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离散半导体产品（（5251）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	宽容	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	速度	fet	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	（（dc）（vr）（vr）（最大）	电压 -向前（ -vf）（最大） @如果	trr）	电流 -反向泄漏 @ @ vr	工作温度 -交界处	电流 -io（io）	电容 @ vr，f	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	当前 -收集器截止（最大）	电压-Zener（Nom）（nom）（vz）	（（ZZT））	晶体管类型	vce 饱和度（最大） @ ib，ic	（HFE）（最小） @ ic，vce	频率 -过渡	电阻 -底座（ -r1）	电阻 -发射极底座（ r2）	噪声图（ db typ @ f）
FDME1023PZT	-	RFQ	4784	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-UFDFN暴露垫	FDME1023	MOSFET （金属 o化物）	600MW	6-UMLP（1.6x1.6）	-						0000.00.0000	1	2（p 通道（双）				20V	2.6a		142MOHM @ 2.3a，4.5V	1V @ 250µA	7.7nc @ 4.5V		405pf @ 10V	逻辑级别门
NDH8321C	0.6700	RFQ	3	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-tsop （0.130英寸，3.30mm）	NDH8321	MOSFET （金属 o化物）	800MW（TA）	Supersot™-8	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	供应商不确定		Ear99	8541.21.0095	3,000	n和p通道				20V	3.8A（ta），2.7a ta（2.7a）		35MOHM @ 3.8A，4.5V，70MOHM @ 2.7A，4.5V	1V @ 250µA	28nc @ 4.5V，23nc @ 4.5V		700pf @ 10V，865pf @ 10V	-
BC638TF	0.0200	RFQ	3031	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			1 w	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	1,695																						60 V	1 a	100NA（ICBO）			PNP	500mv @ 50mA，500mA	40 @ 150mA，2V	100MHz
MM5Z24V	0.0200	RFQ	68	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±6％	-55°C〜150°C	表面安装	SC-79，SOD-523F	MM5Z2		200兆	SOD-523F	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.10.0050	8,000																		50 NA @ 16.8 V							24 V	70欧姆
RHRD660S9A-S2515P	1.0000	RFQ	6099	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		雪崩		TO-252AA	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-RHRD660S9A-S2515P-600039			1		快速恢复= <500ns，> 200ma（io）													600 v	2.1 V @ 6 A	35 ns	100 µA @ 600 V	-65°C〜175°C	6a	-
FDS8934A	0.6700	RFQ	52	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）	FDS89	MOSFET （金属 o化物）	900MW	8-SOIC	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	2,500	2（p 通道（双）				20V	4a		55MOHM @ 4A，4.5V	1V @ 250µA	28nc @ 5V		1130pf @ 10V	逻辑级别门
2SD1683T	1.0000	RFQ	9220	Fairchild半导体	2SD1683	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-225AA，TO-126-3			1.5 w	TO-225-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0075	200																						50 V	4 a	1µA（ICBO）			NPN	500mv @ 100mA，2a	200 @ 100mA，2V	150MHz
TN2219A	0.2500	RFQ	5260	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			1 w	TO-226-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	902																						40 V	1 a	10NA（ICBO）			NPN	1V @ 50mA，500mA	100 @ 150mA，10V	-
FDP75N08A	-	RFQ	9431	Fairchild半导体	Unifet™	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载					Ear99	8542.39.0001	1			n通道		75 v	75A（TC）	10V	11mohm @ 37.5a，10v	4V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±20V	4468 PF @ 25 V	-	137W（TC）
BDW94	0.3700	RFQ	2	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3			80 W	TO-220-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	200																						45 v	12 a	1ma			pnp-达灵顿	3V @ 100mA，10a	750 @ 5A，3V	-
BZX55C10	0.0500	RFQ	42	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±5％	-65°C 〜200°C	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	DO-35（do-204AH）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	1,000																1.3 V @ 100 mA		100 NA @ 7.5 V							10 v	15欧姆
FDZ663P	0.2700	RFQ	60	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	4-XFBGA，WLCSP		MOSFET （金属 o化物）		4-WLCSP（0.8x0.8）	下载		供应商不确定	到达不受影响	2156-FDZ663P-600039			1			P通道		20 v	2.7a（ta）	1.5V，4.5V	134mohm @ 2A，4.5V	1.2V @ 250µA	8.2 NC @ 4.5 V	±8V	525 pf @ 10 V	-	1.3W（TA）
KSA1175YBU	0.0200	RFQ	4544	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3			250兆	TO-92S	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	9,954																						50 V	150 ma	100NA（ICBO）			PNP	300mv @ 10mA，100mA	120 @ 1mA，6v	180MHz
1N5238B	0.0300	RFQ	115	Fairchild半导体	-	大部分	积极的			通过洞				500兆		下载					Ear99	8541.10.0050	11,539																		3 µA @ 6.5 V							8.7 v	8欧姆
