @ 15 V	-	1.6W（TA）
FQA44N30	4.5000	RFQ	399	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3				MOSFET （金属 o化物）		to-3pn	下载					Ear99	8542.39.0001	67			n通道					300 v	43.5A（TC）	10V	69mohm @ 21.75a，10V	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±30V	5600 pf @ 25 V	-	310W（TC）
MM3Z22VB	0.0200	RFQ	2888	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±2％	-65°C〜150°C	表面安装	SC-90，SOD-323F					200兆	SOD-323F	下载					Ear99	8541.10.0050	1																					1 V @ 10 mA		45 NA @ 15.4 V															22 v	51欧姆

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²