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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）
BAV74	0.0400	RFQ	52	Fairchild半导体	*	大部分	积极的										下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-BAV74-600039	Ear99	8541.10.0070	1
FCH043N60	11.2600	RFQ	50	Fairchild半导体	SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-3	下载					Ear99	8542.39.0001	27			n通道		600 v	75A（TC）	10V	43mohm @ 38a，10v	3.5V @ 250µA	215 NC @ 10 V	±20V	12225 PF @ 400 V	-	592W（TC）
BD13910S	0.2500	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3				1.25 w	TO-126-3	下载					Ear99	8541.29.0095	1,219																							80 V	1.5 a						100NA（ICBO）			NPN	500mv @ 50mA，500mA	63 @ 150mA，2V	-
SS29FA	0.1300	RFQ	9231	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	SOD-123W			肖特基		SOD-123FA	下载					Ear99	8541.10.0080	1,711		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													90 v	850 mv @ 2 a		100 µA @ 90 V	-55°C〜150°C	2a	120pf @ 4V，1MHz
HUFA76404DK8T	0.3400	RFQ	6444	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	HUFA76404		MOSFET （金属 o化物）	2.5W	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500	2 n 通道（双）				62V	3.6a		110MOHM @ 3.6A，10V	3V @ 250µA	4.9nc @ 5V		250pf @ 25V	逻辑级别门
KSA733YBU	-	RFQ	2870	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				250兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,000																							50 V	150 ma						100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，6v	180MHz
FDM3622	1.0000	RFQ	5205	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn			MOSFET （金属 o化物）		8-mlp（3.3x3.3）	下载						0000.00.0000	1			n通道		100 v	4.4a（ta）	6V，10V	60mohm @ 4.4A，10V	4V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±20V	1090 pf @ 25 V	-	2.1W（TA）
SB530	-	RFQ	2713	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞	do-201aa，do-27，轴向	SB53		肖特基		DO-201-201	下载					Ear99	8541.10.0080	869		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													30 V	550 mv @ 5 a		500 µA @ 30 V	-50°C〜150°C	5a	-
FQB8N60CFTM	1.1600	RFQ	2	Fairchild半导体	FRFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道		600 v	6.26a（TC）	10V	1.5OHM @ 3.13a，10V	4V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1255 pf @ 25 V	-	147W（TC）
FQA28N50F	-	RFQ	2936	Fairchild半导体	FRFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3			MOSFET （金属 o化物）		to-3p	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	30			n通道		500 v	28.4a（TC）	10V	160MOHM @ 14.2A，10V	5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±30V	5600 pf @ 25 V	-	310W（TC）
HUF75639S3	-	RFQ	3715	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA			MOSFET （金属 o化物）		i2pak（（TO-262）	-	Rohs不合规		供应商不确定	2156-HUF75639S3-600039			1			n通道		100 v	56A（TC）	10V	25mohm @ 56a，10v	4V @ 250µA	130 nc @ 20 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IRLM110ATF	1.0000	RFQ	1456	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-261-4，TO-261AA			MOSFET （金属 o化物）		SOT-223-4	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	4,000			n通道		100 v	1.5A（TC）	5V	440MOHM @ 750mA，5V	2V @ 250µA	8 nc @ 5 V	±20V	235 pf @ 25 V	-	2.2W（TC）
BS270	-	RFQ	7006	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			MOSFET （金属 o化物）		TO-92-3	下载					Ear99	8541.21.0095	1			n通道		60 V	400mA（TA）	4.5V，10V	2ohm @ 500mA，10v	2.5V @ 250µA		±20V	50 pf @ 25 V	-	625MW（TA）
FDB6670AS	1.9100	RFQ	5	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB			MOSFET （金属 o化物）		D2PAK（TO-263）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	800			n通道		30 V	62a（ta）	4.5V，10V	8.5mohm @ 31a，10v	3V @ 1mA	39 NC @ 15 V	±20V	1570 pf @ 15 V	-	62.5W（TC）
HUF75339G3_NL	0.7500	RFQ	6516	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）		TO-247	下载	不适用	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.29.0095	60			n通道		55 v	75A（TC）	10V	12mohm @ 75a，10v	4V @ 250µA	130 nc @ 20 V	±20V	2000 pf @ 25 V	-	200W（TC）