FQPF2N30	0.2900	RFQ	4	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		300 v	1.34A（TC）	10V	3.7OHM @ 670mA，10V	5V @ 250µA	5 NC @ 10 V	±30V	130 pf @ 25 V	-	16W（TC）
FDS6162N3	1.7600	RFQ	33	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Soic（0.154英寸，宽3.90mm）		MOSFET （金属 o化物）		8-so	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		20 v	21a（21a）	2.5V，4.5V	4.5MOHM @ 21a，4.5V	1.5V @ 250µA	73 NC @ 4.5 V	±12V	5521 PF @ 10 V	-	（3W）（TA）
KSD1408YTU	0.5000	RFQ	13	Fairchild半导体	-	大部分	积极的		150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包			25 w	TO-220F-3	下载					Ear99	8542.39.0001	598																						80 V	4 a	30µA（ICBO）			NPN	1.5V @ 300mA，3a	120 @ 500mA，5V	8MHz
flz8v2c	0.0200	RFQ	65	Fairchild半导体	-	大部分	过时的	±3％	-65°C〜175°C	表面安装	DO-213AC，迷你梅尔，SOD-80			500兆	SOD-80	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.10.0050	2,500																1.2 V @ 200 ma		300 na @ 5 v							8.2 v	6.6欧姆
BC558CTA	0.0200	RFQ	1606	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	11,189																						30 V	100 ma	15NA（icbo）			PNP	650mv @ 5mA，100mA	420 @ 2mA，5V	150MHz
KSC1674CYBU	0.0200	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			250MW	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	15,000				-																		20V	20mA				NPN		120 @ 1mA，6v	600MHz			3DB〜5DB @ 100MHz
FQD3N40TM	0.3200	RFQ	1	Fairchild半导体	QFET®	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		MOSFET （金属 o化物）		TO-252，（-d-pak）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	2,500			n通道		400 v	2A（TC）	10V	3.4OHM @ 1A，10V	5V @ 250µA	7.5 NC @ 10 V	±30V	230 pf @ 25 V	-	2.5W（TA），30W（tc）
FDB8160-F085	1.4000	RFQ	9	Fairchild半导体	汽车，AEC-Q101，PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	FDB816	MOSFET （金属 o化物）		TO-263AB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		30 V	80A（TC）	10V	1.8mohm @ 80a，10v	4V @ 250µA	243 NC @ 10 V	±20V	11825 PF @ 15 V	-	254W（TC）
FDMS8095AC	-	RFQ	4842	Fairchild半导体	PowerTrench®	大部分	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	8-Powerwdfn	FDMS8095	MOSFET （金属 o化物）	2.3W	8-MLP（5x6），Power56	下载					Ear99	8542.39.0001	1	n和p通道				150V	6.2a，1a		30mohm @ 6.2a，10v	4V @ 250µA	30nc @ 10V		2020pf @ 75V	-
FJX4004RTF	0.0500	RFQ	9275	Fairchild半导体	-	大部分	过时的			表面安装	SC-70，SOT-323	FJX400		200兆	SC-70-3（SOT323）	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	971																						50 V	100 ma	100NA（ICBO）			pnp-预先偏见	300mv @ 500µA，10mA	68 @ 5mA，5V	200 MHz	47科姆斯	47科姆斯
HUF76429D3	0.6600	RFQ	1	Fairchild半导体	Ultrafet®	大部分	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA		MOSFET （金属 o化物）		我帕克	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			n通道		60 V	20A（TC）	4.5V，10V	23mohm @ 20a，10v	3V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±16V	1480 pf @ 25 V	-	110W（TC）
FQPF2N60	-	RFQ	3120	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		600 v	1.6A（TC）	10V	4.7ohm @ 800mA，10v	5V @ 250µA	11 NC @ 10 V	±30V	350 pf @ 25 V	-	28W（TC）
BC547A	0.0200	RFQ	15	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	通过洞	TO-226-3，TO-92-3 to-226AA）			500兆	TO-92-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0075	15,076																						45 v	100 ma	15NA（icbo）			NPN	600mv @ 5mA，100mA	110 @ 2mA，5V	300MHz
1N5247B	0.0300	RFQ	187	Fairchild半导体	-	大部分	积极的	±5％	-	通过洞	DO-204AH，DO-35，轴向			500兆	do-35	下载					Ear99	8541.10.0050	11,539																900 mv @ 200 ma		100 na @ 13 V							17 V	19欧姆
KSA1298OMTF	0.0200	RFQ	30	Fairchild半导体	-	大部分	过时的		150°C（TJ）	表面安装	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3			200兆	SOT-23-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.21.0095	3,000																						25 v	800 MA	100NA（ICBO）			PNP	400mv @ 20mA，500mA	100 @ 100mA，1V	120MHz
FQPF9N50	0.8500	RFQ	43	Fairchild半导体	QFET®	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包		MOSFET （金属 o化物）		TO-220F-3	下载	rohs3符合条件				Ear99	8541.29.0095	1,000			n通道		500 v	5.3A（TC）	10V	730MOHM @ 2.65a，10V	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	1450 pf @ 25 V	-	50W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

离散半导体产品（（5251）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²