MM5Z75V	0.0200	RFQ	53	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523				200兆	SOD-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																		50 na @ 52.5 V													75 v	255欧姆
1N4730ATR	0.0200	RFQ	129	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	do-204al，do-41，轴向	1N4730			1 w	do-41	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	3,000																		50 µA @ 1 V													3.9 v	9欧姆
KSA733CGTA	0.0200	RFQ	67	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				250兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,000																							50 V	150 ma						100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	200 @ 1mA，6v	180MHz
flz4v7b	0.0200	RFQ	6645	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80				500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	7,263																1.2 V @ 200 ma		190 na @ 1 V													4.7 v	21欧姆
sgp6n60ufdtu	0.5500	RFQ	869	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	SGP6N	标准		30 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000				300V，3A，80OHM，15V													52 ns					-	600 v	6 a	25 a	2.6V @ 15V，3A	（57µJ）（在），25µJ（25µJ）中	15 NC	15NS/60NS
KSC1008CYBU	-	RFQ	9641	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）				800兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	1,000																							60 V	700 MA						100NA（ICBO）			NPN	400mv @ 50mA，500mA	120 @ 50mA，2V	50MHz
KSB1116AGTA	-	RFQ	1565年	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）				750兆w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	2,141																							60 V	1 a						100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 50mA，1a	200 @ 100mA，2V	120MHz
FCH041N65EFL4	9.3800	RFQ	232	Fairchild半导体	FRFET®，SuperFet®II	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4			MOSFET （金属 o化物）		TO-247-4	下载					Ear99	8541.29.0095	32			n通道		650 v	76A（TC）	10V	41mohm @ 38a，10v	5V @ 7.6mA	298 NC @ 10 V	±20V	12560 pf @ 100 V	-	595W（TC）
S3BB	-	RFQ	7866	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101	大部分	积极的			表面安装	DO-214AA，SMB			标准		DO-214AA（SMB）	下载					Ear99	8541.10.0080	1,771		标准恢复> 500ns，> 200ma（io（io）													100 v	1.15 V @ 3 A	1.5 µs	10 µA @ 100 V	-55°C〜150°C	3a	18pf @ 0v，1MHz
FDMS5360L-F085	-	RFQ	3508	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	8-Powervdfn			MOSFET （金属 o化物）		Power56	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDMS5360L-F085-600039			1			n通道		60 V	60a（TC）	4.5V，10V	8.5MOHM @ 60a，10v	3V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±20V	3695 PF @ 30 V	-	150W（TC）
SGU20N40LTU	1.2500	RFQ	69	Fairchild半导体	-	管子	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	SGU20	标准		45 W	我帕克	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	5,040				-																		沟	400 v		150 a	8V @ 4.5V，150a	-		-
FJAF4310OTU	-	RFQ	3345	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3				80 W	to-3pf	下载					Ear99	8541.29.0075	1																							140 v	10 a						10µA（ICBO）			NPN	500mv @ 500mA，5a	70 @ 3A，4V	30MHz
FQPF33N10L	0.7100	RFQ	10	Fairchild半导体	QFET®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		100 v	18A（TC）	5V，10V	52MOHM @ 9A，10V	2V @ 250µA	40 NC @ 5 V	±20V	1630 PF @ 25 V	-	41W（TC）
2SK4066-DL-1EX	1.0000	RFQ	8797	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	2SK4066		MOSFET （金属 o化物）		TO-263-2	下载					Ear99	8541.29.0095	1			n通道		60 V	100A（TA）		4.7MOHM @ 50a，10v	-	220 NC @ 10 V		12500 PF @ 20 V	-	1.65W（ta），90W（tc）
FJX4009RTF	0.0500	RFQ	44	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323	FJX400			200兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	3,000																							40 V	100 ma						100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 1mA，10mA	100 @ 1mA，5V	200 MHz	4.7科姆斯

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²